![FF450R12KT4HOSA1 FF450R12KT4HOSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/11/8/13/52/12/972509/smn_/manual/ff100r12ks4new.jpg)
FF450R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
![703ds_ff450r12kt4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8748.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF450R12KT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2400W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 450 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 2400 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF450R12KT4HOSA1 за ціною від 8998.93 грн до 10367.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Case: AG-62MM Power dissipation: 2.4kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
![]() |
FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Case: AG-62MM Power dissipation: 2.4kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A |
товар відсутній |