Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC849CLT1G
BC849CLT1G

BC849CLT1G ON Semiconductor

bc846alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC849CLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC849CLT1G за ціною від 0.52 грн до 7.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ONSEMI 1841985.pdf Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.51 грн
1500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.54 грн
6000+1.31 грн
9000+1.22 грн
15000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 34300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
397+1.58 грн
809+0.77 грн
1195+0.52 грн
Мінімальне замовлення: 397
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6977+1.81 грн
9317+1.35 грн
27000+1.24 грн
51000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 6977
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+3.56 грн
286+2.71 грн
435+1.78 грн
500+1.51 грн
1500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 218
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+4.29 грн
297+2.11 грн
584+1.07 грн
1000+0.95 грн
3000+0.61 грн
Мінімальне замовлення: 146
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 61336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+4.47 грн
141+4.44 грн
142+4.27 грн
250+3.94 грн
500+3.77 грн
1000+3.76 грн
3000+3.75 грн
6000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 140
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 61336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2660+4.74 грн
2670+4.73 грн
3000+4.71 грн
6000+4.53 грн
15000+4.18 грн
30000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 2660
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
59+6.62 грн
81+4.46 грн
125+2.87 грн
158+2.29 грн
242+1.49 грн
500+1.29 грн
866+0.98 грн
2381+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 59
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 19179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.46 грн
61+4.74 грн
100+2.89 грн
500+1.95 грн
1000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 40
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : onsemi BC846ALT1_D-1387679.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
на замовлення 38554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
43+7.65 грн
86+3.73 грн
167+1.66 грн
1000+1.52 грн
3000+1.03 грн
9000+0.83 грн
45000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 43
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1137000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+7.65 грн
167+3.75 грн
328+1.91 грн
1000+1.69 грн
3000+1.06 грн
9000+0.80 грн
45000+0.58 грн
99000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 82
BC849CLT1G
Код товару: 181271 		bc846alt1-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
36+7.94 грн
49+5.55 грн
75+3.45 грн
95+2.74 грн
145+1.79 грн
500+1.55 грн
866+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 36
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 30; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 420 @ 2 мА, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
на замовлення 4156 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
889+0.70 грн
953+0.66 грн
1026+0.61 грн
Мінімальне замовлення: 889
BC849CLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BC849CLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
BC849CLT1G BC849CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності