DGD0507AFN-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 8V ~ 14V
Input Type: CMOS/TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V
Supplier Device Package: W-DFN3030-10
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 18ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 8V ~ 14V
Input Type: CMOS/TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V
Supplier Device Package: W-DFN3030-10
Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 18ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 552000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 25.51 грн |
6000+ | 22.99 грн |
9000+ | 22.2 грн |
15000+ | 20 грн |
21000+ | 19.51 грн |
30000+ | 19.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DGD0507AFN-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DGD0507AFN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030, Eingang: Logik, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.5A, Versorgungsspannung, min.: 8V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 14V, Eingabeverzögerung: 20ns, Ausgabeverzögerung: 23ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DGD0507AFN-7 за ціною від 22.64 грн до 94.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DGD0507AFN-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD0507AFN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 23ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Виробник : Diodes Incorporated | Gate Drivers HV Gate Driver |
на замовлення 2973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD0507AFN-7 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), W-DFN3030 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN3030 Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 23ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: CMOS/TTL High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V Supplier Device Package: W-DFN3030-10 Rise / Fall Time (Typ): 16ns, 18ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 552333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 Код товару: 193992 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Виробник : Diodes Inc | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Виробник : Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Виробник : Diodes Zetex | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2÷1.5A Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: WDFN3030-10 Output current: -2...1.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 8...14V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2÷1.5A Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: WDFN3030-10 Output current: -2...1.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 8...14V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 25ns Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |