Продукція > QORVO > UJ4C075060K3S
UJ4C075060K3S

UJ4C075060K3S Qorvo


da008714 Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 14280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+474.61 грн
30+ 364.75 грн
120+ 337.97 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UJ4C075060K3S Qorvo

Description: QORVO - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 155W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції UJ4C075060K3S за ціною від 355.52 грн до 855.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S Виробник : Qorvo UJ4C075060K3S_Data_Sheet-3177218.pdf JFET 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 4426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+712.68 грн
25+ 619.76 грн
100+ 466.97 грн
250+ 395.72 грн
600+ 374.56 грн
3000+ 367.51 грн
5400+ 355.52 грн
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S Виробник : QORVO da008714 Description: QORVO - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+735.91 грн
5+ 670.23 грн
10+ 604.56 грн
50+ 523.9 грн
100+ 449.01 грн
250+ 380.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S Виробник : Qorvo / UnitedSiC UJ4C075060K3S_Data_Sheet-3177218.pdf JFET 750V/60mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+855.87 грн
10+ 763.34 грн
120+ 548.79 грн
510+ 477.55 грн
1020+ 448.63 грн
2520+ 440.16 грн