Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (164772) > Сторінка 1122 з 2747
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STD17NF25 | STMicroelectronics | STD17NF25 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD1802T4 | STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 100...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 976 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD18N55M5 | STMicroelectronics | STD18N55M5 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD18N60M6 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2331 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD18N65M5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2146 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD1HN60K3 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.76A; 27W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.76A On-state resistance: 8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 27W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD1NK60-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.63A Power dissipation: 30W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD1NK60T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1A Power dissipation: 30W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD1NK80ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 45W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD20NF06LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD20NF06T4 | STMicroelectronics | STD20NF06T4 SMD N channel transistors |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD20NF20 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD25NF10LA | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD25NF10LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 100W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD25NF10T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD25NF20 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD26P3LLH6 | STMicroelectronics | STD26P3LLH6 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD2HNK60Z | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD2LN60K3 | STMicroelectronics | STD2LN60K3 SMD N channel transistors |
на замовлення 555 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD2N105K5 | STMicroelectronics | STD2N105K5 SMD N channel transistors |
на замовлення 2748 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD2N62K3 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Drain current: 1A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD2N80K5 | STMicroelectronics | STD2N80K5 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD2N95K5 | STMicroelectronics | STD2N95K5 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD2NK100Z | STMicroelectronics | STD2NK100Z SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD2NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.3A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 104 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD35NF06LT4 | STMicroelectronics | STD35NF06LT4 SMD N channel transistors |
на замовлення 1451 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD35NF06T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24.5A; 80W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24.5A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD35P6LLF6 | STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; 70W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -25A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 937 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD3LN80K5 | STMicroelectronics | STD3LN80K5 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD3N62K3 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Drain current: 2.7A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD3N95K5AG | STMicroelectronics | STD3N95K5AG SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD3NK100Z | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.5A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD3NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.45A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.45A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD3NK60Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD3NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD3NK80Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD3NK80ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1956 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD3NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3A Power dissipation: 12W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8760 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD45NF75T4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 30A; Idm: 160A; 100W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD46P4LLF6 | STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32.5A; 70W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -32.5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4377 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD4N52K3 | STMicroelectronics | STD4N52K3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD4N62K3 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Drain current: 2A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD4N80K5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.7A; Idm: 12A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.7A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD4N90K5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD4NK100Z | STMicroelectronics | STD4NK100Z SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD4NK50Z-1 | STMicroelectronics | STD4NK50Z-1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD4NK60Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 70W Case: IPAK On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD4NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2504 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD4NK80ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2732 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD5N52K3 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 525V Drain current: 2.77A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STD5N52U | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD5N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD5N62K3 | STMicroelectronics | STD5N62K3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD5N80K5 | STMicroelectronics | STD5N80K5 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD5N95K3 | STMicroelectronics | STD5N95K3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD5N95K5 | STMicroelectronics | STD5N95K5 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD5NK40Z-1 | STMicroelectronics | STD5NK40Z-1 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD5NK40ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; 45W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.9A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STD5NK50ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.7A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
STD1802T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 100...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 100...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.95 грн |
25+ | 51.59 грн |
28+ | 38.15 грн |
75+ | 35.49 грн |
STD18N55M5 |
Виробник: STMicroelectronics
STD18N55M5 SMD N channel transistors
STD18N55M5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
STD18N60M6 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.08 грн |
5+ | 165.83 грн |
9+ | 121.54 грн |
24+ | 115.33 грн |
STD18N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 254.13 грн |
3+ | 232.16 грн |
6+ | 183.64 грн |
16+ | 172.99 грн |
250+ | 168.56 грн |
500+ | 166.78 грн |
STD1HN60K3 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.76A; 27W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.76A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.76A; 27W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.76A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 143.31 грн |
5+ | 55.28 грн |
25+ | 23.24 грн |
51+ | 20.49 грн |
140+ | 19.34 грн |
STD1NK60-1 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.63A; 30W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 30W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 33.44 грн |
10+ | 29.11 грн |
49+ | 21.47 грн |
133+ | 20.32 грн |
STD1NK60T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1A; 30W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 55.41 грн |
45+ | 24.14 грн |
50+ | 23.15 грн |
123+ | 21.91 грн |
STD1NK80ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD20NF06LT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.56 грн |
10+ | 93.97 грн |
17+ | 61.21 грн |
47+ | 58.55 грн |
500+ | 57.66 грн |
1000+ | 55.89 грн |
STD20NF06T4 |
Виробник: STMicroelectronics
STD20NF06T4 SMD N channel transistors
STD20NF06T4 SMD N channel transistors
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 88.37 грн |
23+ | 45.16 грн |
64+ | 42.67 грн |
1000+ | 42.65 грн |
STD20NF20 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD25NF10LA |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 150.95 грн |
5+ | 126.21 грн |
10+ | 105.57 грн |
27+ | 100.25 грн |
500+ | 96.7 грн |
STD25NF10LT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD25NF10T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD25NF20 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD26P3LLH6 |
Виробник: STMicroelectronics
STD26P3LLH6 SMD P channel transistors
STD26P3LLH6 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
STD2HNK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD2LN60K3 |
Виробник: STMicroelectronics
STD2LN60K3 SMD N channel transistors
STD2LN60K3 SMD N channel transistors
на замовлення 555 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 72.61 грн |
38+ | 27.81 грн |
103+ | 26.29 грн |
2500+ | 26.26 грн |
STD2N105K5 |
Виробник: STMicroelectronics
STD2N105K5 SMD N channel transistors
STD2N105K5 SMD N channel transistors
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 160.5 грн |
10+ | 106.46 грн |
27+ | 100.25 грн |
STD2N62K3 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 1A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 1A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD2NK100Z |
Виробник: STMicroelectronics
STD2NK100Z SMD N channel transistors
STD2NK100Z SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 74.9 грн |
31+ | 34.42 грн |
83+ | 32.56 грн |
STD2NK90ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.3A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 81.21 грн |
10+ | 67.44 грн |
26+ | 40.54 грн |
71+ | 38.32 грн |
STD30NF06LT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 119.42 грн |
10+ | 96.73 грн |
14+ | 76.29 грн |
38+ | 71.86 грн |
250+ | 70.08 грн |
STD35NF06LT4 |
Виробник: STMicroelectronics
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors
STD35NF06LT4 SMD N channel transistors
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 108.91 грн |
15+ | 72.75 грн |
40+ | 69.2 грн |
STD35NF06T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24.5A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24.5A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24.5A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24.5A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD35P6LLF6 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; 70W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; 70W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.87 грн |
5+ | 96.73 грн |
14+ | 74.52 грн |
39+ | 70.08 грн |
500+ | 69.2 грн |
STD3LN80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
STD3LN80K5 SMD N channel transistors
STD3LN80K5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
STD3N62K3 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.01 грн |
10+ | 51.22 грн |
25+ | 44.09 грн |
42+ | 24.66 грн |
116+ | 23.33 грн |
STD3N95K5AG |
Виробник: STMicroelectronics
STD3N95K5AG SMD N channel transistors
STD3N95K5AG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
STD3NK100Z |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.5A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.5A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD3NK50ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.45A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.45A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.45A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.45A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
STD3NK60Z-1 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD3NK60ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
STD3NK80Z-1 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 161.46 грн |
10+ | 45.23 грн |
33+ | 31.58 грн |
90+ | 29.9 грн |
STD3NK80ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.87 грн |
5+ | 60.43 грн |
25+ | 49.68 грн |
27+ | 39.12 грн |
73+ | 36.99 грн |
500+ | 36.28 грн |
STD3NK90ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 12W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 12W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 12W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 159.55 грн |
10+ | 67.25 грн |
30+ | 35.49 грн |
81+ | 33.53 грн |
STD45NF75T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 30A; Idm: 160A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 30A; Idm: 160A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
STD46P4LLF6 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32.5A; 70W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -32.5A; 70W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -32.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 102.26 грн |
10+ | 93.15 грн |
15+ | 70.08 грн |
41+ | 65.65 грн |
1000+ | 62.99 грн |
STD4N62K3 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD4N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.7A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.7A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
STD4N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD4NK100Z |
Виробник: STMicroelectronics
STD4NK100Z SMD N channel transistors
STD4NK100Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
STD4NK50Z-1 |
Виробник: STMicroelectronics
STD4NK50Z-1 THT N channel transistors
STD4NK50Z-1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
STD4NK60Z-1 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.06 грн |
9+ | 33.17 грн |
10+ | 28.65 грн |
43+ | 24.4 грн |
117+ | 23.07 грн |
STD4NK60ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.79 грн |
6+ | 51.96 грн |
25+ | 39.12 грн |
32+ | 32.82 грн |
87+ | 31.05 грн |
500+ | 29.99 грн |
STD4NK80ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 94.58 грн |
10+ | 78.22 грн |
25+ | 42.66 грн |
67+ | 40.34 грн |
STD5N52K3 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2.77A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2.77A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 45.57 грн |
25+ | 39.71 грн |
35+ | 29.67 грн |
96+ | 28.06 грн |
STD5N52U |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD5N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
STD5NK40Z-1 |
Виробник: STMicroelectronics
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors
STD5NK40Z-1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
STD5NK40ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; 45W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
STD5NK50ZT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності