TIP31BG ON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 220+ | 54.8 грн |
| 301+ | 40.09 грн |
| 500+ | 33.62 грн |
| 1000+ | 23.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TIP31BG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - TIP31BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції TIP31BG за ціною від 20 грн до 69.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TIP31BG | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 80V 3A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 3523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TIP31BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TIP31BG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 40W NPN |
на замовлення 10518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TIP31BG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP31BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TIP31BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
TIP31BG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
TIP31BG | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 40W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 3A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Current gain: 10...50 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
TIP31BG | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 40W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 3A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Current gain: 10...50 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
товар відсутній |