DTA115EET1G ON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 260+ | 2.3 грн |
| 6000+ | 1.95 грн |
| 18000+ | 1.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA115EET1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTA115EET1G за ціною від 1.45 грн до 18.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DTA115EET1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DTA115EET1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 100kΩ Mounting: SMD Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ Case: SC75 Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...150 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DTA115EET1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 100kΩ Mounting: SMD Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ Case: SC75 Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80...150 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DTA115EET1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP |
на замовлення 4446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DTA115EET1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTA115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DTA115EET1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
DTA115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
DTA115EET1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 |
товар відсутній |