Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (139952) > Сторінка 2302 з 2333

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 233 466 699 932 1165 1398 1631 1864 2097 2297 2298 2299 2300 2301 2302 2303 2304 2305 2306 2307 2330 2333  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7437PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.8 грн
6+ 70.23 грн
10+ 61.36 грн
17+ 53.23 грн
45+ 50.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
IR21834SPBF IR21834SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2183SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.45 грн
3+ 229.92 грн
5+ 200.35 грн
12+ 189.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4620pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 363ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.07 грн
6+ 161.9 грн
15+ 153.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUC60N06S5L073ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IAUC60N06S5N074ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IPA060N06NM5SXKSA1 IPA060N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 224A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.09 грн
5+ 88.71 грн
10+ 77.62 грн
13+ 67.28 грн
36+ 63.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA060N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP060N06NAKSA1-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
BGS12P2L6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Case: TSLP-6-4
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
товару немає в наявності
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z24n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+43.79 грн
11+ 36.82 грн
41+ 21 грн
113+ 19.89 грн
1000+ 19.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
BAT6404E6327HTSA1 BAT6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.25A; SOT23; 250mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.8A
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+24.68 грн
34+ 11.16 грн
42+ 8.96 грн
100+ 6.45 грн
268+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+49.36 грн
10+ 38 грн
37+ 23.36 грн
102+ 22.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS606NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Case: PG-SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+35.03 грн
17+ 22.62 грн
50+ 18.63 грн
75+ 11.61 грн
206+ 10.94 грн
1000+ 10.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS127H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+24.68 грн
24+ 15.67 грн
50+ 10.13 грн
100+ 9.02 грн
143+ 6.06 грн
391+ 5.69 грн
2500+ 5.62 грн
3000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
TLE6240GPAUMA1 TLE6240GPAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE6240GP.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1÷3A; Ch: 16; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 16
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Technology: FLEX
Kind of output: N-Channel
Turn-off time: 12µs
Turn-on time: 12µs
Output current: 1...3A
товару немає в наявності
BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64xx_Ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+22.29 грн
29+ 13.16 грн
100+ 7.84 грн
148+ 5.84 грн
407+ 5.54 грн
650+ 5.25 грн
Мінімальне замовлення: 18
FF450R06ME3 FF450R06ME3 INFINEON TECHNOLOGIES FF450R06ME3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Case: AG-ECONOD-3
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
FF450R12KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF450R12KE4-DTE.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
товару немає в наявності
FF450R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF450R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
товару немає в наявності
FF450R33T3E3B5BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Case: AG-XHP100-6
Max. off-state voltage: 3.3kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: XHP™3
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
IFF450B12ME4PB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IFF450B12ME4PB11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Case: AG-ECONOD-6
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Application: for UPS; Inverter; motors; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW20N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.9 грн
3+ 225.48 грн
5+ 172.99 грн
14+ 163.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7317pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7380pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
BTS5090-1EJA BTS5090-1EJA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5090-1EJA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DSO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO8
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 13.5V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.89 грн
10+ 68.01 грн
15+ 61.36 грн
39+ 57.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRS2110SPBF IRS2110SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2110.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Power: 1.25W
Case: SO16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Turn-on time: 155ns
Turn-off time: 137ns
Output current: -2...2A
Operating temperature: -40...125°C
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Voltage class: 500V
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
товару немає в наявності
IRS2117SPBF IRS2117SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2117pbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
IRS2118PBF IRS2118PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2117pbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
IRS2118SPBF IRS2118SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2117pbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
DF400R12KE3HOSA1 DF400R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DF400R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: buck chopper
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2kW
товару немає в наявності
BCR112E6327HTSA1
+1
 		BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
98+4.08 грн
112+ 3.32 грн
336+ 2.59 грн
922+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 98
BCR562E6327 BCR562E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR562.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 50V
Frequency: 150MHz
Case: SOT23
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.51 грн
60+ 6.28 грн
100+ 5.62 грн
200+ 4.36 грн
540+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 40
BCR116SH6327 BCR116SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR116.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT363
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
53+7.56 грн
100+ 6.28 грн
178+ 4.81 грн
490+ 4.55 грн
Мінімальне замовлення: 53
BAS16UE6327HTSA1 BAS16UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS16SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.15 грн
38+ 9.76 грн
41+ 9.02 грн
100+ 8.58 грн
112+ 7.61 грн
308+ 7.24 грн
500+ 7.17 грн
1000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 36
BAV70UE6327HTSA1 BAV70UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SC74; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SC74
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 9099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
305+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 305
BAV99UE6327HTSA1 BAV99UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SC74; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SC74
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
44+9.24 грн
100+ 6.95 грн
158+ 5.47 грн
434+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 44
BAW101E6327HTSA1 BAW101E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAW101E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 300V; 0.25A; 1us; SOT143; 350mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 1µs
Power dissipation: 0.35W
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.67 грн
50+ 8.13 грн
100+ 7.17 грн
135+ 6.43 грн
370+ 6.06 грн
3000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 40
BAT64E6327HTSA1 BAT64E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.25A; SOT23; 250mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 6759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+22.29 грн
35+ 10.79 грн
44+ 8.55 грн
100+ 6.23 грн
290+ 2.99 грн
797+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 18
BAT165E6327HTSA1 BAT165E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT165E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.75A; SOD323
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.75A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
на замовлення 10367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+19.9 грн
28+ 13.23 грн
100+ 9.61 грн
139+ 6.21 грн
382+ 5.91 грн
9000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
BAS4004E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.12A; SOT23; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+12.74 грн
41+ 9.09 грн
100+ 6.65 грн
250+ 3.46 грн
685+ 3.27 грн
Мінімальне замовлення: 32
BAS4005E6327HTSA1 BAS4005E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.12A; SOT23; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+21.5 грн
32+ 11.68 грн
100+ 8.01 грн
248+ 3.47 грн
682+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 19
BAS4007E6327HTSA1 BAS4007E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.12A; SOT143; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT143
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+18.31 грн
29+ 12.86 грн
50+ 10.05 грн
100+ 9.09 грн
131+ 6.59 грн
360+ 6.23 грн
Мінімальне замовлення: 22
BAS7004E6327HTSA1 BAS7004E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 70mA; SOT23; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.09 грн
33+ 11.31 грн
100+ 7.64 грн
248+ 3.45 грн
682+ 3.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
BAS7007E6327 BAS7007E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 70mA; SOT143; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT143
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.51 грн
100+ 7.39 грн
150+ 5.84 грн
415+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 40
BAT1704E6327HTSA1 BAT1704E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 4V; 0.13A; SOT23; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+17.52 грн
30+ 12.35 грн
100+ 7.84 грн
138+ 6.28 грн
377+ 5.99 грн
650+ 5.91 грн
1000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 23
BAT6405E6327HTSA1 BAT6405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.25A; SOT23; 250mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.33 грн
37+ 10.13 грн
54+ 6.95 грн
100+ 5.95 грн
244+ 3.56 грн
670+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 28
BAT6406E6327HTSA1 BAT6406E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.25A; SOT23; 250mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.46 грн
32+ 11.9 грн
38+ 9.73 грн
100+ 7.27 грн
259+ 3.36 грн
710+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1503WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 4V; 0.11A; SOD323; 100mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 5106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+48.57 грн
11+ 36.22 грн
12+ 30.83 грн
66+ 13.16 грн
181+ 12.42 грн
1000+ 12.2 грн
3000+ 11.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
BAS3010A03WE6327HTSA1 BAS3010A03WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS3010A03WE6327HT.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 1A; SOD323
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward impulse current: 10A
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.66 грн
22+ 17 грн
27+ 14.19 грн
35+ 10.65 грн
100+ 9.76 грн
120+ 7.24 грн
330+ 6.8 грн
1000+ 6.65 грн
3000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
BGX50AE6327 BGX50AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BGX50AE6327.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.21W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Semiconductor structure: bridge rectifier
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.19 грн
100+ 8.5 грн
133+ 6.51 грн
364+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 40
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA42.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
товару немає в наявності
BFP196E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP196-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f02e2b21e7723 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 150mA; 0.7W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT143
Current gain: 70...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 7.5GHz
товару немає в наявності
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR181.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT23
Current gain: 70...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.25 грн
19+ 19.89 грн
25+ 15.45 грн
100+ 10.35 грн
127+ 6.88 грн
349+ 6.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
BC858BE6327 BC858BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
BC858CE6327 BC858CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
143+2.79 грн
218+ 1.7 грн
261+ 1.42 грн
291+ 1.27 грн
329+ 1.12 грн
500+ 1.01 грн
882+ 0.98 грн
Мінімальне замовлення: 143
BCV27E6327 BCV27E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV27E6327.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+14.01 грн
61+ 6.06 грн
100+ 5.47 грн
202+ 4.29 грн
556+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
BCX71GE6327 BCX71GE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCX71.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
90+4.43 грн
101+ 3.68 грн
250+ 3.25 грн
304+ 2.85 грн
834+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 90
IRFB7437PBF IRFB7437PBF.pdf
IRFB7437PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+82.8 грн
6+ 70.23 грн
10+ 61.36 грн
17+ 53.23 грн
45+ 50.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
IR21834SPBF IR2183SPBF.pdf
IR21834SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+279.45 грн
3+ 229.92 грн
5+ 200.35 грн
12+ 189.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFR4620TRLPBF irfr4620pbf.pdf
IRFR4620TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 363ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.07 грн
6+ 161.9 грн
15+ 153.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IPA060N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20
IPA060N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 224A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+105.09 грн
5+ 88.71 грн
10+ 77.62 грн
13+ 67.28 грн
36+ 63.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06N-DTE.pdf
IPA060N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06NAKSA1-DTE.pdf
IPP060N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
BGS12P2L6E6327XTSA1 Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Case: TSLP-6-4
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
товару немає в наявності
IRF9Z24NPBF irf9z24n.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+43.79 грн
11+ 36.82 грн
41+ 21 грн
113+ 19.89 грн
1000+ 19.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF9Z24NSTRLPBF Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
BAT6404E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.25A; SOT23; 250mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.8A
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+24.68 грн
34+ 11.16 грн
42+ 8.96 грн
100+ 6.45 грн
268+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRLR3410TRPBF description irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+49.36 грн
10+ 38 грн
37+ 23.36 грн
102+ 22.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLR3410TRRPBF irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Case: PG-SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+35.03 грн
17+ 22.62 грн
50+ 18.63 грн
75+ 11.61 грн
206+ 10.94 грн
1000+ 10.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+24.68 грн
24+ 15.67 грн
50+ 10.13 грн
100+ 9.02 грн
143+ 6.06 грн
391+ 5.69 грн
2500+ 5.62 грн
3000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
TLE6240GPAUMA1 TLE6240GP.pdf
TLE6240GPAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1÷3A; Ch: 16; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 16
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Technology: FLEX
Kind of output: N-Channel
Turn-off time: 12µs
Turn-on time: 12µs
Output current: 1...3A
товару немає в наявності
BAR6402VH6327XTSA1 BAR64xx_Ser.pdf
BAR6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+22.29 грн
29+ 13.16 грн
100+ 7.84 грн
148+ 5.84 грн
407+ 5.54 грн
650+ 5.25 грн
Мінімальне замовлення: 18
FF450R06ME3 FF450R06ME3.pdf
FF450R06ME3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Case: AG-ECONOD-3
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
FF450R12KE4HOSA1 FF450R12KE4-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
товару немає в наявності
FF450R12KT4HOSA1 FF450R12KT4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
товару немає в наявності
FF450R33T3E3B5BPSA1 Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Case: AG-XHP100-6
Max. off-state voltage: 3.3kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: XHP™3
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
IFF450B12ME4PB11BPSA1 IFF450B12ME4PB11.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Case: AG-ECONOD-6
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Application: for UPS; Inverter; motors; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5.pdf
IHW20N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+269.9 грн
3+ 225.48 грн
5+ 172.99 грн
14+ 163.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF7317TRPBF description irf7317pbf.pdf
IRF7317TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IRF7380TRPBF irf7380pbf.pdf
IRF7380TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
BTS5090-1EJA BTS5090-1EJA.pdf
BTS5090-1EJA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DSO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO8
On-state resistance: 90mΩ
Supply voltage: 13.5V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.89 грн
10+ 68.01 грн
15+ 61.36 грн
39+ 57.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRS2110SPBF description irs2110.pdf
IRS2110SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Power: 1.25W
Case: SO16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Turn-on time: 155ns
Turn-off time: 137ns
Output current: -2...2A
Operating temperature: -40...125°C
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Voltage class: 500V
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
товару немає в наявності
IRS2117SPBF irs2117pbf.pdf
IRS2117SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
IRS2118PBF irs2117pbf.pdf
IRS2118PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
IRS2118SPBF irs2117pbf.pdf
IRS2118SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
DF400R12KE3HOSA1 DF400R12KE3.pdf
DF400R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: buck chopper
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2kW
товару немає в наявності
BCR112E6327HTSA1 bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0
BCR112E6327HTSA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
98+4.08 грн
112+ 3.32 грн
336+ 2.59 грн
922+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 98
BCR562E6327 BCR562.pdf
BCR562E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 50V
Frequency: 150MHz
Case: SOT23
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.51 грн
60+ 6.28 грн
100+ 5.62 грн
200+ 4.36 грн
540+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 40
BCR116SH6327 BCR116.pdf
BCR116SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT363
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+7.56 грн
100+ 6.28 грн
178+ 4.81 грн
490+ 4.55 грн
Мінімальне замовлення: 53
BAS16UE6327HTSA1 BAS16SH6327XTSA1.pdf
BAS16UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+11.15 грн
38+ 9.76 грн
41+ 9.02 грн
100+ 8.58 грн
112+ 7.61 грн
308+ 7.24 грн
500+ 7.17 грн
1000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 36
BAV70UE6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SC74; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SC74
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 9099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
