НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UF3-70B410
Код товару: 92013
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
UF3-V2UHUDINFODescription: USB 3.0 FLASH DRIVE 16GB~ 512GB
товару немає в наявності
UF300
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3001
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3001Diodes IncorporatedRectifiers
товару немає в наявності
UF3001Diodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
UF3001-GComchip TechnologyRectifiers 50V, 3A
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3001-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3001-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
UF3001-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3001-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3001-HFComchip TechnologyRectifiers 50V, 3A
товару немає в наявності
UF3001-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3001-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
UF3001-TDiodes ZetexRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 74
UF3001-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 50V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3001-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
UF3001-TDiodes IncRectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товару немає в наявності
UF3002MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3002 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
UF3002MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3002 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
UF3002LTN
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3002Diodes IncorporatedRectifiers
товару немає в наявності
UF3002-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
UF3002-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3002-GComchip TechnologyRectifiers 100V, 3A
товару немає в наявності
UF3002-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3002-HFComchip TechnologyRectifiers 100V, 3A
товару немає в наявності
UF3002-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3002-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
UF3002-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3002-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
UF3002-TDiodes IncRectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товару немає в наявності
UF3002-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 100V
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3003Diodes IncorporatedRectifiers
товару немає в наявності
UF3003MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3003 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Baureihe UF, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
UF3003VISHAY04+ DIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3003MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3003 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Baureihe UF, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
UF3003-A52Diodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
UF3003-BUDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
UF3003-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3003-GComchip TechnologyRectifiers 200V, 3A
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3003-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
UF3003-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3003-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3003-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 200V 3A DO-27
товару немає в наявності
UF3003-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
UF3003-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3003-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 200V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3003-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
UF3003-TDiodes IncRectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товару немає в наявності
UF3004
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3004MulticompDiode Switching 300V 3A 2-Pin DO-27
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3004MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3004 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
UF3004Diodes IncorporatedRectifiers
товару немає в наявності
UF3004MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3004 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.3
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 300
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
UF3004-GComchip TechnologyRectifiers 300V 3.0A
товару немає в наявності
UF3004-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3004-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 300V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
UF3004-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3004-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3004-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 300V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товару немає в наявності
UF3004-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3004-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 300V 3A DO-27
товару немає в наявності
UF3004-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 400V
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3004-TDiodes IncRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R
товару немає в наявності
UF3004-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
UF3004BDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
UF3004B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3004B-FRDiodes IncorporatedDescription: UF3004B-FR
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
UF3004M
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3005Lite-On ElectronicsDiode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD
товару немає в наявності
UF3005MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3005 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300x
