Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (139540) > Сторінка 1750 з 2326

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1856 2088 2320 2326  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
NRVB120VLSFT1G NRVB120VLSFT1G ONSEMI 2028665.pdf Description: ONSEMI - NRVB120VLSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 340 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 45A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 340mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
BAS70-04LT1G BAS70-04LT1G ONSEMI 2236823.pdf Description: ONSEMI - BAS70-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.73 грн
79+ 10.01 грн
174+ 4.51 грн
500+ 4.1 грн
Мінімальне замовлення: 47
BD137G BD137G ONSEMI ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.23 грн
16+ 51.6 грн
100+ 34.16 грн
500+ 23.88 грн
1000+ 18.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
BD138G BD138G ONSEMI ONSM-S-A0013215037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.99 грн
13+ 63.33 грн
100+ 40.34 грн
500+ 31.29 грн
1000+ 21.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD136G BD136G ONSEMI ONSM-S-A0013215037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD136G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.18 грн
15+ 54.33 грн
100+ 44.17 грн
500+ 34.7 грн
1000+ 25.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD135G BD135G ONSEMI ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD135G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.26 грн
16+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
BC63916-D27Z BC63916-D27Z ONSEMI ONSM-S-A0013180146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.87 грн
27+ 30.02 грн
100+ 14.7 грн
500+ 13.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
NCV1124DR2G NCV1124DR2G ONSEMI 686201.pdf Description: ONSEMI - NCV1124DR2G - VR-Sensor (variable Reluktanz), 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Induktivgeber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.7 грн
10+ 157.92 грн
100+ 129.78 грн
500+ 96.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC5706-E 2SC5706-E ONSEMI ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5706-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 400MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 5A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC5706-TL-H 2SC5706-TL-H ONSEMI en6912-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.74 грн
13+ 62 грн
100+ 44.41 грн
500+ 34.05 грн
700+ 24.73 грн
2100+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5706-TL-E 2SC5706-TL-E ONSEMI ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
2SA1552S-TL-E 2SA1552S-TL-E ONSEMI ONSM-S-A0000136312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw en2262-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.58 грн
19+ 43 грн
100+ 30.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SA1552S-TL-H 2SA1552S-TL-H ONSEMI en2262-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.8 грн
14+ 56.76 грн
100+ 41.12 грн
500+ 35.21 грн
700+ 29.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SA1552S-TL-H 2SA1552S-TL-H ONSEMI ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.12 грн
500+ 35.21 грн
700+ 29.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SA1552S-TL-E 2SA1552S-TL-E ONSEMI ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SA1593S-E 2SA1593S-E ONSEMI EN2511-D.PDF Description: ONSEMI - 2SA1593S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
2SA1593T-TL-E 2SA1593T-TL-E ONSEMI EN2511-D.PDF Description: ONSEMI - 2SA1593T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
2N4401BU 2N4401BU ONSEMI 2303839.pdf Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.74 грн
44+ 17.98 грн
111+ 7.07 грн
500+ 4.99 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N4401TF 2N4401TF ONSEMI ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4401TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 999mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.94 грн
43+ 18.53 грн
100+ 7.82 грн
500+ 7.11 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N4401TFR 2N4401TFR ONSEMI ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.69 грн
40+ 19.78 грн
100+ 11.41 грн
500+ 4.58 грн
2000+ 3.65 грн
6000+ 2.79 грн
16000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 28
2N4401TAR 2N4401TAR ONSEMI 661741.pdf Description: ONSEMI - 2N4401TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.32 грн
40+ 19.78 грн
103+ 7.65 грн
500+ 5.39 грн
1000+ 3.38 грн
5000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 27
LA4425A-E LA4425A-E ONSEMI 1878950.pdf Description: ONSEMI - LA4425A-E - Audioleistungsverstärker, 5 W, AB, 1 Kanal, 5V bis 16V, SIP, 5 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 5V bis 16V
Bauform - Verstärker: SIP
Betriebstemperatur, min.: -30
Lastimpedanz: 4
Verstärkerklasse: AB
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Ausgangsleistung: 5
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NLV14023BDR2G NLV14023BDR2G ONSEMI MC14001B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14023BDR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4023
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4023
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
74ACT08SC 74ACT08SC ONSEMI 2303969.pdf Description: ONSEMI - 74ACT08SC - AND-Gatter, 74ACT08, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.73 грн
20+ 40.81 грн
100+ 29.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
NCV-RSL10-101Q48-AVG NCV-RSL10-101Q48-AVG ONSEMI NCV-RSL10-D.PDF Description: ONSEMI - NCV-RSL10-101Q48-AVG - HF-Transceiver, 2.36GHz bis 2.5GHz, 2MB/s, -94dBm, QFNW-48, -40°C bis 105°C
Übertragungsstrom: 4.3
Bauform - HF-IC: QFNW
Ausgangsleistung (dBm): -94
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.36
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.18
Empfangsstrom: 2.7
Empfindlichkeit (dBm): -94
HF/IF-Modulation: 4FSK, DSSS, FSK, GFSK, MSK, O-QPSK
Anzahl der Pins: 48
Übertragungsrate: 2
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.3
Frequenz, max.: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
CAT5115VI-50-GT3 CAT5115VI-50-GT3 ONSEMI CAT5115-D.PDF Description: ONSEMI - CAT5115VI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
CAT5115VI-00-GT3 CAT5115VI-00-GT3 ONSEMI CAT5115-D.PDF Description: ONSEMI - CAT5115VI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NE5534ADG NE5534ADG ONSEMI 2160703.pdf Description: ONSEMI - NE5534ADG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: 13
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NE5534DG NE5534DG ONSEMI 2160703.pdf Description: ONSEMI - NE5534DG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: 13
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NE5534DR2G NE5534DR2G ONSEMI NE5534-D.PDF Description: ONSEMI - NE5534DR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Spannungsanstieg: 13
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NE5534ADR2G NE5534ADR2G ONSEMI ONSM-S-A0016042830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NE5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 13V/µs
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 10MHz
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.59 грн
15+ 52.38 грн
100+ 36.12 грн
500+ 22.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
SZNUD3160LT1G SZNUD3160LT1G ONSEMI 2236876.pdf Description: ONSEMI - SZNUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 150mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 150mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.71 грн
20+ 40.18 грн
100+ 23.3 грн
500+ 15.68 грн
3000+ 14.14 грн
9000+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
SZESD7205DT5G SZESD7205DT5G ONSEMI 2290228.pdf Description: ONSEMI - SZESD7205DT5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 12.5 V, SOT-723, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.39 грн
25+ 32.29 грн
100+ 17.67 грн
500+ 9.44 грн
Мінімальне замовлення: 19
SURS8160T3G SURS8160T3G ONSEMI 1708331.pdf Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassspannung Vf max.: 1.25
Diodenkonfiguration: -
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
SURS8160T3G SURS8160T3G ONSEMI 1708331.pdf Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassspannung Vf max.: 1.25
Diodenkonfiguration: -
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 ONSEMI AR0144-D.PDF Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 ONSEMI AR0144-D.PDF Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0144CSSC20SUKA0-CPBR AR0144CSSC20SUKA0-CPBR ONSEMI AR0144-D.PDF Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR AR0144CSSC00SUKA0-CPBR ONSEMI AR0144-D.PDF Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
J112-D26Z J112-D26Z ONSEMI ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - J112-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.85 грн
31+ 25.72 грн
100+ 12.82 грн
500+ 11.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
NB3N3020DTG NB3N3020DTG ONSEMI nb3n3020-d.pdf Description: ONSEMI - NB3N3020DTG - Taktvervielfacher, 210MHz, LVPECL / LVCMOS, 3.3V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 210MHz
Betriebstemperatur, min.: 40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.97V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktvervielfacher
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+897.5 грн
NL7SZ57DFT2G NL7SZ57DFT2G ONSEMI 730353.pdf Description: ONSEMI - NL7SZ57DFT2G - Multifunktions-Logikgatter, 3 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Multifunktions-Logikgatter
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 7SZ57
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.68 грн
55+ 14.46 грн
100+ 10.32 грн
500+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 42
NL7SZ57DFT2G NL7SZ57DFT2G ONSEMI 730353.pdf Description: ONSEMI - NL7SZ57DFT2G - Multifunktions-Logikgatter, 3 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Multifunktions-Logikgatter
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 7SZ57
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
HUF75345P3 HUF75345P3 ONSEMI 2303923.pdf Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.1 грн
10+ 167.3 грн
100+ 137.6 грн
500+ 108.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75545P3 HUF75545P3 ONSEMI ONSM-S-A0013297654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.97 грн
10+ 180.59 грн
100+ 143.85 грн
500+ 113.25 грн
1000+ 89.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75639G3 HUF75639G3 ONSEMI ONSM-S-A0013933681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.63 грн
10+ 164.96 грн
100+ 140.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75639P3.. HUF75639P3.. ONSEMI ONSM-S-A0013933681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
HUF75652G3 HUF75652G3 ONSEMI ONSM-S-A0013297174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
TL594CDR2G TL594CDR2G ONSEMI 168318.pdf Description: ONSEMI - TL594CDR2G - PWM-Controller, Festfrequenz, 7V bis 40V Versorgungsspannung, 40kHz, 5.3Vin, 500mAout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.6 грн
12+ 69.19 грн
100+ 47.92 грн
500+ 32.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
BZX79-C12 BZX79-C12 ONSEMI ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79-C12 - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 13825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.62 грн
60+ 13.21 грн
157+ 5 грн
