![DTC114TET1G DTC114TET1G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3SOT416-40.jpg)
DTC114TET1G ONSEMI
![ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.76 грн |
3000+ | 2.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC114TET1G ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTC114TET1G за ціною від 1.6 грн до 19.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTC114TET1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTC114TET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTC114TET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTC114TET1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
на замовлення 59685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTC114TET1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
на замовлення 42250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTC114TET1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTC114TET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
DTC114TET1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 178332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC114TET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 610 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
DTC114TET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DTC114TET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
DTC114TET1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75 Current gain: 160...350 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DTC114TET1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75 Current gain: 160...350 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ |
товар відсутній |