![DGD1503S8-13 DGD1503S8-13](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE8SOIC-40.jpg)
DGD1503S8-13 DIODES INC.
![DIOD-S-A0009027113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 34.38 грн |
500+ | 30.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DGD1503S8-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 680ns, Ausgabeverzögerung: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DGD1503S8-13 за ціною від 31.97 грн до 86.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DGD1503S8-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DGD1503S8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 1926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DGD1503S8-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
DGD1503S8-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 10...20V Output current: -600...290mA Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 170ns Pulse fall time: 90ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
DGD1503S8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 250 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DGD1503S8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 250 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
DGD1503S8-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 10...20V Output current: -600...290mA Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 170ns Pulse fall time: 90ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge |
товар відсутній |