305+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 305
BAV99UE6327HTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SC74; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SC74
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+9.24 грн
100+ 6.95 грн
158+ 5.47 грн
434+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 44
BAW101E6327HTSA1 BAW101E6327HTSA1.pdf
BAW101E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 300V; 0.25A; 1us; SOT143; 350mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double independent
Reverse recovery time: 1µs
Power dissipation: 0.35W
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.67 грн
50+ 8.13 грн
100+ 7.17 грн
135+ 6.43 грн
370+ 6.06 грн
3000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 40
BAT64E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT64E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.25A; SOT23; 250mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 6759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+22.29 грн
35+ 10.79 грн
44+ 8.55 грн
100+ 6.23 грн
290+ 2.99 грн
797+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 18
BAT165E6327HTSA1 BAT165E6327HTSA1.pdf
BAT165E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.75A; SOD323
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.75A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
на замовлення 10367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+19.9 грн
28+ 13.23 грн
100+ 9.61 грн
139+ 6.21 грн
382+ 5.91 грн
9000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
BAS4004E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.12A; SOT23; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+12.74 грн
41+ 9.09 грн
100+ 6.65 грн
250+ 3.46 грн
685+ 3.27 грн
Мінімальне замовлення: 32
BAS4005E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4005E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.12A; SOT23; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+21.5 грн
32+ 11.68 грн
100+ 8.01 грн
248+ 3.47 грн
682+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 19
BAS4007E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4007E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 40V; 0.12A; SOT143; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT143
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+18.31 грн
29+ 12.86 грн
50+ 10.05 грн
100+ 9.09 грн
131+ 6.59 грн
360+ 6.23 грн
Мінімальне замовлення: 22
BAS7004E6327HTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 70mA; SOT23; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+23.09 грн
33+ 11.31 грн
100+ 7.64 грн
248+ 3.45 грн
682+ 3.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
BAS7007E6327 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7007E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 70V; 70mA; SOT143; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT143
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.51 грн
100+ 7.39 грн
150+ 5.84 грн
415+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 40
BAT1704E6327HTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1704E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 4V; 0.13A; SOT23; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+17.52 грн
30+ 12.35 грн
100+ 7.84 грн
138+ 6.28 грн
377+ 5.99 грн
650+ 5.91 грн
1000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 23
BAT6405E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6405E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.25A; SOT23; 250mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+14.33 грн
37+ 10.13 грн
54+ 6.95 грн
100+ 5.95 грн
244+ 3.56 грн
670+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 28
BAT6406E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6406E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.25A; SOT23; 250mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+29.46 грн
32+ 11.9 грн
38+ 9.73 грн
100+ 7.27 грн
259+ 3.36 грн
710+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1.pdf
BAT1503WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 4V; 0.11A; SOD323; 100mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 5106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+48.57 грн
11+ 36.22 грн
12+ 30.83 грн
66+ 13.16 грн
181+ 12.42 грн
1000+ 12.2 грн
3000+ 11.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
BAS3010A03WE6327HTSA1 BAS3010A03WE6327HT.pdf
BAS3010A03WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 1A; SOD323
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward impulse current: 10A
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+28.66 грн
22+ 17 грн
27+ 14.19 грн
35+ 10.65 грн
100+ 9.76 грн
120+ 7.24 грн
330+ 6.8 грн
1000+ 6.65 грн
3000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
BGX50AE6327 BGX50AE6327.pdf
BGX50AE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.21W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Semiconductor structure: bridge rectifier
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.19 грн
100+ 8.5 грн
133+ 6.51 грн
364+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 40
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42.pdf
SMBTA42E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
товару немає в наявності
BFP196E6327HTSA1 Infineon-BFP196-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f02e2b21e7723
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 150mA; 0.7W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT143
Current gain: 70...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 7.5GHz
товару немає в наявності
BFR181E6327HTSA1 BFR181.pdf
BFR181E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT23
Current gain: 70...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+30.25 грн
19+ 19.89 грн
25+ 15.45 грн
100+ 10.35 грн
127+ 6.88 грн
349+ 6.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
BC858BE6327 BC858CE6327.pdf
BC858BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
BC858CE6327 BC858CE6327.pdf
BC858CE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+2.79 грн
218+ 1.7 грн
261+ 1.42 грн
291+ 1.27 грн
329+ 1.12 грн
500+ 1.01 грн
882+ 0.98 грн
Мінімальне замовлення: 143
BCV27E6327 BCV27E6327.pdf
BCV27E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+14.01 грн
61+ 6.06 грн
100+ 5.47 грн
202+ 4.29 грн
556+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
BCX71GE6327 BCX71.pdf
BCX71GE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+4.43 грн
101+ 3.68 грн
250+ 3.25 грн
304+ 2.85 грн
834+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 90
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 233 466 699 932 1165 1398 1631 1864 2097 2297 2298 2299 2300 2301 2302 2303 2304 2305 2306 2307 2330 2333  [ Наступна Сторінка >> ]