Продукція > UNITEDSIC > UJ4SC075011B7S
UJ4SC075011B7S

UJ4SC075011B7S UnitedSiC

DS_UJ4SC075011B7S.pdf Виробник: UnitedSiC
Description: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2179.03 грн
10+ 1935.42 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4SC075011B7S UnitedSiC

Description: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V.

Інші пропозиції UJ4SC075011B7S за ціною від 1360.03 грн до 2724.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S Виробник : QORVO 3971385.pdf Description: QORVO - UJ4SC075011B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2263.67 грн
5+ 2130.42 грн
10+ 1997.17 грн
50+ 1731.52 грн
100+ 1484.11 грн
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UJ4SC075011B7S_Data_Sheet-3177205.pdf JFET
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2655.16 грн
25+ 2413.54 грн
250+ 1792.29 грн
800+ 1791.58 грн
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S Виробник : Qorvo UJ4SC075011B7S_Data_Sheet-3177205.pdf MOSFET 750V/11mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2724.04 грн
25+ 2369.09 грн
100+ 1785.26 грн
250+ 1511.14 грн
500+ 1431.02 грн
2400+ 1402.9 грн
4800+ 1360.03 грн
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S Виробник : UnitedSiC DS_UJ4SC075011B7S.pdf Description: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товар відсутній