Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (4558) > Сторінка 75 з 76

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 70 71 72 73 74 75 76  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
YJL03G10A YJL03G10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL03G10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL03G10A YJL03G10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL03G10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJL03N04A YJL03N04A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.33 грн
15000+ 2.09 грн
30000+ 1.94 грн
60000+ 1.75 грн
120000+ 1.54 грн
300000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL03N06A YJL03N06A YANGJIE TECHNOLOGY YJL03N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL03N06A YJL03N06A YANGJIE TECHNOLOGY YJL03N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJL03N06AQ YJL03N06AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.97 грн
15000+ 4.48 грн
30000+ 4.26 грн
60000+ 3.72 грн
120000+ 3.37 грн
300000+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL03N06B YJL03N06B Yangjie Technology YJL03N06B.pdf Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.61 грн
15000+ 2.38 грн
30000+ 2.24 грн
60000+ 1.97 грн
120000+ 1.77 грн
300000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL05N04AQ YJL05N04AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
15000+ 3.46 грн
30000+ 3.24 грн
60000+ 2.84 грн
120000+ 2.57 грн
300000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL05N06AL YJL05N06AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.84 грн
15000+ 5.33 грн
30000+ 4.97 грн
60000+ 4.4 грн
120000+ 3.99 грн
300000+ 3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2300A YJL2300A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2300A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2300A YJL2300A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2300A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2301C YJL2301C YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301C.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
110+3.94 грн
170+ 2.33 грн
500+ 1.75 грн
1360+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 110
YJL2301C YJL2301C YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301C.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
70+4.73 грн
100+ 2.91 грн
500+ 2.1 грн
1360+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 70
YJL2301CQ YJL2301CQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.5 грн
15000+ 4.11 грн
30000+ 3.89 грн
60000+ 3.44 грн
120000+ 3.09 грн
300000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301D YJL2301D YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301D.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2301D YJL2301D Yangjie Technology Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.56 грн
15000+ 2.39 грн
30000+ 2.24 грн
60000+ 1.96 грн
120000+ 1.75 грн
300000+ 1.61 грн
600000+ 1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301D YJL2301D YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301D.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
YJL2301F YJL2301F YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2301F YJL2301F YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
YJL2301G YJL2301G Yangjie Technology Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.86 грн
15000+ 1.72 грн
30000+ 1.57 грн
60000+ 1.4 грн
120000+ 1.26 грн
300000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301G YJL2301G YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2301G YJL2301G YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2301N YJL2301N Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.71 грн
15000+ 1.57 грн
30000+ 1.42 грн
60000+ 1.26 грн
120000+ 1.12 грн
300000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2302A YJL2302A Yangjie Technology YJL2302A.pdf Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.1 грн
15000+ 1.87 грн
30000+ 1.79 грн
60000+ 1.54 грн
120000+ 1.4 грн
300000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2302A YJL2302A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2302A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2302A YJL2302A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2302A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2304A YJL2304A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2304A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
YJL2304A YJL2304A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2304A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.49 грн
100+ 2.79 грн
500+ 2.11 грн
580+ 1.81 грн
1590+ 1.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJL2305A YJL2305A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2305A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2305A YJL2305A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2305A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2305B YANGJIE TECHNOLOGY YJL2305B.pdf YJL2305B-YAN SMD P channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
39+7.73 грн
420+ 2.53 грн
1140+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 39
YJL2312A YJL2312A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2312A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 27A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
YJL2312A YJL2312A Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
15000+ 2.47 грн
30000+ 2.32 грн
60000+ 2.03 грн
120000+ 1.82 грн
300000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2312A YJL2312A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2312A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 27A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2312AL YJL2312AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.49 грн
15000+ 3.14 грн
30000+ 2.99 грн
60000+ 2.6 грн
120000+ 2.31 грн
300000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2312AQ YJL2312AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.97 грн
15000+ 4.48 грн
30000+ 4.26 грн
60000+ 3.72 грн
120000+ 3.37 грн
300000+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3400A YJL3400A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3400A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJL3400A YJL3400A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3400A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.49 грн
100+ 3.57 грн
400+ 2.63 грн
1100+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJL3401A YJL3401A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.15 грн
380+ 2.4 грн
1000+ 2.27 грн
Мінімальне замовлення: 120
YJL3401A YJL3401A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
80+4.49 грн
100+ 3.92 грн
380+ 2.89 грн
1000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 80
YJL3401AL YJL3401AL Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
15000+ 3.51 грн
30000+ 3.36 грн
60000+ 2.95 грн
120000+ 2.67 грн
300000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3401AL YJL3401AL YANGJIE TECHNOLOGY YJL3401AL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
YJL3401AL YJL3401AL YANGJIE TECHNOLOGY YJL3401AL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+19.32 грн
100+ 3.45 грн
375+ 2.81 грн
1025+ 2.66 грн
3000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
YJL3401AQ YJL3401AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.97 грн
15000+ 4.48 грн
30000+ 4.26 грн
60000+ 3.72 грн
120000+ 3.37 грн
300000+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3404A YJL3404A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3404A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.42 грн
140+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 120
YJL3404A YJL3404A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3404A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
80+4.11 грн
100+ 3.36 грн
430+ 2.47 грн
1170+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 80
YJL3404AQ YJL3404AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.12 грн
15000+ 4.71 грн
30000+ 4.41 грн
60000+ 3.86 грн
120000+ 3.51 грн
300000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3407A YJL3407A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3407A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.98 грн
28+ 13.46 грн
44+ 8.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
YJL3407A YJL3407A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3407A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.78 грн
17+ 16.77 грн
34+ 8.11 грн
100+ 5.67 грн
250+ 4.53 грн
448+ 2.34 грн
1230+ 2.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
YJL3407AL YJL3407AL YANGJIE TECHNOLOGY YJL3407AL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL3407AL YJL3407AL YANGJIE TECHNOLOGY YJL3407AL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJM04N10A YJM04N10A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJM04N10A YJM04N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJM04N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJM04N10A YJM04N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJM04N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJM05N06A YJM05N06A Yangjie Technology Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.76 грн
12500+ 8 грн
25000+ 7.5 грн
50000+ 6.63 грн
100000+ 5.95 грн
250000+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJP25N15B YJP25N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJP25N15B YJP25N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJQ13N03A YJQ13N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.48 грн
15000+ 5.89 грн
30000+ 5.54 грн
60000+ 4.87 грн
120000+ 4.41 грн
300000+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJQ15GP10A YJQ15GP10A YANGJIE TECHNOLOGY YJQ15GP10A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJQ15GP10A YJQ15GP10A YANGJIE TECHNOLOGY YJQ15GP10A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJL03G10A YJL03G10A.pdf
YJL03G10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL03G10A YJL03G10A.pdf
YJL03G10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJL03N04A
YJL03N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.33 грн
15000+ 2.09 грн
30000+ 1.94 грн
60000+ 1.75 грн
120000+ 1.54 грн
300000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL03N06A YJL03N06A.pdf
YJL03N06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL03N06A YJL03N06A.pdf
YJL03N06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJL03N06AQ
YJL03N06AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.97 грн
15000+ 4.48 грн
30000+ 4.26 грн
60000+ 3.72 грн
120000+ 3.37 грн
300000+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL03N06B YJL03N06B.pdf
YJL03N06B
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.61 грн
15000+ 2.38 грн
30000+ 2.24 грн
60000+ 1.97 грн
120000+ 1.77 грн
300000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL05N04AQ
YJL05N04AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.74 грн
15000+ 3.46 грн
30000+ 3.24 грн
60000+ 2.84 грн
120000+ 2.57 грн
300000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL05N06AL
YJL05N06AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.84 грн
15000+ 5.33 грн
30000+ 4.97 грн
60000+ 4.4 грн
120000+ 3.99 грн
300000+ 3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2300A YJL2300A.pdf
YJL2300A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2300A YJL2300A.pdf
YJL2300A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2301C YJL2301C.pdf
YJL2301C
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
110+3.94 грн
170+ 2.33 грн
500+ 1.75 грн
1360+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 110
YJL2301C YJL2301C.pdf
YJL2301C
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+4.73 грн
100+ 2.91 грн
500+ 2.1 грн
1360+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 70
YJL2301CQ
YJL2301CQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.5 грн
15000+ 4.11 грн
30000+ 3.89 грн
60000+ 3.44 грн
120000+ 3.09 грн
300000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301D YJL2301D.pdf
YJL2301D
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2301D
YJL2301D
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.56 грн
15000+ 2.39 грн
30000+ 2.24 грн
60000+ 1.96 грн
120000+ 1.75 грн
300000+ 1.61 грн
600000+ 1.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301D YJL2301D.pdf
YJL2301D
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
YJL2301F YJL2301F.pdf
YJL2301F
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2301F YJL2301F.pdf
YJL2301F
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
YJL2301G
YJL2301G
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.86 грн
15000+ 1.72 грн
30000+ 1.57 грн
60000+ 1.4 грн
120000+ 1.26 грн
300000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301G YJL2301G.pdf
YJL2301G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2301G YJL2301G.pdf
YJL2301G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2301N
YJL2301N
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.71 грн
15000+ 1.57 грн
30000+ 1.42 грн
60000+ 1.26 грн
120000+ 1.12 грн
300000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2302A YJL2302A.pdf
YJL2302A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.1 грн
15000+ 1.87 грн
30000+ 1.79 грн
60000+ 1.54 грн
120000+ 1.4 грн
300000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2302A YJL2302A.pdf
YJL2302A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2302A YJL2302A.pdf
YJL2302A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2304A YJL2304A.pdf
YJL2304A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
YJL2304A YJL2304A.pdf
YJL2304A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.49 грн
100+ 2.79 грн
500+ 2.11 грн
580+ 1.81 грн
1590+ 1.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJL2305A YJL2305A.pdf
YJL2305A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2305A YJL2305A.pdf
YJL2305A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2305B YJL2305B.pdf
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2305B-YAN SMD P channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+7.73 грн
420+ 2.53 грн
1140+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 39
YJL2312A YJL2312A.pdf
YJL2312A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 27A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
YJL2312A
YJL2312A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.72 грн
15000+ 2.47 грн
30000+ 2.32 грн
60000+ 2.03 грн
120000+ 1.82 грн
300000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2312A YJL2312A.pdf
YJL2312A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 27A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2312AL
YJL2312AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.49 грн
15000+ 3.14 грн
30000+ 2.99 грн
60000+ 2.6 грн
120000+ 2.31 грн
300000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2312AQ
YJL2312AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.97 грн
15000+ 4.48 грн
30000+ 4.26 грн
60000+ 3.72 грн
120000+ 3.37 грн
300000+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3400A YJL3400A.pdf
YJL3400A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJL3400A YJL3400A.pdf
YJL3400A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.49 грн
100+ 3.57 грн
400+ 2.63 грн
1100+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJL3401A YJL3401A.pdf
YJL3401A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+3.15 грн
380+ 2.4 грн
1000+ 2.27 грн
Мінімальне замовлення: 120
YJL3401A YJL3401A.pdf
YJL3401A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+4.49 грн
100+ 3.92 грн
380+ 2.89 грн
1000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 80
YJL3401AL
YJL3401AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.88 грн
15000+ 3.51 грн
30000+ 3.36 грн
60000+ 2.95 грн
120000+ 2.67 грн
300000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3401AL YJL3401AL.pdf
YJL3401AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
YJL3401AL YJL3401AL.pdf
YJL3401AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.32 грн
100+ 3.45 грн
375+ 2.81 грн
1025+ 2.66 грн
3000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
YJL3401AQ
YJL3401AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.97 грн
15000+ 4.48 грн
30000+ 4.26 грн
60000+ 3.72 грн
120000+ 3.37 грн
300000+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3404A YJL3404A.pdf
YJL3404A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+3.42 грн
140+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 120
YJL3404A YJL3404A.pdf
YJL3404A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+4.11 грн
100+ 3.36 грн
430+ 2.47 грн
1170+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 80
YJL3404AQ
YJL3404AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.12 грн
15000+ 4.71 грн
30000+ 4.41 грн
60000+ 3.86 грн
120000+ 3.51 грн
300000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3407A YJL3407A.pdf
YJL3407A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+28.98 грн
28+ 13.46 грн
44+ 8.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
YJL3407A YJL3407A.pdf
YJL3407A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.78 грн
17+ 16.77 грн
34+ 8.11 грн
100+ 5.67 грн
250+ 4.53 грн
448+ 2.34 грн
1230+ 2.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
YJL3407AL YJL3407AL.pdf
YJL3407AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL3407AL YJL3407AL.pdf
YJL3407AL
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJM04N10A
YJM04N10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJM04N10A YJM04N10A.pdf
YJM04N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJM04N10A YJM04N10A.pdf
YJM04N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJM05N06A
YJM05N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+8.76 грн
12500+ 8 грн
25000+ 7.5 грн
50000+ 6.63 грн
100000+ 5.95 грн
250000+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJP25N15B
YJP25N15B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJP25N15B
YJP25N15B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJQ13N03A
YJQ13N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.48 грн
15000+ 5.89 грн
30000+ 5.54 грн
60000+ 4.87 грн
120000+ 4.41 грн
300000+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJQ15GP10A YJQ15GP10A.pdf
YJQ15GP10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJQ15GP10A YJQ15GP10A.pdf
YJQ15GP10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 70 71 72 73 74 75 76  [ Наступна Сторінка >> ]