Фото | Назва | Виробник | Інформація |
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Ціна без ПДВ |
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NTJD4001NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 272mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDC6331L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6331L - Integrierter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 8V, 2.8A, SSOT-6 Durchlasswiderstand: 0.034ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Nein hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Strombegrenzung: 2.8A IC-Gehäuse / Bauform: SSOT MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 8V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 63719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDC6331L. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6331L. - INTEGRATED LOAD SWITCH, 8V, SSOT-6, FULL REEL Durchlasswiderstand: 0.055 Überhitzungsschutz: Yes Strombegrenzung: 2.8 Betriebstemperatur, min.: -55 Polarität der Eingänge On / Enable: Active High Leistungsschaltertyp: High Side Eingangsspannung: 8 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOT Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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BCP55 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP55 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NUD3160LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 200mA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 60V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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BDX53BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX53BG - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7SZ66P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s) Bauform - Analogschalter: SC-70 Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V Analogschalter: SPST - NO MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Durchlasswiderstand, max.: 60 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NC7SZ66P5X.* | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X.* - IC, ANALOG SWITCH, SINGLE, SPST, SC-70-5 Bauform - Analogschalter: SC-70 Versorgungsspannung: 1.65V to 5.5V Analogschalter: SPST-NO MSL: MSL 1 - Unlimited Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Durchlasswiderstand, max.: 60 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NC7SZ66P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s) Bauform - Analogschalter: SC-70 Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V Analogschalter: SPST - NO MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Durchlasswiderstand, max.: 60 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 80 Pin(s) Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm MSL: MSL 4 - 72 Stunden Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: -30 Versorgungsspannung, min.: 2.5 Bauform - Sensor: IBGA Anzahl der Pins: 80 Produktpalette: - Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088 Bildrate, Bilder pro Sek.: 60 Versorgungsspannung, max.: 3.1 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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AR0221SR2C00SUEA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP MSL: MSL 4 - 72 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0239SRSC00SUEA0-DP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DP - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0237CSSC00SPRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SPRA0-DR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0237CSSC00SHRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SHRA0-DR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0221SR2C00SUEA0-DPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0239SRSC00SUEA0-DPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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AR0239SRSC00SUEA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0237IRSH12SPRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0238CSSC12SPRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0230CSSC00SUEA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0237ATSC12XUEA0-DPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DPBR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0238CSSC12SHRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0238CSSC12SPRA0-DR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR1 - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0237ATSC12XUEA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 3 - 168 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NCP4354ADR2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4354ADR2G. - SECONDARY SIDE SMPS OFF M 55AC2832 tariffCode: 85415000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSB1151YS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB1151YS - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCP4371AACDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8 IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss MSL: MSL 1 - unbegrenzt IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.2 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCP4371 Versorgungsspannung, max.: 28 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP4371AACDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8 IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss MSL: MSL 1 - unbegrenzt IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.2 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCP4371 Versorgungsspannung, max.: 28 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQA36P15 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 36 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 294 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FQP27P06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 120W Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR Rds(on)-Prüfspannung: 10V hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD4243 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 35086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD4243 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 35086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSL538HFLYGEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSL538HFLYGEVB - EVAL.BOARD, OFFLINE-REGLER Prozessorkern: FSL538HPG Kit-Anwendungsbereich: Power-Management Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FSL538HPG Unterart Anwendung: Industrielle Netzteile, Haushaltsgeräte Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC5566-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC5566-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC5569-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC5569-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP32AG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP32G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP32G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP31BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP31BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP31G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP31G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 10 Verlustleistung Pd: 40 Übergangsfrequenz ft: 3 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 3 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TL431BCDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431BCDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Referenzspannung, max.: 36V IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: 0°C Temperaturkoeffizient: 50ppm/C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 70°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.4% SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TL431BVDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Referenzspannung, max.: 36V IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: 50ppm/C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TL431B productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.4% SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TL431BVDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Referenzspannung, max.: 36V IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: 50ppm/C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TL431B productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.4% SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SB10-05P-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s) Bauform - Diode: SOT-89 Durchlassstoßstrom: 10 Durchlassspannung Vf max.: 550 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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SB10-05P-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s) Bauform - Diode: SOT-89 Durchlassstoßstrom: 10 Durchlassspannung Vf max.: 550 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NTR4101PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 730mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 17711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTR4101PT1H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTR4101PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 730mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 17711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDPF39N20 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDPF39N20TLDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF39N20TLDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 39 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 37 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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BC849BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC849CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC849CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LV5686PVC-XH | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV5686PVC-XH - Power-Management-IC, 16V Versorgungsspannung, 3 LDO-Regler, 9 geregelte Ausgänge, SIP-15 tariffCode: 85423990 Versorgungsspannung: 16V rohsCompliant: YES Anzahl der geregelten Ausgänge: 9 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform - digitaler IC: SIP usEccn: EAR99 Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: - Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der LDO-Regler: 3 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF01S2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Durchlassspannung, max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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DF01S. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF01S. - DIODE, FULL REEL Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Durchlassspannung, max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: DIP Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount Anzahl der Phasen: Single Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100 SVHC: Lead |
товар відсутній |
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DF01S2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Durchlassspannung, max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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NTGD4167CT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTJD4001NT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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27+ | 29.94 грн |
34+ | 23.22 грн |
100+ | 11.73 грн |
500+ | 10.67 грн |
FDC6331L |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6331L - Integrierter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 8V, 2.8A, SSOT-6
Durchlasswiderstand: 0.034ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 2.8A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 8V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDC6331L - Integrierter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 8V, 2.8A, SSOT-6
Durchlasswiderstand: 0.034ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 2.8A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 8V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 63719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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12+ | 66.14 грн |
16+ | 51.13 грн |
100+ | 31.82 грн |
500+ | 27.01 грн |
FDC6331L. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6331L. - INTEGRATED LOAD SWITCH, 8V, SSOT-6, FULL REEL
Durchlasswiderstand: 0.055
Überhitzungsschutz: Yes
Strombegrenzung: 2.8
Betriebstemperatur, min.: -55
Polarität der Eingänge On / Enable: Active High
Leistungsschaltertyp: High Side
Eingangsspannung: 8
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOT
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDC6331L. - INTEGRATED LOAD SWITCH, 8V, SSOT-6, FULL REEL
Durchlasswiderstand: 0.055
Überhitzungsschutz: Yes
Strombegrenzung: 2.8
Betriebstemperatur, min.: -55
Polarität der Eingänge On / Enable: Active High
Leistungsschaltertyp: High Side
Eingangsspannung: 8
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOT
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BCP55 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP55 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BCP55 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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20+ | 40.73 грн |
25+ | 31.98 грн |
100+ | 21.73 грн |
500+ | 16.19 грн |
NUD3160LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товар відсутній
BDX53BG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX53BG - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BDX53BG - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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11+ | 74.82 грн |
14+ | 59.89 грн |
100+ | 45.73 грн |
500+ | 36.73 грн |
NC7SZ66P5X |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NC7SZ66P5X.* |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X.* - IC, ANALOG SWITCH, SINGLE, SPST, SC-70-5
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V to 5.5V
Analogschalter: SPST-NO
MSL: MSL 1 - Unlimited
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X.* - IC, ANALOG SWITCH, SINGLE, SPST, SC-70-5
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V to 5.5V
Analogschalter: SPST-NO
MSL: MSL 1 - Unlimited
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NC7SZ66P5X |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 80 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Bauform - Sensor: IBGA
Anzahl der Pins: 80
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 80 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Bauform - Sensor: IBGA
Anzahl der Pins: 80
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товар відсутній
AR0221SR2C00SUEA0-DRBR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0239SRSC00SUEA0-DP |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DP - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DP - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0237CSSC00SPRA0-DR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0237CSSC00SHRA0-DR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0221SR2C00SUEA0-DPBR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0239SRSC00SUEA0-DPBR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
AR0239SRSC00SUEA0-DR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0237IRSH12SPRA0-DR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0238CSSC12SPRA0-DR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0230CSSC00SUEA0-DRBR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0237ATSC12XUEA0-DPBR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0238CSSC12SHRA0-DR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0238CSSC12SPRA0-DR1 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0237ATSC12XUEA0-DRBR |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP4354ADR2G. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4354ADR2G. - SECONDARY SIDE SMPS OFF M 55AC2832
tariffCode: 85415000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NCP4354ADR2G. - SECONDARY SIDE SMPS OFF M 55AC2832
tariffCode: 85415000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 28.93 грн |
KSB1151YS |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB1151YS - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - KSB1151YS - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP4371AACDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
56+ | 14.07 грн |
NCP4371AACDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 14.07 грн |
FQA36P15 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 294
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 294
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQP27P06 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 120W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 120W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 175.9 грн |
10+ | 134.47 грн |
100+ | 97.72 грн |
500+ | 82.76 грн |
FDD4243 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 35086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 77.08 грн |
13+ | 62.86 грн |
100+ | 40.42 грн |
500+ | 32.3 грн |
FDD4243 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 35086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 40.42 грн |
500+ | 32.3 грн |
FSL538HFLYGEVB |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSL538HFLYGEVB - EVAL.BOARD, OFFLINE-REGLER
Prozessorkern: FSL538HPG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FSL538HPG
Unterart Anwendung: Industrielle Netzteile, Haushaltsgeräte
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: ONSEMI - FSL538HFLYGEVB - EVAL.BOARD, OFFLINE-REGLER
Prozessorkern: FSL538HPG
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FSL538HPG
Unterart Anwendung: Industrielle Netzteile, Haushaltsgeräte
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2929.38 грн |
2SC5566-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 34.32 грн |
27+ | 29.16 грн |
100+ | 20.01 грн |
500+ | 15.61 грн |
2SC5566-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 20.01 грн |
500+ | 15.61 грн |
2SC5569-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 43.47 грн |
22+ | 36.12 грн |
100+ | 24.7 грн |
500+ | 20.62 грн |
2SC5569-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 24.7 грн |
500+ | 20.62 грн |
TIP32AG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TIP32AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 78.18 грн |
13+ | 62.31 грн |
100+ | 41.51 грн |
500+ | 32.23 грн |
1000+ | 22.45 грн |
TIP32G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP32G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TIP32G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 76.69 грн |
14+ | 57.15 грн |
100+ | 38.78 грн |
500+ | 30.71 грн |
1000+ | 22.11 грн |
TIP31BG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP31BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TIP31BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 70.05 грн |
15+ | 55.51 грн |
100+ | 36.82 грн |
500+ | 28.6 грн |
TIP31G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP31G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - TIP31G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TL431BCDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BCDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TL431BCDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 46.83 грн |
22+ | 36.12 грн |
100+ | 20.87 грн |
500+ | 15.39 грн |
TL431BVDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 47.61 грн |
22+ | 36.9 грн |
100+ | 20.8 грн |
500+ | 13.65 грн |
TL431BVDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TL431BVDR2G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431B, 2.495V bis 36V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TL431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 20.8 грн |
500+ | 13.65 грн |
SB10-05P-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
SB10-05P-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SB10-05P-TD-E - Schottky-Gleichrichterdiode, Einfach, SOT-89, 3 Pin(s)
Bauform - Diode: SOT-89
Durchlassstoßstrom: 10
Durchlassspannung Vf max.: 550
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 50
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTR4101PT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 730mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 730mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 33.77 грн |
32+ | 24.47 грн |
100+ | 13.76 грн |
500+ | 9.29 грн |
1000+ | 6.55 грн |
NTR4101PT1H |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 43.55 грн |
25+ | 32.21 грн |
100+ | 16.57 грн |
500+ | 15.1 грн |
NTR4101PT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 730mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 730mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 13.76 грн |
500+ | 9.29 грн |
1000+ | 6.55 грн |
FDPF39N20 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDPF39N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 171.99 грн |
10+ | 123.52 грн |
100+ | 94.6 грн |
500+ | 78.4 грн |
1000+ | 62.39 грн |
FDPF39N20TLDTU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF39N20TLDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 37
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDPF39N20TLDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39 A, 0.056 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 39
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 37
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
BC849BLT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
44+ | 17.98 грн |
71+ | 11.1 грн |
159+ | 4.92 грн |
500+ | 4.47 грн |
BC849CLT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.46 грн |
BC849CLT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
85+ | 9.23 грн |
122+ | 6.43 грн |
290+ | 2.71 грн |
500+ | 2.46 грн |
LV5686PVC-XH |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV5686PVC-XH - Power-Management-IC, 16V Versorgungsspannung, 3 LDO-Regler, 9 geregelte Ausgänge, SIP-15
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 16V
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - digitaler IC: SIP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - LV5686PVC-XH - Power-Management-IC, 16V Versorgungsspannung, 3 LDO-Regler, 9 geregelte Ausgänge, SIP-15
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: 16V
rohsCompliant: YES
Anzahl der geregelten Ausgänge: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - digitaler IC: SIP
usEccn: EAR99
Anzahl der DC/DC-Abwärtswandler: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der LDO-Regler: 3
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 89.12 грн |
DF01S2 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
DF01S. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: DIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - DF01S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: DIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead
товар відсутній
DF01S2 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - DF01S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 100 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NTGD4167CT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTGD4167CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 53.24 грн |
18+ | 44.09 грн |
100+ | 29.63 грн |
500+ | 16.84 грн |
3000+ | 13.13 грн |