Продукція > ONSEMI > BD135G
BD135G

BD135G onsemi

BD135_D-2310428.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 45V 12.5W NPN
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.66 грн
10+ 45.68 грн
100+ 29.83 грн
500+ 24.81 грн
1000+ 18.82 грн
3000+ 18.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD135G onsemi

Description: ONSEMI - BD135G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BD135G за ціною від 24.38 грн до 59.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BD135G BD135G Виробник : onsemi bd135-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.28 грн
10+ 44.86 грн
100+ 31.09 грн
500+ 24.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
BD135G BD135G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD135G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+59.26 грн
16+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
BD135G BD135G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BD135G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf
на замовлення 6081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BD135G BD135G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
BD135G BD135G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
BD135G BD135G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
BD135G BD135G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній