DGD2190MS8-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SO
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 55.4 грн |
| 5000+ | 50.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DGD2190MS8-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4.5A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Logik, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.5A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 140ns, Ausgabeverzögerung: 140ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DGD2190MS8-13 за ціною від 50.11 грн до 178.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DGD2190MS8-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 140ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DGD2190MS8-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 140ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DGD2190MS8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SO Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.5A, 4.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 6627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| DGD2190MS8-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Gate Drivers HV Gate Driver |
на замовлення 5372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
DGD2190MS8-13 Код товару: 189625 |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
 |
DGD2190MS8-13 | Виробник : Diodes Inc |
HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8 (Type TH) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| DGD2190MS8-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DGD2190MS8-13 MOSFET/IGBT drivers |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
 |
DGD2190MS8-13 | Виробник : Diodes Zetex |
HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8 (Type TH) |
товару немає в наявності |