![YJQ35N04A YJQ35N04A](https://media.digikey.com/Photos/4617-Yangzhou-Yangjie/MFG_DFN(3.3x3.3).jpg)
YJQ35N04A Yangjie Technology
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 13.38 грн |
25000+ | 12.18 грн |
50000+ | 11.48 грн |
100000+ | 10.05 грн |
200000+ | 9.07 грн |
500000+ | 8.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJQ35N04A Yangjie Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 23A, Pulsed drain current: 120A, Power dissipation: 40W, Case: DFN3.3x3.3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 10mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 29nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції YJQ35N04A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
YJQ35N04A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 23A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 40W Case: DFN3.3x3.3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
YJQ35N04A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 23A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 40W Case: DFN3.3x3.3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |