UF3C065030K3S Qorvo
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 962.54 грн |
| 30+ | 777.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C065030K3S Qorvo
Description: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3C065030K3S за ціною від 839.68 грн до 4314.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C065030K3S | Виробник : QORVO |
 Description: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3C065030K3S | Виробник : Qorvo |
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UF3C065030K3S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3C065030K3S | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A Drain-source voltage: 650V Drain current: 62A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Power dissipation: 441W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 51nC Technology: SiC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 230A Mounting: THT Case: TO247-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
UF3C065030K3S | Виробник : Qorvo (UnitedSiC) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A Drain-source voltage: 650V Drain current: 62A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Power dissipation: 441W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 51nC Technology: SiC Kind of transistor: cascode Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 230A Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|