на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 10.97 грн |
4000+ | 10.61 грн |
6000+ | 10.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис J112-D26Z ON Semiconductor
Description: ONSEMI - J112-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції J112-D26Z за ціною від 6.74 грн до 43.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
J112-D26Z | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 35V TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Power - Max: 625 mW Resistance - RDS(On): 50 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
на замовлення 1197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
J112-D26Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - J112-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
J112-D26Z | Виробник : onsemi / Fairchild | JFETs N-Channel Switch |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 140-149 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
J112-D26Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
J112-D26Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
J112-D26Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
J112-D26Z | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 35V TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Power - Max: 625 mW Resistance - RDS(On): 50 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
товару немає в наявності |