STD1HN60K3 STMicroelectronics
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 15.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD1HN60K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V, Power Dissipation (Max): 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STD1HN60K3 за ціною від 19.34 грн до 199.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD1HN60K3 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD1HN60K3 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET |
на замовлення 1547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD1HN60K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.76A; 27W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.76A On-state resistance: 8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 27W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD1HN60K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.76A; 27W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.76A On-state resistance: 8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 27W Polarisation: unipolar |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD1HN60K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |