STD20NF06LT4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 42.1 грн |
5000+ | 38.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD20NF06LT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STD20NF06LT4 за ціною від 26.72 грн до 117.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STD20NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD20NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD20NF06LT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 75673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD20NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD20NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD20NF06LT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD20NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 75673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD20NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
на замовлення 10074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD20NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 60V 0.032 Ohm 24A STripFET II |
на замовлення 16203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD20NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD20NF06LT4 | Виробник : ST |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R STD20NF06LT4 TSTD20NF06L кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD20NF06L-T4 |
на замовлення 58700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
STD20NF06LT4 Код товару: 61507 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 24 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 660/13 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
STD20NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STD20NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STD20NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |