Продукція > QORVO > UF3C065030B3
UF3C065030B3

UF3C065030B3 Qorvo

DS_UF3C065030B3.pdf Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+781.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UF3C065030B3 Qorvo

Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 242W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції UF3C065030B3 за ціною від 728.08 грн до 1442.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : QORVO DS_UF3C065030B3.pdf Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+1101.88 грн
50+ 953.68 грн
100+ 815.49 грн
250+ 767.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : Qorvo DS_UF3C065030B3.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1166.93 грн
25+ 976.86 грн
100+ 843.05 грн
250+ 728.08 грн
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : QORVO DS_UF3C065030B3.pdf Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1268.27 грн
5+ 1185.47 грн
10+ 1101.88 грн
50+ 953.68 грн
100+ 815.49 грн
250+ 767.04 грн
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Виробник : Qorvo UF3C065030B3_Data_Sheet-3177144.pdf SiC MOSFETs 650V/30mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1442.38 грн
25+ 1412.79 грн
100+ 1063.15 грн
250+ 1026.25 грн
500+ 1018.44 грн
800+ 931.85 грн
2400+ 928.31 грн
UF3C065030B3
Код товару: 198848 		DS_UF3C065030B3.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності