GBJ35M GeneSiC Semiconductor
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 255.84 грн |
| 10+ | 198.84 грн |
| 25+ | 158.14 грн |
| 100+ | 137.06 грн |
| 200+ | 124.41 грн |
| 600+ | 115.97 грн |
| 1000+ | 107.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ35M GeneSiC Semiconductor
Description: 1000V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDG, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBJ35M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GBJ35M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER |
товар відсутній |
||
| GBJ35M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: 1000V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDG Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |