![YJS2301A YJS2301A](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3C/57/00/00/0/30147_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=18bc5b8a0146c71151c402f759cab5bfed5dd580)
YJS2301A YANGJIE TECHNOLOGY
![YJS2301A.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
90+ | 4.77 грн |
100+ | 3.96 грн |
270+ | 3.2 грн |
730+ | 3.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJS2301A YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A, Type of transistor: P-MOSFET x2, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -3A, Pulsed drain current: -16A, Power dissipation: 1.3W, Case: SOT23-6, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 95mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 10 шт.
Інші пропозиції YJS2301A за ціною від 3.13 грн до 5.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
YJS2301A | Виробник : Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
YJS2301A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|