Продукція > ONSEMI > 2SA2039-E
2SA2039-E

2SA2039-E onsemi

en6912-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 322265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
705+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 705
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SA2039-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 5A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 360MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2SA2039-E за ціною від 29.94 грн до 80.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SA2039-E 2SA2039-E Виробник : ON Semiconductor 439en6912-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SA2039-E 2SA2039-E Виробник : onsemi EN6912_D-1803990.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.86 грн
10+ 68.69 грн
100+ 46.58 грн
500+ 38.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SA2039-E 2SA2039-E Виробник : ONSEMI ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2039-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 360
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+80.22 грн
12+ 68.15 грн
100+ 49.12 грн
500+ 37.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SA2039-E Виробник : ON Semiconductor en6912-d.pdf
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SA2039-E 2SA2039-E Виробник : ON Semiconductor 439en6912-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
товар відсутній
2SA2039-E 2SA2039-E Виробник : onsemi en6912-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній