Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (4545) > Сторінка 76 з 76
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
YJQ35N04A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 23A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 40W Case: DFN3.3x3.3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJQ35N04A | Yangjie Technology | Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJQ35N04A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 23A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 40W Case: DFN3.3x3.3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJQ4606A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
YJQ4666B | YANGJIE TECHNOLOGY | YJQ4666B-YAN SMD P channel transistors |
на замовлення 3220 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
YJQ50N03A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJQ50P03A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJQ60N03A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
YJQD12N03A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
YJQD25N04A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJR20N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 495000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS03N10A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER HV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJS03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER HV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJS05N06A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
YJS05N15B | YANGJIE TECHNOLOGY | YJS05N15B-YAN SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJS12G06A | YANGJIE TECHNOLOGY | YJS12G06A-YAN SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
YJS12G06D | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS12G10A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS12N03A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS12N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 3.3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJS12N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 3.3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJS18N03A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
YJS2022A | YANGJIE TECHNOLOGY | YJS2022A-YAN SMD P channel transistors |
на замовлення 11278 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
YJS2301A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS2301A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS2301A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS3404A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS4407J | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS4409A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS4435A | Yangjie Technology |
![]() |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS4447B | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS4606A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6/-5A Pulsed drain current: 24...-20A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS4606A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N/P 30 -30V 6.0 -5.0A Tra Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS4606A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6/-5A Pulsed drain current: 24...-20A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7430 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS4953A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -5.1A Transistors |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS7328A | Yangjie Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS8205A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L N 20V 5.5A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS8205B | Yangjie Technology | Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS9435A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS9435A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJS9435A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 7365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJSD12N03A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
YJSD12N03A | YANGJIE TECHNOLOGY | YJSD12N03A-YAN Multi channel transistors |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
ZMM55C3V3 | Yangjie Technology | Стабілітрон SMD; Uz, В = 3,3; Точн., % = 5; Тексп, °C = до 175; SOD-80 |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
YJQ35N04A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJQ35N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 13.38 грн |
25000+ | 12.18 грн |
50000+ | 11.48 грн |
100000+ | 10.05 грн |
200000+ | 9.07 грн |
500000+ | 8.41 грн |
YJQ35N04A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJQ4606A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 8.74 грн |
25000+ | 7.94 грн |
50000+ | 7.46 грн |
100000+ | 6.55 грн |
200000+ | 5.91 грн |
500000+ | 5.46 грн |
YJQ4666B |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJQ4666B-YAN SMD P channel transistors
YJQ4666B-YAN SMD P channel transistors
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 7.04 грн |
270+ | 3.82 грн |
730+ | 3.61 грн |
YJQ50N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 13.04 грн |
25000+ | 11.83 грн |
50000+ | 11.18 грн |
100000+ | 9.81 грн |
200000+ | 8.86 грн |
500000+ | 8.18 грн |
YJQ50P03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 25.63 грн |
25000+ | 23.3 грн |
50000+ | 21.92 грн |
100000+ | 19.28 грн |
200000+ | 17.37 грн |
500000+ | 16.08 грн |
YJQ60N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 20.81 грн |
25000+ | 18.95 грн |
50000+ | 17.79 грн |
100000+ | 15.67 грн |
200000+ | 14.1 грн |
500000+ | 13.08 грн |
YJQD12N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
товар відсутній
YJQD25N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 13.38 грн |
25000+ | 12.18 грн |
50000+ | 11.48 грн |
100000+ | 10.05 грн |
200000+ | 9.07 грн |
500000+ | 8.41 грн |
YJR20N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 495000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4950+ | 10.78 грн |
24750+ | 9.8 грн |
49500+ | 9.22 грн |
99000+ | 8.11 грн |
198000+ | 7.36 грн |
495000+ | 6.81 грн |
YJS03N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.94 грн |
15000+ | 6.32 грн |
30000+ | 5.95 грн |
60000+ | 5.25 грн |
120000+ | 4.7 грн |
300000+ | 4.36 грн |
YJS03N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJS03N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJS05N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 11.12 грн |
20000+ | 10.15 грн |
40000+ | 9.52 грн |
80000+ | 8.41 грн |
160000+ | 7.56 грн |
400000+ | 7.03 грн |
YJS12G06D |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 20.2 грн |
20000+ | 18.37 грн |
40000+ | 17.28 грн |
80000+ | 15.19 грн |
160000+ | 13.69 грн |
400000+ | 12.67 грн |
YJS12G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 18.47 грн |
20000+ | 16.84 грн |
40000+ | 15.83 грн |
80000+ | 13.9 грн |
160000+ | 12.54 грн |
400000+ | 11.58 грн |
YJS12N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 7.39 грн |
20000+ | 6.68 грн |
40000+ | 6.32 грн |
80000+ | 5.52 грн |
160000+ | 4.97 грн |
400000+ | 4.63 грн |
YJS12N10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJS12N10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJS18N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET
Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 8.33 грн |
YJS2022A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJS2022A-YAN SMD P channel transistors
YJS2022A-YAN SMD P channel transistors
на замовлення 11278 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 43.53 грн |
173+ | 5.84 грн |
475+ | 5.58 грн |
YJS2301A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
90+ | 4.77 грн |
100+ | 3.96 грн |
270+ | 3.2 грн |
730+ | 3.03 грн |
YJS2301A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.05 грн |
15000+ | 4.57 грн |
30000+ | 4.28 грн |
60000+ | 3.82 грн |
120000+ | 3.41 грн |
300000+ | 3.13 грн |
YJS2301A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 5.72 грн |
100+ | 4.93 грн |
270+ | 3.84 грн |
730+ | 3.63 грн |
YJS3404A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 6.33 грн |
20000+ | 5.74 грн |
40000+ | 5.37 грн |
80000+ | 4.77 грн |
160000+ | 4.29 грн |
400000+ | 3.95 грн |
YJS4407J |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 11.38 грн |
20000+ | 10.31 грн |
40000+ | 9.73 грн |
80000+ | 8.52 грн |
160000+ | 7.7 грн |
400000+ | 7.15 грн |
YJS4409A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 21.33 грн |
20000+ | 19.37 грн |
40000+ | 18.26 грн |
80000+ | 16.03 грн |
160000+ | 14.44 грн |
400000+ | 13.41 грн |
YJS4435A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 7.13 грн |
20000+ | 6.44 грн |
40000+ | 6.09 грн |
80000+ | 5.32 грн |
160000+ | 4.8 грн |
400000+ | 4.47 грн |
YJS4447B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 19.19 грн |
YJS4606A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
49+ | 8.05 грн |
63+ | 5.81 грн |
193+ | 4.35 грн |
530+ | 4.12 грн |
4000+ | 3.96 грн |
YJS4606A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N/P 30 -30V 6.0 -5.0A Tra
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N/P 30 -30V 6.0 -5.0A Tra
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 7.39 грн |
20000+ | 6.68 грн |
40000+ | 6.32 грн |
80000+ | 5.52 грн |
160000+ | 4.97 грн |
400000+ | 4.63 грн |
YJS4606A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-5A
Pulsed drain current: 24...-20A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 9.66 грн |
50+ | 7.24 грн |
193+ | 5.22 грн |
530+ | 4.94 грн |
4000+ | 4.75 грн |
YJS4953A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -5.1A Transistors
Description: SOP-8 P -30V -5.1A Transistors
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 7.13 грн |
20000+ | 6.44 грн |
40000+ | 6.09 грн |
80000+ | 5.32 грн |
160000+ | 4.8 грн |
400000+ | 4.47 грн |
YJS7328A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 12.41 грн |
20000+ | 11.27 грн |
40000+ | 10.59 грн |
80000+ | 9.3 грн |
160000+ | 8.41 грн |
400000+ | 7.77 грн |
YJS8205A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 20V 5.5A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L N 20V 5.5A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.22 грн |
15000+ | 3.85 грн |
30000+ | 3.63 грн |
60000+ | 3.13 грн |
120000+ | 2.86 грн |
300000+ | 2.66 грн |
YJS8205B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors
Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.62 грн |
15000+ | 4.18 грн |
30000+ | 3.92 грн |
60000+ | 3.49 грн |
120000+ | 3.11 грн |
300000+ | 2.86 грн |
YJS9435A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 11.26 грн |
60+ | 6.56 грн |
100+ | 4.94 грн |
215+ | 4.04 грн |
585+ | 3.82 грн |
YJS9435A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 5.96 грн |
20000+ | 5.44 грн |
40000+ | 5.15 грн |
80000+ | 4.5 грн |
160000+ | 4.09 грн |
400000+ | 3.75 грн |
YJS9435A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 13.51 грн |
35+ | 8.18 грн |
100+ | 5.92 грн |
215+ | 4.84 грн |
585+ | 4.58 грн |
8000+ | 4.41 грн |
YJSD12N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 11.34 грн |
20000+ | 10.29 грн |
40000+ | 9.73 грн |
80000+ | 8.54 грн |
160000+ | 7.69 грн |
400000+ | 7.1 грн |
YJSD12N03A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJSD12N03A-YAN Multi channel transistors
YJSD12N03A-YAN Multi channel transistors
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 20.55 грн |
110+ | 9.41 грн |
300+ | 8.89 грн |
ZMM55C3V3 |
Виробник: Yangjie Technology
Стабілітрон SMD; Uz, В = 3,3; Точн., % = 5; Тексп, °C = до 175; SOD-80
Стабілітрон SMD; Uz, В = 3,3; Точн., % = 5; Тексп, °C = до 175; SOD-80
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
534+ | 1.17 грн |
589+ | 1.06 грн |
667+ | 0.94 грн |