DGD2101MS8-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DGD2101MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 45.1 грн |
| 250+ | 39.27 грн |
| 500+ | 36.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DGD2101MS8-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2101MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 160ns, Ausgabeverzögerung: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DGD2101MS8-13 за ціною від 36.83 грн до 136.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DGD2101MS8-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2101MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DGD2101MS8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DGD2101MS8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Gate Drivers HV Gate Driver |
на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
DGD2101MS8-13 | Виробник : Diodes Inc |
Driver 2-OUT High and Low Side 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DGD2101MS8-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 1 Operating temperature: -40...125°C Output current: -600...290mA Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 170ns Pulse fall time: 90ns Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Mounting: SMD Case: SO8 Supply voltage: 10...20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
DGD2101MS8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DGD2101MS8-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 1 Operating temperature: -40...125°C Output current: -600...290mA Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 170ns Pulse fall time: 90ns Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Mounting: SMD Case: SO8 Supply voltage: 10...20V |
товар відсутній |