500+ 3.64 грн
1000+ 2.43 грн
5000+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 40
BD680G BD680G ONSEMI 1912207.pdf Description: ONSEMI - BD680G - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 40 W, 4 A, TO-225AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.82 грн
12+ 65.51 грн
100+ 51.44 грн
500+ 42.69 грн
1000+ 30.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
BD680AG. BD680AG. ONSEMI 1912207.pdf Description: ONSEMI - BD680AG. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 1
Bauform - Transistor: TO-225AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
2SA2210-1E 2SA2210-1E ONSEMI ena0667-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2210-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 20 A, 30 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.65 грн
10+ 94.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SA2222SG 2SA2222SG ONSEMI ena1799-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2222SG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 25 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.58 грн
14+ 57.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E ONSEMI ONSMS37470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.18 грн
28+ 28.54 грн
100+ 21.89 грн
500+ 15.83 грн
1000+ 10.19 грн
Мінімальне замовлення: 23
2SA2039-E 2SA2039-E ONSEMI ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2039-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 360
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.09 грн
12+ 69.74 грн
100+ 50.27 грн
500+ 38.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E ONSEMI en6913-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.47 грн
18+ 45.58 грн
100+ 32.91 грн
500+ 27.73 грн
700+ 22.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E ONSEMI en6913-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.91 грн
500+ 27.73 грн
700+ 22.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.33 грн
19+ 41.75 грн
100+ 26.19 грн
500+ 19.02 грн
1000+ 12.73 грн
3000+ 12.06 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.19 грн
500+ 19.02 грн
1000+ 12.73 грн
3000+ 12.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
NRVB120VLSFT1G 2028665.pdf
NRVB120VLSFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVB120VLSFT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, SOD-123FL, 2 Pin(s), 340 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 45A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 340mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
BAS70-04LT1G 2236823.pdf
BAS70-04LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS70-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
47+16.73 грн
79+ 10.01 грн
174+ 4.51 грн
500+ 4.1 грн
Мінімальне замовлення: 47
BD137G ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD137G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+62.23 грн
16+ 51.6 грн
100+ 34.16 грн
500+ 23.88 грн
1000+ 18.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
BD138G ONSM-S-A0013215037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD138G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+75.99 грн
13+ 63.33 грн
100+ 40.34 грн
500+ 31.29 грн
1000+ 21.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD136G ONSM-S-A0013215037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD136G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD136G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+78.18 грн
15+ 54.33 грн
100+ 44.17 грн
500+ 34.7 грн
1000+ 25.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
BD135G ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD135G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD135G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+59.26 грн
16+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
BC63916-D27Z ONSM-S-A0013180146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC63916-D27Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC63916-D27Z - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 830 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.87 грн
27+ 30.02 грн
100+ 14.7 грн
500+ 13.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
NCV1124DR2G 686201.pdf
NCV1124DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1124DR2G - VR-Sensor (variable Reluktanz), 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Induktivgeber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+201.7 грн
10+ 157.92 грн
100+ 129.78 грн
500+ 96.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SC5706-E ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5706-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 400MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 5A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+116.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SC5706-TL-H en6912-d.pdf
2SC5706-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+79.74 грн
13+ 62 грн
100+ 44.41 грн
500+ 34.05 грн
700+ 24.73 грн
2100+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5706-TL-E ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5706-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
2SA1552S-TL-E ONSM-S-A0000136312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw en2262-d.pdf
2SA1552S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+50.58 грн
19+ 43 грн
100+ 30.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SA1552S-TL-H en2262-d.pdf
2SA1552S-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+73.8 грн
14+ 56.76 грн
100+ 41.12 грн
500+ 35.21 грн
700+ 29.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SA1552S-TL-H ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1552S-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+41.12 грн
500+ 35.21 грн
700+ 29.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SA1552S-TL-E ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1552S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SA1593S-E EN2511-D.PDF
2SA1593S-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1593S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
2SA1593T-TL-E EN2511-D.PDF
2SA1593T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1593T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
2N4401BU 2303839.pdf
2N4401BU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+26.74 грн
44+ 17.98 грн
111+ 7.07 грн
500+ 4.99 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N4401TF ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N4401TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 999mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+29.94 грн
43+ 18.53 грн
100+ 7.82 грн
500+ 7.11 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N4401TFR ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N4401TFR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+28.69 грн
40+ 19.78 грн
100+ 11.41 грн
500+ 4.58 грн
2000+ 3.65 грн
6000+ 2.79 грн
16000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 28
2N4401TAR 661741.pdf
2N4401TAR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+29.32 грн
40+ 19.78 грн
103+ 7.65 грн
500+ 5.39 грн
1000+ 3.38 грн
5000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 27
LA4425A-E 1878950.pdf
LA4425A-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LA4425A-E - Audioleistungsverstärker, 5 W, AB, 1 Kanal, 5V bis 16V, SIP, 5 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 5V bis 16V
Bauform - Verstärker: SIP
Betriebstemperatur, min.: -30
Lastimpedanz: 4
Verstärkerklasse: AB
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Ausgangsleistung: 5
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
NLV14023BDR2G MC14001B-D.PDF
NLV14023BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14023BDR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4023
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4023
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
74ACT08SC 2303969.pdf
74ACT08SC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT08SC - AND-Gatter, 74ACT08, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+64.73 грн
20+ 40.81 грн
100+ 29.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
NCV-RSL10-101Q48-AVG NCV-RSL10-D.PDF
NCV-RSL10-101Q48-AVG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV-RSL10-101Q48-AVG - HF-Transceiver, 2.36GHz bis 2.5GHz, 2MB/s, -94dBm, QFNW-48, -40°C bis 105°C
Übertragungsstrom: 4.3
Bauform - HF-IC: QFNW
Ausgangsleistung (dBm): -94
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.36
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.18
Empfangsstrom: 2.7
Empfindlichkeit (dBm): -94
HF/IF-Modulation: 4FSK, DSSS, FSK, GFSK, MSK, O-QPSK
Anzahl der Pins: 48
Übertragungsrate: 2
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.3
Frequenz, max.: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
CAT5115VI-50-GT3 CAT5115-D.PDF
CAT5115VI-50-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115VI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
CAT5115VI-00-GT3 CAT5115-D.PDF
CAT5115VI-00-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115VI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NE5534ADG 2160703.pdf
NE5534ADG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534ADG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: 13
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NE5534DG 2160703.pdf
NE5534DG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534DG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: 13
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NE5534DR2G NE5534-D.PDF
NE5534DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534DR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Spannungsanstieg: 13
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NE5534ADR2G ONSM-S-A0016042830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NE5534ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 13V/µs
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 10MHz
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+65.59 грн
15+ 52.38 грн
100+ 36.12 грн
500+ 22.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
SZNUD3160LT1G 2236876.pdf
SZNUD3160LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 150mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 150mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+48.71 грн
20+ 40.18 грн
100+ 23.3 грн
500+ 15.68 грн
3000+ 14.14 грн
9000+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
SZESD7205DT5G 2290228.pdf
SZESD7205DT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD7205DT5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 12.5 V, SOT-723, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+43.39 грн
25+ 32.29 грн
100+ 17.67 грн
500+ 9.44 грн
Мінімальне замовлення: 19
SURS8160T3G 1708331.pdf
SURS8160T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassspannung Vf max.: 1.25
Diodenkonfiguration: -
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
SURS8160T3G 1708331.pdf
SURS8160T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassspannung Vf max.: 1.25
Diodenkonfiguration: -
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 AR0144-D.PDF
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 AR0144-D.PDF
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0144CSSC20SUKA0-CPBR AR0144-D.PDF
AR0144CSSC20SUKA0-CPBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR AR0144-D.PDF
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
J112-D26Z ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
J112-D26Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J112-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+33.85 грн
31+ 25.72 грн
100+ 12.82 грн
500+ 11.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
NB3N3020DTG nb3n3020-d.pdf
NB3N3020DTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3N3020DTG - Taktvervielfacher, 210MHz, LVPECL / LVCMOS, 3.3V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 210MHz
Betriebstemperatur, min.: 40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.97V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktvervielfacher
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+897.5 грн
NL7SZ57DFT2G 730353.pdf
NL7SZ57DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL7SZ57DFT2G - Multifunktions-Logikgatter, 3 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Multifunktions-Logikgatter
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 7SZ57
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
42+18.68 грн
55+ 14.46 грн
100+ 10.32 грн
500+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 42
NL7SZ57DFT2G 730353.pdf
NL7SZ57DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL7SZ57DFT2G - Multifunktions-Logikgatter, 3 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Multifunktions-Logikgatter
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 7SZ57
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
HUF75345P3 2303923.pdf
HUF75345P3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+236.1 грн
10+ 167.3 грн
100+ 137.6 грн
500+ 108.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75545P3 ONSM-S-A0013297654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75545P3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+232.97 грн
10+ 180.59 грн
100+ 143.85 грн
500+ 113.25 грн
1000+ 89.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75639G3 ONSM-S-A0013933681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75639G3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+273.63 грн
10+ 164.96 грн
100+ 140.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75639P3.. ONSM-S-A0013933681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75639P3..
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
HUF75652G3 ONSM-S-A0013297174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75652G3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
TL594CDR2G 168318.pdf
TL594CDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL594CDR2G - PWM-Controller, Festfrequenz, 7V bis 40V Versorgungsspannung, 40kHz, 5.3Vin, 500mAout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+94.6 грн
12+ 69.19 грн
100+ 47.92 грн
500+ 32.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
BZX79-C12 ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79-C12
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C12 - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 13825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+19.62 грн
60+ 13.21 грн
157+ 5 грн
500+ 3.64 грн
1000+ 2.43 грн
5000+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 40
BD680G 1912207.pdf
BD680G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD680G - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 40 W, 4 A, TO-225AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+93.82 грн
12+ 65.51 грн
100+ 51.44 грн
500+ 42.69 грн
1000+ 30.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
BD680AG. 1912207.pdf
BD680AG.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD680AG. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 1
Bauform - Transistor: TO-225AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
2SA2210-1E ena0667-d.pdf
2SA2210-1E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2210-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 20 A, 30 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+126.65 грн
10+ 94.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SA2222SG ena1799-d.pdf
2SA2222SG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2222SG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 25 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+74.58 грн
14+ 57.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SA2125-TD-E ONSMS37470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2125-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+35.18 грн
28+ 28.54 грн
100+ 21.89 грн
500+ 15.83 грн
1000+ 10.19 грн
Мінімальне замовлення: 23
2SA2039-E ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2039-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2039-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 360
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+82.09 грн
12+ 69.74 грн
100+ 50.27 грн
500+ 38.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SA2040-TL-E en6913-d.pdf
2SA2040-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+53.47 грн
18+ 45.58 грн
100+ 32.91 грн
500+ 27.73 грн
700+ 22.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SA2040-TL-E en6913-d.pdf
2SA2040-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.91 грн
500+ 27.73 грн
700+ 22.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SA2013-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2013-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+44.33 грн
19+ 41.75 грн
100+ 26.19 грн
500+ 19.02 грн
1000+ 12.73 грн
3000+ 12.06 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SA2013-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2013-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.19 грн
500+ 19.02 грн
1000+ 12.73 грн
3000+ 12.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1745 1746 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1754 1755 1856 2088 2320 2326  [ Наступна Сторінка >> ]