UJ4C075018K4S QORVO
Виробник: QORVODescription: QORVO - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1297.57 грн |
| 5+ | 1212.84 грн |
| 10+ | 1128.11 грн |
| 50+ | 1006.32 грн |
| 100+ | 891.56 грн |
| 250+ | 853.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UJ4C075018K4S QORVO
Description: QORVO - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UJ4C075018K4S за ціною від 827.07 грн до 1709.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UJ4C075018K4S | Виробник : Qorvo |
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 385W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ4C075018K4S | Виробник : Qorvo |
MOSFET 750V/18mOhms,SICFET,G4,TO247-4 |
на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UJ4C075018K4S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
JFET 750V/18mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|