на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1492.02 грн |
| 25+ | 1298.73 грн |
| 100+ | 979.08 грн |
| 250+ | 829.54 грн |
| 500+ | 772.4 грн |
| 4000+ | 748.42 грн |
| 10000+ | 694.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4SC075018L8S Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 53A TOLL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V, Power Dissipation (Max): 349W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: TOLL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V.
Інші пропозиції UJ4SC075018L8S за ціною від 918.16 грн до 1471.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UJ4SC075018L8S | Виробник : Qorvo |
Description: SICFET N-CH 750V 53A TOLL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V |
на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| UJ4SC075018L8S | Виробник : Qorvo |
Description: SICFET N-CH 750V 53A TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V |
товар відсутній |