STD5N95K3 STMicroelectronics
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 46.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD5N95K3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STD5N95K3 за ціною від 80.04 грн до 239.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "STD5N95K3") |
STD5N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 950V 4A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD5N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET 950 VDSS <3.5 RDS 4A ID 90W Pw |
на замовлення 7300 шт: термін постачання 705-714 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD5N95K3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD5N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| STD5N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 950V; 3A; Idm: 16A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 3A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
STD5N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 950V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STD5N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 950V; 3A; Idm: 16A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 3A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |