DGD0506AFN-7 Diodes Zetex
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 23.38 грн |
| 27+ | 22.54 грн |
| 100+ | 20.87 грн |
| 250+ | 19.26 грн |
| 500+ | 18.43 грн |
| 1000+ | 18.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DGD0506AFN-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DGD0506AFN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030, Eingang: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.5A, Versorgungsspannung, min.: 8V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: W-DFN3030, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 14V, Eingabeverzögerung: 96ns, Ausgabeverzögerung: 22ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DGD0506AFN-7 за ціною від 17.28 грн до 92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DGD0506AFN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R |
на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DGD0506AFN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 372000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DGD0506AFN-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD0506AFN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Bauform - Treiber: W-DFN3030 Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 96ns Ausgabeverzögerung: 22ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DGD0506AFN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DGD0506AFN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DGD0506AFN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Gate Drivers HV Gate Driver |
на замовлення 4913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DGD0506AFN-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD0506AFN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 96ns Ausgabeverzögerung: 22ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DGD0506AFN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 377631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DGD0506AFN-7 | Виробник : Diodes Inc |
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg 10-Pin MSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
DGD0506AFN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
DGD0506AFN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| DGD0506AFN-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2÷1.5A Case: WDFN3030-10 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Output current: -2...1.5A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 8...14V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| DGD0506AFN-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2÷1.5A Case: WDFN3030-10 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Output current: -2...1.5A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 8...14V |
товар відсутній |