STD4NK60ZT4 STMicroelectronics
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 17.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD4NK60ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STD4NK60ZT4 за ціною від 22.88 грн до 112.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 3083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 Код товару: 72559 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2504 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 2224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : ST |
N-Channel Power Mosfet smd 4A 600V RDS=2,0 STD4NK60ZT4 D-PAK TSTD4NK60zt4 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics NV | N-Ch 600B 4A DPak |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
STD4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |