Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (4089) > Сторінка 69 з 69
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
YJS4953A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -5.1A Transistors |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS7328A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS8205A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L N 20V 5.5A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS8205B | Yangjie Technology | Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS9435A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS9435A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 6650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJSD12N03A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJSD12N03A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
ZMM55C3V3 | Yangjie Technology | Стабілітрон SMD; Uz, В = 3,3; Точн., % = 5; Тексп, °C = до 175; SOD-80 |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
YJS4953A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -5.1A Transistors
Description: SOP-8 P -30V -5.1A Transistors
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 7.26 грн |
20000+ | 6.56 грн |
40000+ | 6.2 грн |
80000+ | 5.42 грн |
160000+ | 4.88 грн |
400000+ | 4.55 грн |
YJS7328A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 12.64 грн |
20000+ | 11.48 грн |
40000+ | 10.79 грн |
80000+ | 9.48 грн |
160000+ | 8.57 грн |
400000+ | 7.92 грн |
YJS8205A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 20V 5.5A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L N 20V 5.5A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.3 грн |
15000+ | 3.92 грн |
30000+ | 3.7 грн |
60000+ | 3.19 грн |
120000+ | 2.91 грн |
300000+ | 2.71 грн |
YJS8205B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors
Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.7 грн |
15000+ | 4.26 грн |
30000+ | 3.99 грн |
60000+ | 3.55 грн |
120000+ | 3.17 грн |
300000+ | 2.92 грн |
YJS9435A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 6.06 грн |
20000+ | 5.54 грн |
40000+ | 5.25 грн |
80000+ | 4.58 грн |
160000+ | 4.16 грн |
400000+ | 3.82 грн |
YJS9435A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 11.31 грн |
60+ | 6.59 грн |
100+ | 4.96 грн |
215+ | 4.04 грн |
585+ | 3.83 грн |
YJSD12N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 11.55 грн |
20000+ | 10.48 грн |
40000+ | 9.91 грн |
80000+ | 8.7 грн |
160000+ | 7.83 грн |
400000+ | 7.23 грн |
YJSD12N03A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 16.24 грн |
30+ | 12.57 грн |
ZMM55C3V3 |
Виробник: Yangjie Technology
Стабілітрон SMD; Uz, В = 3,3; Точн., % = 5; Тексп, °C = до 175; SOD-80
Стабілітрон SMD; Uz, В = 3,3; Точн., % = 5; Тексп, °C = до 175; SOD-80
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
534+ | 1.17 грн |
589+ | 1.06 грн |
667+ | 0.94 грн |