IRF7317TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 22.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7317TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF7317TRPBF за ціною від 22.73 грн до 87.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7317TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 6.6A |
на замовлення 1541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7317TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF7317TRPBF | Виробник : Taiwan TY Semiconductor |
SOIC-8 |
на замовлення 129 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| IRF7317TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
SOIC-8 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRF7317TRPBF Код товару: 41839 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7317TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Drain current: 6.6/-5.3A Drain-source voltage: 20/-20V Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 29/58mΩ кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7317TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Drain current: 6.6/-5.3A Drain-source voltage: 20/-20V Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 29/58mΩ |
товар відсутній |