Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
74LCX08BQX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74LCX08BQX - Logik-IC, AND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), DQFN-EP, 74LCX08 Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 74LCX Bauform - Logikbaustein: DQFN-EP Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 74LCX08 Versorgungsspannung, max.: 3.6 Anzahl der Eingänge: 2 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl von Elementen: Vier SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDS5351 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 6.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
||||||||||||||
BSR57 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET Betriebstemperatur, max.: 150 |
товар відсутній |
||||||||||||||
BSR57 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20 Durchbruchspannung Vbr: 40 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 100 Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 6 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
||||||||||||||
BC557ATA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC557ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NCV3066DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV3066DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost, Buck, invertierend, 3V-40Vin, 150kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 40V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 300kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck, invertierend Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NCV3066DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV3066DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost, Buck, invertierend, 3V-40Vin, 150kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 40V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 300kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck, invertierend Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NCP3066DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3066DR2G - LED-Treiber, Boost, Buck, Inverting, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 40V/1.5Aout, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 40V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 250kHz Betriebstemperatur, min.: - Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck, invertierend Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
PN2222ATA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2222ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
PN2907ABU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NCV317LBDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV317LBDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbare Vout, AEC-Q100, 4.2V bis 40Vin, 1.2V bis 37V/100mAout, SOIC-8 Ausgang: Einstellbar Feste Ausgangsspannung, nom.: - Ausgangsstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37 Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2 Eingangsspannung, max.: 40 Bauform - Linearregler: SOIC Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Adj 100mA Linear Voltage Regulators Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SRDA05-4R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SRDA05-4R2G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, SOIC, 8 Pin(s), 5 V tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOIC rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SRDA05-4R2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SRDA05-4R2G. - TVS DIODE, 500W, 6V, SOIC, FULL REEL Durchbruchspannung, max.: 6 TVS-Polarität: Unidirectional Durchbruchspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8 Bauform - Diode: SOIC Begrenzungsspannung Vc, max.: 13.6 Spitzenimpulsverlustleistung: 500 Sperrspannung Vrwm: 8 Produktpalette: SRDA Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
||||||||||||||
NUP2114UPXV5T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP2114UPXV5T1G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, SOT-553, 5 Pin(s), 5 V, NUP2114 Series tariffCode: 85363010 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOT-553 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V Betriebsspannung: 5V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: - usEccn: EAR99 Produktpalette: NUP2114 Series SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DVK-SIP-SFEU-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DVK-SIP-SFEU-1-GEVK - Development Kit, AX-SIP-SFEU Sigfox IoT-Modul, Miniatur-Grundfläche von 15mm x 27mm Prozessorkern: AX-SIP-SFEU-1-01-TX30 Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Sigfox-Development Kit AX-SIP-SFEU-1-01-TX30 Unterart Anwendung: HF-Transceiver Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
||||||||||||||
DVK-SIP-SFEU-API-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DVK-SIP-SFEU-API-1-GEVK - Development Kit, AX-SIP-SFEU-API Sigfox IoT-Modul, Miniatur-Grundfläche: 15mm x 27mm, programmierbar Prozessorkern: AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30 Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Sigfox-Development Kit AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30, AXDBG-2-GEVK Debugger Unterart Anwendung: HF-Transceiver Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
||||||||||||||
NCP1607BDR2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1607BDR2G. - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: -300mV euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
1N5822RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5822RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 525 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 525mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5822 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 7075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
1N4934G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4934G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 200ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 6936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
1N4937RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4937RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 200ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: 1N4937 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 18663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
1N4934RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4934RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 200ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 10151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
1N4936RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4936RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 300 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AL Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 300ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 15717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
1N4933RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4933RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 300 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AL Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 300ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 6533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
1N4936G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4936G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassspannung Vf max.: 1.2 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 200 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 400 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
||||||||||||||
1N4447 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4447 - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A Bauform - Diode: DO-35 Durchlassspannung Vf max.: 1 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 4 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 1N4447 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 4 Betriebstemperatur, max.: 175 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 75 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
||||||||||||||
NCV2003SN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV2003SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 7 MHz, 8 V/µs, 1.7V bis 5.5V, SOT-23 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.7V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 8V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 7MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BDX54CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX54CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 MSL: - Verlustleistung Pd: 65 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
||||||||||||||
BDX54BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX54BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FQS4900TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQS4900TF - DUAL N & P CHANNEL, LOGIC LEVEL MOSFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
||||||||||||||
NUP2105LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP2105LT1G - TVS-Diode, NUP21, bidirektional, 24V, 44V, SOT-23, 3 Pins tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 26.2V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 32V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 24V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 350W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NUP21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 44V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 77150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NCP1091DRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1091DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, 31V UVLO, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES PoE-Standard: IEEE 802.3af IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Tastverhältnis (%): - Leistung, max.: 15W Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Eingangsspannung: 57V Anzahl der Pins: 8Pin(s) UVLO: 31V Produktpalette: - productTraceability: No PoE-Controller: PD-Controller Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
HGTG30N60A4D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6 Verlustleistung Pd: 463 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 75 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
||||||||||||||
GBU4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU4G - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU4G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
GBU4B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU4B - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 4A, 100V THOUGH HOLE tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 0 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 0 Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Through Hole Anzahl der Phasen: Single Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
GBU4J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU4J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU4J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
GBU4D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU4D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU4D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDC658AP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.044 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 38412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BS170"D27Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BC550CTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC550CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BC548BTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC548BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 35 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 35V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BC548CTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC548CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BC546ABU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC546ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 11522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BC548BTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC548BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 22920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BC546CTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC546CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC546C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
TIP41AG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP41AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TIP41BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CAT9532YI-T2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT9532YI-T2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 2.3V bis 5.5Vin, 25mAout, TSSOP-24 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 400kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 25mA Eingangsspannung, min.: 2.3V Topologie: - Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BAS35 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS35 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BAS35 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS35 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BAS31 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS31 - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 90 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 90V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS31 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 79966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NCP3065DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3065DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck, Boost, 3V-40Vin, 250kHz Schaltfrequenz,1.5Aout, SOIC-8 tariffCode: 85044095 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 250kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NDT014L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85331000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NDP6060L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NDP7060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP7060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товар відсутній |
||||||||||||||
NDC7001C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 700mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 31930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NDP6060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NDS9948 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NDS9945. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NDP6020P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6020P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 24 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 60 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товар відсутній |
||||||||||||||
NDP7060.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP7060.. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A, TO-220 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: Lead |
товар відсутній |
74LCX08BQX |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX08BQX - Logik-IC, AND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), DQFN-EP, 74LCX08
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: DQFN-EP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74LCX08
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 74LCX08BQX - Logik-IC, AND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), DQFN-EP, 74LCX08
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: DQFN-EP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74LCX08
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS5351 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BSR57 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
товар відсутній
BSR57 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20
Durchbruchspannung Vbr: 40
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 100
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 6
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20
Durchbruchspannung Vbr: 40
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 100
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 6
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BC557ATA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC557ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC557ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 29.32 грн |
43+ | 18.53 грн |
108+ | 7.29 грн |
500+ | 6.63 грн |
NCV3066DR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3066DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost, Buck, invertierend, 3V-40Vin, 150kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV3066DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost, Buck, invertierend, 3V-40Vin, 150kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 156.36 грн |
10+ | 119.61 грн |
100+ | 82.09 грн |
NCV3066DR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3066DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost, Buck, invertierend, 3V-40Vin, 150kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV3066DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost, Buck, invertierend, 3V-40Vin, 150kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 82.09 грн |
NCP3066DR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3066DR2G - LED-Treiber, Boost, Buck, Inverting, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 40V/1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP3066DR2G - LED-Treiber, Boost, Buck, Inverting, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 40V/1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 40V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck, invertierend
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 148.54 грн |
10+ | 110.23 грн |
100+ | 77.4 грн |
500+ | 55.46 грн |
2500+ | 48.31 грн |
PN2222ATA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2222ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - PN2222ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 34.16 грн |
35+ | 22.59 грн |
100+ | 8.44 грн |
500+ | 7.7 грн |
PN2907ABU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
28+ | 28.85 грн |
39+ | 20.17 грн |
100+ | 8.37 грн |
500+ | 5.96 грн |
1000+ | 3.83 грн |
5000+ | 3.75 грн |
NCV317LBDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV317LBDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbare Vout, AEC-Q100, 4.2V bis 40Vin, 1.2V bis 37V/100mAout, SOIC-8
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2
Eingangsspannung, max.: 40
Bauform - Linearregler: SOIC
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Adj 100mA Linear Voltage Regulators
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCV317LBDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbare Vout, AEC-Q100, 4.2V bis 40Vin, 1.2V bis 37V/100mAout, SOIC-8
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2
Eingangsspannung, max.: 40
Bauform - Linearregler: SOIC
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Adj 100mA Linear Voltage Regulators
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 39.72 грн |
25+ | 31.35 грн |
100+ | 23.3 грн |
500+ | 14.23 грн |
2500+ | 11.86 грн |
SRDA05-4R2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SRDA05-4R2G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, SOIC, 8 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SRDA05-4R2G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, SOIC, 8 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 100.85 грн |
10+ | 82.87 грн |
100+ | 59.49 грн |
500+ | 37.17 грн |
2500+ | 31.96 грн |
SRDA05-4R2G. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SRDA05-4R2G. - TVS DIODE, 500W, 6V, SOIC, FULL REEL
Durchbruchspannung, max.: 6
TVS-Polarität: Unidirectional
Durchbruchspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Diode: SOIC
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13.6
Spitzenimpulsverlustleistung: 500
Sperrspannung Vrwm: 8
Produktpalette: SRDA Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SRDA05-4R2G. - TVS DIODE, 500W, 6V, SOIC, FULL REEL
Durchbruchspannung, max.: 6
TVS-Polarität: Unidirectional
Durchbruchspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Diode: SOIC
Begrenzungsspannung Vc, max.: 13.6
Spitzenimpulsverlustleistung: 500
Sperrspannung Vrwm: 8
Produktpalette: SRDA Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NUP2114UPXV5T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP2114UPXV5T1G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, SOT-553, 5 Pin(s), 5 V, NUP2114 Series
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-553
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: NUP2114 Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NUP2114UPXV5T1G - ESD-Schutzbaustein, 12 V, SOT-553, 5 Pin(s), 5 V, NUP2114 Series
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-553
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: NUP2114 Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 35.02 грн |
30+ | 26.66 грн |
100+ | 14.31 грн |
500+ | 12.27 грн |
1000+ | 7.04 грн |
5000+ | 6.43 грн |
DVK-SIP-SFEU-1-GEVK |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DVK-SIP-SFEU-1-GEVK - Development Kit, AX-SIP-SFEU Sigfox IoT-Modul, Miniatur-Grundfläche von 15mm x 27mm
Prozessorkern: AX-SIP-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Sigfox-Development Kit AX-SIP-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - DVK-SIP-SFEU-1-GEVK - Development Kit, AX-SIP-SFEU Sigfox IoT-Modul, Miniatur-Grundfläche von 15mm x 27mm
Prozessorkern: AX-SIP-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Sigfox-Development Kit AX-SIP-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
DVK-SIP-SFEU-API-1-GEVK |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DVK-SIP-SFEU-API-1-GEVK - Development Kit, AX-SIP-SFEU-API Sigfox IoT-Modul, Miniatur-Grundfläche: 15mm x 27mm, programmierbar
Prozessorkern: AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Sigfox-Development Kit AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30, AXDBG-2-GEVK Debugger
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - DVK-SIP-SFEU-API-1-GEVK - Development Kit, AX-SIP-SFEU-API Sigfox IoT-Modul, Miniatur-Grundfläche: 15mm x 27mm, programmierbar
Prozessorkern: AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Sigfox-Development Kit AX-SIP-SFEU-API-1-01-TX30, AXDBG-2-GEVK Debugger
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
NCP1607BDR2G. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1607BDR2G. - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1607BDR2G. - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 58.24 грн |
17+ | 47.69 грн |
100+ | 30.1 грн |
1N5822RLG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5822RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 525 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 525mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5822
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 1N5822RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 525 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 525mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5822
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 51.68 грн |
19+ | 43.08 грн |
100+ | 27.13 грн |
500+ | 19.67 грн |
1N4934G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4934G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 1N4934G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 20.95 грн |
58+ | 13.6 грн |
141+ | 5.58 грн |
500+ | 4.09 грн |
1000+ | 2.75 грн |
5000+ | 2.7 грн |
1N4937RLG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4937RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: 1N4937
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 1N4937RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: 1N4937
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 25.96 грн |
48+ | 16.57 грн |
111+ | 7.07 грн |
500+ | 5.15 грн |
1000+ | 3.44 грн |
2500+ | 3.37 грн |
1N4934RLG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4934RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 1N4934RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 10151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 27.6 грн |
47+ | 16.73 грн |
117+ | 6.7 грн |
500+ | 5.07 грн |
1000+ | 3.63 грн |
5000+ | 3.25 грн |
1N4936RLG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4936RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 300 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 1N4936RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 300 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 15717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
28+ | 28.46 грн |
41+ | 19.15 грн |
109+ | 7.22 грн |
500+ | 5.31 грн |
1000+ | 3.63 грн |
5000+ | 3.32 грн |
1N4933RLG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4933RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 300 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 1N4933RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 300 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AL
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 26.35 грн |
44+ | 18.14 грн |
114+ | 6.88 грн |
500+ | 5.15 грн |
1000+ | 3.62 грн |
5000+ | 3.28 грн |
1N4936G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4936G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.2
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 200
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 400
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - 1N4936G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 200 ns, 30 A
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassspannung Vf max.: 1.2
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 200
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 400
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
1N4447 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4447 - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 4
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N4447
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 4
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 75
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - 1N4447 - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 4
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N4447
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 4
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 75
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
NCV2003SN2T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2003SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 7 MHz, 8 V/µs, 1.7V bis 5.5V, SOT-23
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.7V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 8V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 7MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV2003SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 7 MHz, 8 V/µs, 1.7V bis 5.5V, SOT-23
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.7V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 8V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 7MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 69.27 грн |
15+ | 55.51 грн |
100+ | 32.76 грн |
BDX54CG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX54CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BDX54CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
BDX54BG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX54BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BDX54BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 49.25 грн |
FQS4900TF |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQS4900TF - DUAL N & P CHANNEL, LOGIC LEVEL MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQS4900TF - DUAL N & P CHANNEL, LOGIC LEVEL MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NUP2105LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP2105LT1G - TVS-Diode, NUP21, bidirektional, 24V, 44V, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.2V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 32V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 44V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NUP2105LT1G - TVS-Diode, NUP21, bidirektional, 24V, 44V, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.2V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 32V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 44V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 77150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 40.11 грн |
38+ | 20.87 грн |
100+ | 11.18 грн |
500+ | 10.16 грн |
NCP1091DRG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1091DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, 31V UVLO, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
PoE-Standard: IEEE 802.3af
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: 31V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1091DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, 31V UVLO, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
PoE-Standard: IEEE 802.3af
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: 31V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 129 грн |
10+ | 106.32 грн |
100+ | 74.43 грн |
500+ | 45.15 грн |
3000+ | 39.6 грн |
HGTG30N60A4D |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
GBU4G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU4G - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - GBU4G - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 77.48 грн |
13+ | 63.25 грн |
100+ | 58.87 грн |
500+ | 50.6 грн |
GBU4B |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU4B - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 4A, 100V THOUGH HOLE
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 0
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 0
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Through Hole
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - GBU4B - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 4A, 100V THOUGH HOLE
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 0
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 0
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Through Hole
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 132.9 грн |
10+ | 111.01 грн |
100+ | 90.69 грн |
500+ | 70.93 грн |
GBU4J |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU4J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - GBU4J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 134.47 грн |
10+ | 107.11 грн |
100+ | 82.09 грн |
500+ | 58.22 грн |
1000+ | 52.67 грн |
GBU4D |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU4D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - GBU4D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 140.72 грн |
10+ | 106.32 грн |
100+ | 78.96 грн |
500+ | 59.09 грн |
1000+ | 53.47 грн |
FDC658AP |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.044 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.044 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 53.71 грн |
19+ | 42.69 грн |
100+ | 26.82 грн |
500+ | 19.89 грн |
BS170"D27Z |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 34.24 грн |
31+ | 25.33 грн |
38+ | 20.64 грн |
50+ | 14.74 грн |
100+ | 9.52 грн |
BC550CTA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC550CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC550CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
28+ | 28.07 грн |
41+ | 19.23 грн |
106+ | 7.38 грн |
500+ | 5.17 грн |
1000+ | 3.21 грн |
BC548BTA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC548BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 35 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 35V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC548BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 35 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 35V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
28+ | 28.61 грн |
41+ | 19.47 грн |
104+ | 7.52 грн |
500+ | 5.27 грн |
1000+ | 3.28 грн |
5000+ | 3.21 грн |
BC548CTA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC548CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ONSEMI - BC548CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 19.7 грн |
58+ | 13.6 грн |
145+ | 5.39 грн |
500+ | 3.75 грн |
1000+ | 2.3 грн |
BC546ABU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC546ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC546ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
28+ | 28.69 грн |
41+ | 19.39 грн |
105+ | 7.51 грн |
500+ | 5.31 грн |
1000+ | 3.38 грн |
5000+ | 3.31 грн |
BC548BTA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC548BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC548BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
28+ | 28.61 грн |
41+ | 19.47 грн |
104+ | 7.52 грн |
500+ | 6.85 грн |
BC546CTA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC546CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC546C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC546CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC546C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TIP41AG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP41AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - TIP41AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 79.74 грн |
13+ | 63.48 грн |
100+ | 45.42 грн |
TIP41BG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 76.77 грн |
13+ | 60.51 грн |
100+ | 40.18 грн |
500+ | 31.14 грн |
CAT9532YI-T2 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT9532YI-T2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 2.3V bis 5.5Vin, 25mAout, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 400kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Topologie: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT9532YI-T2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 2.3V bis 5.5Vin, 25mAout, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 400kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Topologie: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 174.34 грн |
10+ | 131.34 грн |
BAS35 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 7.04 грн |
3000+ | 5.83 грн |
BAS35 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 30.02 грн |
35+ | 22.83 грн |
100+ | 12.27 грн |
500+ | 7.04 грн |
3000+ | 5.83 грн |
BAS31 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS31 - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 90 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 90V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS31
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAS31 - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 90 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 90V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS31
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 79966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 25.1 грн |
63+ | 12.59 грн |
104+ | 7.55 грн |
500+ | 6.87 грн |
NCP3065DR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3065DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck, Boost, 3V-40Vin, 250kHz Schaltfrequenz,1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85044095
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP3065DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck, Boost, 3V-40Vin, 250kHz Schaltfrequenz,1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85044095
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 139.16 грн |
10+ | 113.36 грн |
100+ | 72.94 грн |
500+ | 52.49 грн |
NDT014L |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 94.6 грн |
11+ | 73.41 грн |
100+ | 52.77 грн |
500+ | 41.6 грн |
NDP6060L |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 143.07 грн |
10+ | 119.61 грн |
100+ | 118.05 грн |
NDP7060 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP7060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - NDP7060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
NDC7001C |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 39.87 грн |
24+ | 33.15 грн |
100+ | 20.64 грн |
500+ | 14.95 грн |
NDP6060 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 190.76 грн |
10+ | 132.9 грн |
100+ | 118.83 грн |
500+ | 103.81 грн |
1000+ | 89.12 грн |
NDS9948 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 56.76 грн |
17+ | 48.47 грн |
100+ | 30.02 грн |
500+ | 23.3 грн |
NDS9945. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 143.07 грн |
10+ | 106.32 грн |
100+ | 77.08 грн |
500+ | 55.97 грн |
2500+ | 50.66 грн |
NDP6020P |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP6020P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 24 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NDP6020P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 24 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NDP7060.. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP7060.. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - NDP7060.. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead
товар відсутній