Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (4545) > Сторінка 74 з 76
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
YJD15N10A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD15N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 11395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD180N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD20N06A | Yangjie Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD20N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD20N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 7205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD25N15B | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 25A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 52W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJD25N15B | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 25A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 52W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJD40N04A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD50N03A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD50N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
YJD50N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 21.6W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJD50N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 21.6W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
YJD60N02A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD60N04A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD60N04A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 35W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD60N04A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 35W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3795 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD80G06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 56A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 42.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJD80G06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 56A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 42.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJD80N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD80N03B | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJD90N06A | Yangjie Technology |
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG100N04A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG105N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG150N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG15GP10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG15N15B | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 15A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 29W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJG15N15B | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 15A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 29W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJG20N06A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG30N06A | Yangjie Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG40G10A | Yangjie Technology |
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG40G10AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG40N03A | Yangjie Technology |
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG40P03A | Yangjie Technology | Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG50N03B | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
YJG53G06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 30W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJG53G06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 30W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJG70G06A | YANGJIE TECHNOLOGY | YJG70G06A-YAN SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
YJG80G06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 38W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 6168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJG80G06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 38W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6168 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJGD20G10A | Yangjie Technology | Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJH03N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJH03N06B | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJH03N10A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJH03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 4W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJH03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 4W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJH10N02A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJJ09N03A | Yangjie Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJL02N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJL02N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJL03G10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 121A Case: SOT23 Drain-source voltage: 100V Drain current: 3A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJL03G10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 121A Case: SOT23 Drain-source voltage: 100V Drain current: 3A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJL03N04A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJL03N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJL03N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
YJL03N06AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJL03N06B | Yangjie Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJL05N04AQ | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJL05N06AL | Yangjie Technology | Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
YJL2300A | YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
YJD15N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 14.29 грн |
12500+ | 12.96 грн |
25000+ | 12.17 грн |
50000+ | 10.74 грн |
100000+ | 9.65 грн |
250000+ | 8.97 грн |
YJD15N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.04 грн |
95+ | 11.1 грн |
260+ | 10.08 грн |
2500+ | 9.65 грн |
YJD180N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 25.57 грн |
12500+ | 23.25 грн |
25000+ | 21.87 грн |
50000+ | 19.23 грн |
100000+ | 17.33 грн |
250000+ | 16.04 грн |
YJD20N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 14.06 грн |
12500+ | 12.82 грн |
25000+ | 12.02 грн |
50000+ | 10.6 грн |
100000+ | 9.51 грн |
250000+ | 8.84 грн |
YJD20N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 15.13 грн |
35+ | 11.8 грн |
100+ | 10.65 грн |
105+ | 8.11 грн |
290+ | 7.6 грн |
YJD20N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 18.16 грн |
25+ | 14.71 грн |
100+ | 12.77 грн |
105+ | 9.73 грн |
290+ | 9.12 грн |
YJD25N15B |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD25N15B |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJD40N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 10.52 грн |
12500+ | 9.57 грн |
25000+ | 9.01 грн |
50000+ | 7.93 грн |
100000+ | 7.14 грн |
250000+ | 6.62 грн |
YJD50N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 13.84 грн |
12500+ | 12.6 грн |
25000+ | 11.88 грн |
50000+ | 10.4 грн |
100000+ | 9.38 грн |
250000+ | 8.7 грн |
YJD50N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 18.5 грн |
12500+ | 16.8 грн |
25000+ | 15.86 грн |
50000+ | 13.93 грн |
100000+ | 12.57 грн |
250000+ | 11.62 грн |
YJD50N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD50N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJD60N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 12.56 грн |
12500+ | 11.44 грн |
25000+ | 10.79 грн |
50000+ | 9.45 грн |
100000+ | 8.5 грн |
250000+ | 7.88 грн |
YJD60N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 13.99 грн |
12500+ | 12.75 грн |
25000+ | 12.02 грн |
50000+ | 10.53 грн |
100000+ | 9.51 грн |
250000+ | 8.77 грн |
YJD60N04A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 12.87 грн |
100+ | 10.79 грн |
105+ | 8.33 грн |
280+ | 7.89 грн |
YJD60N04A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 15.44 грн |
100+ | 13.45 грн |
105+ | 9.99 грн |
280+ | 9.47 грн |
YJD80G06A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD80G06A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD80N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 17.6 грн |
12500+ | 16 грн |
25000+ | 15.06 грн |
50000+ | 13.25 грн |
100000+ | 11.96 грн |
250000+ | 11.08 грн |
YJD80N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 12.56 грн |
12500+ | 11.44 грн |
25000+ | 10.79 грн |
50000+ | 9.45 грн |
100000+ | 8.5 грн |
250000+ | 7.88 грн |
YJD90N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 24.52 грн |
12500+ | 22.3 грн |
25000+ | 21 грн |
50000+ | 18.49 грн |
100000+ | 16.65 грн |
250000+ | 15.43 грн |
YJG100N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 21.36 грн |
25000+ | 19.48 грн |
50000+ | 18.32 грн |
100000+ | 16.11 грн |
200000+ | 14.48 грн |
500000+ | 13.39 грн |
YJG105N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 17.7 грн |
25000+ | 16.1 грн |
50000+ | 15.15 грн |
100000+ | 13.32 грн |
200000+ | 11.98 грн |
500000+ | 11.09 грн |
YJG150N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 22.11 грн |
25000+ | 20.13 грн |
50000+ | 18.97 грн |
100000+ | 16.65 грн |
200000+ | 15.02 грн |
500000+ | 13.86 грн |
YJG15GP10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 20.53 грн |
25000+ | 18.68 грн |
50000+ | 17.6 грн |
100000+ | 15.5 грн |
200000+ | 13.93 грн |
500000+ | 12.91 грн |
YJG15N15B |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJG15N15B |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJG20N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 10.68 грн |
25000+ | 9.7 грн |
50000+ | 9.12 грн |
100000+ | 8.09 грн |
200000+ | 7.27 грн |
500000+ | 6.73 грн |
YJG30N06A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 13.84 грн |
25000+ | 12.6 грн |
50000+ | 11.88 грн |
100000+ | 10.4 грн |
200000+ | 9.38 грн |
500000+ | 8.7 грн |
YJG40G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 19.1 грн |
25000+ | 17.38 грн |
50000+ | 16.37 грн |
100000+ | 14.41 грн |
200000+ | 12.91 грн |
500000+ | 11.96 грн |
YJG40G10AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 37.75 грн |
25000+ | 34.33 грн |
50000+ | 32.3 грн |
100000+ | 28.41 грн |
200000+ | 25.55 грн |
500000+ | 23.65 грн |
YJG40N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 11.13 грн |
25000+ | 10.14 грн |
50000+ | 9.49 грн |
100000+ | 8.36 грн |
200000+ | 7.54 грн |
500000+ | 7 грн |
YJG40P03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 13.27 грн |
25000+ | 12.11 грн |
50000+ | 11.39 грн |
100000+ | 10 грн |
200000+ | 9.01 грн |
500000+ | 8.32 грн |
YJG50N03B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 12.56 грн |
25000+ | 11.44 грн |
50000+ | 10.79 грн |
100000+ | 9.45 грн |
200000+ | 8.5 грн |
500000+ | 7.88 грн |
YJG53G06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJG53G06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJG80G06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 69.02 грн |
12+ | 31.65 грн |
25+ | 28.46 грн |
40+ | 21.29 грн |
108+ | 20.13 грн |
YJG80G06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.82 грн |
7+ | 39.44 грн |
25+ | 34.15 грн |
40+ | 25.55 грн |
108+ | 24.16 грн |
YJGD20G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 35.98 грн |
25000+ | 32.76 грн |
50000+ | 30.8 грн |
100000+ | 27.07 грн |
200000+ | 24.38 грн |
500000+ | 22.61 грн |
YJH03N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 3.94 грн |
5000+ | 3.59 грн |
10000+ | 3.39 грн |
20000+ | 2.99 грн |
40000+ | 2.67 грн |
100000+ | 2.48 грн |
YJH03N06B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 3.94 грн |
5000+ | 3.59 грн |
10000+ | 3.39 грн |
20000+ | 2.99 грн |
40000+ | 2.67 грн |
100000+ | 2.48 грн |
YJH03N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 6.69 грн |
5000+ | 6.08 грн |
10000+ | 5.72 грн |
20000+ | 5.03 грн |
40000+ | 4.55 грн |
100000+ | 4.21 грн |
YJH03N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJH03N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJH10N02A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 6.69 грн |
5000+ | 6.08 грн |
10000+ | 5.72 грн |
20000+ | 5.03 грн |
40000+ | 4.55 грн |
100000+ | 4.21 грн |
YJJ09N03A |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.54 грн |
15000+ | 5.94 грн |
30000+ | 5.58 грн |
60000+ | 4.89 грн |
120000+ | 4.42 грн |
300000+ | 4.08 грн |
YJL02N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL02N10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL03G10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 121A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 121A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
YJL03G10A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 121A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 121A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJL03N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.26 грн |
15000+ | 2.03 грн |
30000+ | 1.88 грн |
60000+ | 1.7 грн |
120000+ | 1.5 грн |
300000+ | 1.43 грн |
YJL03N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL03N06A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJL03N06AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.81 грн |
15000+ | 4.35 грн |
30000+ | 4.13 грн |
60000+ | 3.6 грн |
120000+ | 3.26 грн |
300000+ | 2.99 грн |
YJL03N06B |
![]() |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.53 грн |
15000+ | 2.3 грн |
30000+ | 2.17 грн |
60000+ | 1.91 грн |
120000+ | 1.72 грн |
300000+ | 1.59 грн |
YJL05N04AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.63 грн |
15000+ | 3.35 грн |
30000+ | 3.14 грн |
60000+ | 2.75 грн |
120000+ | 2.49 грн |
300000+ | 2.29 грн |
YJL05N06AL |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.66 грн |
15000+ | 5.17 грн |
30000+ | 4.82 грн |
60000+ | 4.26 грн |
120000+ | 3.87 грн |
300000+ | 3.54 грн |
YJL2300A |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
120+ | 3.48 грн |
180+ | 2.08 грн |
500+ | 1.85 грн |
550+ | 1.51 грн |
1520+ | 1.43 грн |