BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70, DC-Stromverstärkung hFE: 70, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 20, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 175, Verlustleistung: 175, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 20, Übergangsfrequenz: 8, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції BFR181E6327HTSA1 за ціною від 4.72 грн до 35.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 20 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175 Bauform - Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70 DC-Stromverstärkung hFE: 70 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 20 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 175 Verlustleistung: 175 Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 20 Übergangsfrequenz: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz Power dissipation: 0.175W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 70...140 Collector current: 20mA Type of transistor: NPN |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 |
на замовлення 5871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR |
на замовлення 18012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz Power dissipation: 0.175W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 70...140 Collector current: 20mA Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 740 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |