![DGD2104MS8-13 DGD2104MS8-13](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/32111e9f18d44d9fdb048045cdd511fc07d6dc9f/so-8.jpg)
DGD2104MS8-13 Diodes Zetex
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 42.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DGD2104MS8-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DGD2104MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 70ns, Ausgabeverzögerung: 35ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DGD2104MS8-13 за ціною від 33.25 грн до 143.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DGD2104MS8-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 42500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DGD2104MS8-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DGD2104MS8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DGD2104MS8-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DGD2104MS8-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DGD2104MS8-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C |
на замовлення 2406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DGD2104MS8-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DGD2104MS8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DGD2104MS8-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DGD2104MS8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 62856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DGD2104MS8-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |