DGD0507AFN-7

DGD0507AFN-7 Diodes Incorporated


DGD0507A.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 8V ~ 14V
Input Type: CMOS/TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V
Supplier Device Package: W-DFN3030-10
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 18ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 552000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+25.51 грн
6000+ 22.99 грн
9000+ 22.2 грн
15000+ 20 грн
21000+ 19.51 грн
30000+ 19.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DGD0507AFN-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DGD0507AFN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030, Eingang: Logik, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.5A, Versorgungsspannung, min.: 8V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 14V, Eingabeverzögerung: 20ns, Ausgabeverzögerung: 23ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DGD0507AFN-7 за ціною від 22.64 грн до 94.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DGD0507AFN-7 DGD0507AFN-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005038956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DGD0507AFN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 14V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 23ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+43.07 грн
500+ 34.01 грн
1000+ 25.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
DGD0507AFN-7 DGD0507AFN-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005038956_1-2542726.pdf Gate Drivers HV Gate Driver
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.05 грн
10+ 57.05 грн
100+ 37.61 грн
500+ 32.65 грн
1000+ 26.12 грн
3000+ 23.14 грн
6000+ 22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
DGD0507AFN-7 DGD0507AFN-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005038956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DGD0507AFN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 8V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 14V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 23ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+78.5 грн
13+ 61.78 грн
100+ 43.07 грн
500+ 34.01 грн
1000+ 25.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
DGD0507AFN-7 DGD0507AFN-7 Виробник : Diodes Incorporated DGD0507A.pdf Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 8V ~ 14V
Input Type: CMOS/TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V
Supplier Device Package: W-DFN3030-10
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 18ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 552333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.43 грн
10+ 57.44 грн
25+ 48.47 грн
100+ 35.93 грн
250+ 31.27 грн
500+ 28.41 грн
1000+ 25.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
DGD0507AFN-7
Код товару: 193992
DGD0507A.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
товару немає в наявності
DGD0507AFN-7 DGD0507AFN-7 Виробник : Diodes Inc 194160533519548dgd0507a.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
DGD0507AFN-7 DGD0507AFN-7 Виробник : Diodes Zetex 194160533519548dgd0507a.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
DGD0507AFN-7 DGD0507AFN-7 Виробник : Diodes Zetex 194160533519548dgd0507a.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
DGD0507AFN-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DGD0507A.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: WDFN3030-10
Output current: -2...1.5A
Number of channels: 1
Supply voltage: 8...14V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 25ns
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
DGD0507AFN-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DGD0507A.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: WDFN3030-10
Output current: -2...1.5A
Number of channels: 1
Supply voltage: 8...14V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 25ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності