![FF450R12KE4HOSA1 FF450R12KE4HOSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/25a29c2f718c347d7c8357687af31e5d7f0d7ea5/ff100r12ks4new.jpg)
FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 25573.77 грн |
5+ | 22662.93 грн |
10+ | 21103.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF450R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 520 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 2400 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF450R12KE4HOSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Case: AG-62MM Power dissipation: 2.4kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 520 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||
FF450R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Case: AG-62MM Power dissipation: 2.4kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A |
товар відсутній |