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3005
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3005-GComchip TechnologyRectifiers 400V, 3A
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3005-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3005-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
UF3005-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3005-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3005-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
UF3005-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 400V 3A 50ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3005-HFComchip TechnologyRectifiers 400V, 3A
товару немає в наявності
UF3005-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 600V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3005-TDiodes IncRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товару немає в наявності
UF3005-TLite-On ElectronicsUF3005-T
товару немає в наявності
UF3005-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
UF3006
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3006Diodes IncorporatedRectifiers
товару немає в наявності
UF3006-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3006-GComchip TechnologyRectifiers 600V, 3A
товару немає в наявності
UF3006-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
UF3006-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3006-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
UF3006-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3006-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3006-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 600V 3A DO-27
товару немає в наявності
UF3006-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 800V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3006-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
UF3006-TDiodes IncRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товару немає в наявності
UF3006PT_T0_00001PanjitRectifiers 600V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,TO-3P/TO-247AD,30A
товару немає в наявності
UF3006PT_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
UF3007
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3007Lite-On ElectronicsDiode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
товару немає в наявності
UF3007Diodes IncorporatedRectifiers
товару немає в наявності
UF3007-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3007-GComchip TechnologyRectifiers 800V, 3A
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3007-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3007-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
UF3007-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3007-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
UF3007-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3007-HFComchip TechnologyRectifiers 800V, 3A
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.37 грн
12+ 27.26 грн
100+ 16.54 грн
500+ 12.85 грн
1200+ 10.43 грн
2400+ 10.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3007-TDiodes IncRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товару немає в наявності
UF3007-TDiodes IncorporatedDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
UF3007-TDiodes IncorporatedRectifiers 3.0A 1000V
товару немає в наявності
UF3007-TLite-On ElectronicsUF3007-T
товару немає в наявності
UF3008MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3008 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 75
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
UF3008
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3008MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - UF3008 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 75
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: UF300
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
UF3008-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3008-GComchip TechnologyRectifiers 1000V, 3A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3008-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3008-GComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 1200
UF3008-GComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+11.4 грн
Мінімальне замовлення: 1200
UF3008-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF3008-HFComchip TechnologyDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
UF3008-HFComchip TechnologyRectifiers DIODE GEN PURP 1KV 3A DO-27
товару немає в наявності
UF3008-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-27 Ammo
товару немає в наявності
UF300BNA12-H1C2AMechatronics Fan GroupDescription: FAN AXIAL 380X98MM 115VAC
Power (Watts): 200W
Features: Permanent Split Capacitor Motor
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 115VAC
Size / Dimension: Round - 398mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 2950 RPM
Air Flow: 1615.0 CFM (45.22m³/min)
Width: 98.30mm
Weight: 9.9 lbs (4.5 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 78.0dB(A)
Static Pressure: 1.100 in H2O (274.0 Pa)
Part Status: Active
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13930.28 грн
10+ 11958.68 грн
25+ 11423.74 грн
50+ 10355.58 грн
UF300BNA23-H1C2AMechatronics Fan GroupDescription: FAN AXIAL 398X98.3MM 230VAC WIRE
Power (Watts): 200W
Features: Permanent Split Capacitor Motor
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 230VAC
Size / Dimension: Round - 398mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 2950 RPM
Air Flow: 1615.0 CFM (45.22m³/min)
Width: 98.30mm
Weight: 10 lbs (4.5 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 78.0dB(A)
Static Pressure: 1.100 in H2O (274.0 Pa)
Part Status: Active
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13710.71 грн
10+ 12160.51 грн
UF300BNA23H1C2AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; axial; 230VAC; Ø398x98.3mm; 2436m3/h; 75dBA; ball; 2650rpm
Type of fan: AC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 230V AC
Fan dimensions: Ø398x98.3mm
Power consumption: 150W
Current rating: 0.68A
Fan efficiency: 2436m3/h
Noise level: 75dBA
Kind of Bearing: ball
Rotational rate/speed: 2650rpm
Frequency: 50Hz
Impeller material: metal
Enclosure material: metal
Leads: connectors 2,8x0,5mm
Static pressure: 31mm H2O
Kind of motor: 1-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+11801.87 грн
UF300BNA23H1C2AFULLTECHCategory: AC230V Fans
Description: Fan: AC; axial; 230VAC; Ø398x98.3mm; 2436m3/h; 75dBA; ball; 2650rpm
Type of fan: AC
Kind of fan: axial
Supply voltage: 230V AC
Fan dimensions: Ø398x98.3mm
Power consumption: 150W
Current rating: 0.68A
Fan efficiency: 2436m3/h
Noise level: 75dBA
Kind of Bearing: ball
Rotational rate/speed: 2650rpm
Frequency: 50Hz
Impeller material: metal
Enclosure material: metal
Leads: connectors 2,8x0,5mm
Static pressure: 31mm H2O
Kind of motor: 1-phase
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9834.89 грн
UF300G_AY_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF300G_AY_10001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF300G_B0_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF300G_B0_10001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF300G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товару немає в наявності
UF300G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товару немає в наявності
UF300G_R2_00001PanjitRectifiers 50V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товару немає в наявності
UF300G_R2_10001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3010
Код товару: 112495
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
товару немає в наявності
1+20 грн
UF3010
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3010G-AY-00001PanjitRectifiers
товару немає в наявності
UF3010G_AY_00001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3010G_AY_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3010G_B0_00001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3010G_B0_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3010G_F0_000A4PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3010G_F0_000A5PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3010G_F0_100A1PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3010G_F0_100A4PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3010G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
UF3010G_R2_00001PanjitRectifiers 1000V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товару немає в наявності
UF3010G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
UF3010G_R2_10001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF301G_AY_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF301G_AY_10001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF301G_B0_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF301G_B0_10001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF301G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товару немає в наявності
UF301G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товару немає в наявності
UF301G_R2_00001PanjitRectifiers 100V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товару немає в наявності
UF301G_R2_10001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302
Код товару: 112497
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 50 ns
товару немає в наявності
1+20 грн
UF302
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF302G-AY-00001PanjitRectifiers
товару немає в наявності
UF302G-R2-00001PanjitRectifiers DO-201AD/UF/AXIAL/UFG-30H
товару немає в наявності
UF302G_AY_00001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_AY_000A5PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_AY_10001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_AY_100A5PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_B0_00001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_B0_10001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_F0_000A1PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_F0_000A2PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_F0_000A3PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_F0_000A4PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_F0_000A8PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_F0_100A1PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_F0_100A2PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_F0_100A3PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_F0_100A4PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_F0_100A6PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_F0_100A8PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF302G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.1 грн
18+ 16.78 грн
100+ 11.3 грн
500+ 8.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
UF302G_R2_00001PanjitRectifiers 200V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товару немає в наявності
UF302G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UF302G_R2_10001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF304PanJitВипрямний ультрашвидкий діод вивідний; Ur, В = 400; Io, А = 3; If, A = 3; Uf (max), В = 1,1; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 400; trr, нс = 50; С, пФ @ Ur, В; F, МГц = 75; Тексп, °С = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 20; DO-201AD
на замовлення 9 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
9+69.33 грн
10+ 62.4 грн
100+ 7.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
UF304G_AY_00001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF304G_AY_10001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF304G_B0_00001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF304G_B0_10001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF304G_F0_000A1PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF304G_F0_100A1PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF304G_R2_00001PanjitRectifiers 400V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товару немає в наявності
UF304G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
UF304G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
UF304G_R2_10001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF305
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF306
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF306G_AY_00001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF306G_AY_10001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF306G_B0_00001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF306G_B0_10001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF306G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
UF306G_R2_00001PanjitRectifiers 600V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товару немає в наявності
UF306G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
UF306G_R2_10001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF307
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF308G_AY_00001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF308G_AY_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF308G_B0_00001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF308G_B0_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF308G_F0_100A1PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF308G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
UF308G_R2_00001Panjit International Inc.Description: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
UF308G_R2_00001PanjitRectifiers 800V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,DO-201AD,3A
товару немає в наявності
UF308G_R2_10001PanjitRectifiers 800V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF30H04PTGeneSiC SemiconductorRectifiers 400V, 30A Ultra Fast High Effcncy Rectfer
товару немає в наявності
UF31
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF31613-FB4
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF318AAA12-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 318X154MM 115VAC
товару немає в наявності
UF318AAA12-H1C4A-CCMechatronics Fan GroupDescription: FAN IMP MTRZ 318X154.4MM 115VAC
Power (Watts): 160W
Features: Conformal Coating, Permanent Split Capacitor Motor, Thermal Overload Protector (TOP)
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 115VAC
Size / Dimension: Round - 318mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1580 RPM
Air Flow: 1165.0 CFM (32.62m³/min)
Width: 154.4mm
Weight: 8.3 lbs (3.8 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 66.0dB(A)
Static Pressure: 1.600 in H2O (398.6 Pa)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16990.41 грн
UF318AAA23-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 318X154MM 230VAC
Power (Watts): 160W
Features: Permanent Split Capacitor Motor, Thermal Overload Protector (TOP)
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 230VAC
Size / Dimension: Round - 318mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1580 RPM
Air Flow: 1165.0 CFM (32.62m³/min)
Width: 154.4mm
Weight: 8.3 lbs (3.8 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 66.0dB(A)
Static Pressure: 1.600 in H2O (398.6 Pa)
Part Status: Active
товару немає в наявності
UF318AAA23-H1C4A-L32Mechatronics Fan GroupDescription: FAN IMP MTRZ 318X154.4MM 230VAC
Power (Watts): 160W
Features: Permanent Split Capacitor Motor, Thermal Overload Protector (TOP)
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 230VAC
Size / Dimension: Round - 318mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1580 RPM
Air Flow: 1165.0 CFM (32.62m³/min)
Width: 154.4mm
Weight: 8.3 lbs (3.8 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 66.0dB(A)
Static Pressure: 1.600 in H2O (398.6 Pa)
Part Status: Active
товару немає в наявності
UF318AAA23H1C4AFULLTECHUF318AAA23H1C4A AC230V Fans
товару немає в наявності
UF31AB
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF31BA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3205GTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3205LTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670
на замовлення 22800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670CT
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670F
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32670FCT
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864AH
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864AHLFICS09+
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864BH
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864BHLF
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864CH
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864CHLFICS09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32864EHLF
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32AB
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF32F6204ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 50mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Part Status: Active
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.31 грн
10+ 318.41 грн
50+ 300.68 грн
100+ 265.59 грн
500+ 257.29 грн
1000+ 220.77 грн
UF32F6204ZDiodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K
товару немає в наявності
UF32F6204ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 50mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Part Status: Active
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+229.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
UF33ABST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33ABST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BAST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BAST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BBST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BBST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BCST08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33BCST09+ .
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF33F6202ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 25mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.5 грн
10+ 374.37 грн
50+ 363.36 грн
100+ 325.51 грн
500+ 310 грн
1000+ 268.67 грн
UF33F6202ZDiodes IncorporatedDescription: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 25mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
UF33L2501ZDiodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM3225 T&R 3K
товару немає в наявності
UF341605Celduc Inc.Description: FERRITE MAGNET DIA34X16X5MM/RED
товару немає в наявності
UF360AAA12-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 360X167MM 115VAC
Power (Watts): 270W
Features: Permanent Split Capacitor Motor
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 115VAC
Size / Dimension: Round - 360mm Dia
Bearing Type: Ball
RPM: 1600 RPM
Air Flow: 1645.0 CFM (46.06m³/min)
Width: 167.3mm
Weight: 11 lbs (5 kg)
Operating Temperature: -4 ~ 158°F (-20 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cUL, TUV, UL
Fan Type: Motorized Impellers
Noise: 70.0dB(A)
Static Pressure: 2.200 in H2O (548.0 Pa)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23630.41 грн
UF360AAA23-H1C4AMechatronics Fan GroupDescription: IMPELLER 360X167MM 230VAC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21736.45 грн
UF383-100Sunon FansDescription: FAN AXIAL 8X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 8mm L x 8mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13500 RPM
Air Flow: 0.006 CFM (0.0002m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.000 lb (0.30 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 2.1dB(A)
Static Pressure: 0.006 in H2O (1.6 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 300 mW
товару немає в наявності
UF385-100Sunon FansDescription: FAN AXIAL 8X5MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 8mm L x 8mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.010 CFM (0.0003m³/min)
Width: 5.00mm
Weight: 0.001 lb (0.45 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 17.1dB(A)
Static Pressure: 0.012 in H2O (3.0 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 200 mW
товару немає в наявності
UF3ADC COMPONENTSUF3A-DC SMD universal diodes
товару немає в наявності
UF3A3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3A3-500SunonDC Fans DC Fan, 10x3mm, 3VDC, 3.43CFM, 0.29W, 27.3/10cm dBA, 17000RPM, 10.44inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3A3-500SUNONUF3A3-500 Miniature Fans
товару немає в наявності
UF3A3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
товару немає в наявності
UF3A3-500BSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товару немає в наявності
UF3A3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1639.85 грн
10+ 1407.9 грн
25+ 1344.97 грн
50+ 1219.28 грн
100+ 1177.79 грн
250+ 1125.09 грн
500+ 1068.92 грн
UF3A3-500B TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товару немає в наявності
UF3A3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1315.1 грн
10+ 1156.46 грн
25+ 1112.57 грн
50+ 975.41 грн
100+ 899.85 грн
250+ 886.11 грн
500+ 864.83 грн
UF3A3-700SunonDC Fans Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 3.43 L/min, 0.29W, 27.3/10cm dBA, Vapo, 2 Wire, IP55
товару немає в наявності
UF3A3-700SunonDC Fan Vapo Bearing 3V 0.096A 0.29W 17000RPM 0.12CFM Flange Mount
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2743.16 грн
10+ 2601.05 грн
20+ 2392.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
UF3A3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Power (Watts): 290 mW
товару немає в наявності
UF3A3-700 TC
Код товару: 158621
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
UF3A3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, IP55
товару немає в наявності
UF3A3-700-TCSunon6 Poles Brushless DC Motor Fan
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2283.74 грн
25+ 1871.16 грн
100+ 1582.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
UF3A3-700-TCSunon FansDescription: Power Supply
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
UF3A3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1708.94 грн
10+ 1502.82 грн
25+ 1445.69 грн
50+ 1267.47 грн
100+ 1169.28 грн
250+ 1151.44 грн
500+ 1123.78 грн
UF3A3-700BSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, IP58
товару немає в наявності
UF3A3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 10x10x3mm, 3VDC, 10.44"H2O, Vapo, IP58
товару немає в наявності
UF3A3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 10X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 10mm L x 10mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 17000 RPM
Air Flow: 0.121 CFM (0.003m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 21.0dB(A)
Static Pressure: 0.042 in H2O (10.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 290 mW
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1468.65 грн
10+ 1291.75 грн
25+ 1242.65 грн
50+ 1089.46 грн
100+ 1005.07 грн
250+ 989.73 грн
500+ 965.96 грн
UF3A_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 50V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товару немає в наявності
UF3A_R1_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3A_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 50V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товару немає в наявності
UF3A_R2_00001PanjitRectifiers 50V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3BDC COMPONENTSUF3B-DC SMD universal diodes
товару немає в наявності
UF3B_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товару немає в наявності
UF3B_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 100V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товару немає в наявності
UF3B_R1_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3B_R2_00001PanjitRectifiers 100V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3C065030B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1166.93 грн
25+ 976.86 грн
100+ 843.05 грн
250+ 728.08 грн
UF3C065030B3
Код товару: 198848
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
UF3C065030B3QORVODescription: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1101.88 грн
50+ 953.68 грн
100+ 815.49 грн
250+ 767.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065030B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+781.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065030B3QORVODescription: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1268.27 грн
5+ 1185.47 грн
10+ 1101.88 грн
50+ 953.68 грн
100+ 815.49 грн
250+ 767.04 грн
UF3C065030B3QorvoSiC MOSFETs 650V/30mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1442.38 грн
25+ 1412.79 грн
100+ 1063.15 грн
250+ 1026.25 грн
500+ 1018.44 грн
800+ 931.85 грн
2400+ 928.31 грн
UF3C065030K3SQORVODescription: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1302.51 грн
5+ 1217.32 грн
10+ 1131.33 грн
50+ 978.81 грн
100+ 836.64 грн
250+ 828.45 грн
UF3C065030K3SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1480.46 грн
25+ 1451.15 грн
100+ 1091.54 грн
250+ 980.12 грн
600+ 966.63 грн
3000+ 962.37 грн
5400+ 957.4 грн
UF3C065030K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4257.19 грн
UF3C065030K3SUnited Silicon Carbide650V-27mW SiC FET
товару немає в наявності
UF3C065030K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3547.66 грн
UF3C065030K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1713.13 грн
10+ 1552.36 грн
30+ 1139.8 грн
270+ 1018.44 грн
510+ 1017.73 грн
1020+ 999.28 грн
UF3C065030K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+949.67 грн
30+ 766.61 грн
UF3C065030K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 43nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3954.5 грн
3+ 3666.12 грн
5+ 3537.48 грн
UF3C065030K4SQorvoSiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 5309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1621.22 грн
25+ 1403.81 грн
100+ 1056.05 грн
250+ 909.85 грн
600+ 909.14 грн
3000+ 863.01 грн
10200+ 853.79 грн
UF3C065030K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1262.13 грн
25+ 1072.41 грн
100+ 928.98 грн
250+ 739.23 грн
UF3C065030K4SQORVODescription: QORVO - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1317.63 грн
5+ 1231.65 грн
10+ 1144.87 грн
50+ 1032.04 грн
100+ 923.31 грн
250+ 894.65 грн
UF3C065030K4SUnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1540.08 грн
10+ 1395.65 грн
120+ 1025.54 грн
270+ 1004.25 грн
510+ 897.08 грн
1020+ 881.47 грн
UF3C065030K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 43nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
On-state resistance: 27mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4745.4 грн
3+ 4568.55 грн
5+ 4244.98 грн
UF3C065030K4SUnited Silicon Carbide650V-27mW SiC Cascode
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1034.14 грн
17+ 949.18 грн
44+ 924.57 грн
107+ 870.8 грн
UF3C065030T3SQORVODescription: QORVO - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1293.75 грн
5+ 1209.36 грн
10+ 1124.97 грн
50+ 972.9 грн
100+ 831.87 грн
UF3C065030T3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
UF3C065030T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1818.29 грн
25+ 1529.51 грн
100+ 1168.9 грн
250+ 1021.99 грн
500+ 872.24 грн
1000+ 867.98 грн
5000+ 858.75 грн
UF3C065030T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1669.25 грн
10+ 1512.37 грн
50+ 1314.39 грн
100+ 1109.99 грн
500+ 992.18 грн
1000+ 974.44 грн
2500+ 973.73 грн
UF3C065030T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1427.96 грн
25+ 1169.34 грн
100+ 1031.23 грн
250+ 838.78 грн
500+ 709.79 грн
UF3C065040B3United Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+574.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065040B3QorvoSiC MOSFETs 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1112.83 грн
25+ 967.98 грн
100+ 729.59 грн
250+ 616.74 грн
500+ 584.8 грн
2400+ 573.45 грн
4800+ 555.71 грн
UF3C065040B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+930.48 грн
10+ 788.97 грн
100+ 682.34 грн
UF3C065040B3QORVODescription: QORVO - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+778.64 грн
50+ 713.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065040B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
UF3C065040B3QORVODescription: QORVO - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.47 грн
5+ 837.55 грн
10+ 778.64 грн
50+ 713.41 грн
UF3C065040K3SQORVODescription: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+911.6 грн
5+ 852.68 грн
10+ 792.97 грн
50+ 708.98 грн
100+ 629.19 грн
UF3C065040K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3248.31 грн
3+ 3124.01 грн
5+ 2900.96 грн
UF3C065040K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
UF3C065040K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 40A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Version: ESD
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2706.92 грн
3+ 2506.92 грн
5+ 2417.46 грн
UF3C065040K3SQorvoMOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1015.13 грн
25+ 919.83 грн
100+ 675.65 грн
600+ 603.26 грн
UF3C065040K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.67 грн
25+ 742.39 грн
100+ 643.44 грн
250+ 511.77 грн
UF3C065040K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
UF3C065040K4SQorvoSiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1153.4 грн
25+ 1002.26 грн
100+ 755.14 грн
250+ 642.29 грн
600+ 641.58 грн
3000+ 638.74 грн
5400+ 632.36 грн
UF3C065040K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.55 грн
25+ 756.32 грн
100+ 655.39 грн
250+ 521.9 грн
UF3C065040K4SQORVODescription: QORVO - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1140.89 грн
5+ 1060.48 грн
10+ 979.27 грн
50+ 848.7 грн
100+ 727.46 грн
250+ 621 грн
UF3C065040T3SQORVODescription: QORVO - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+972.1 грн
5+ 902.04 грн
10+ 831.98 грн
50+ 722.28 грн
100+ 620.32 грн
250+ 570.5 грн
UF3C065040T3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
UF3C065040T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1296.65 грн
25+ 1087.14 грн
100+ 833.2 грн
250+ 724.62 грн
500+ 616.03 грн
1000+ 584.09 грн
5000+ 578.42 грн
UF3C065040T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+930.48 грн
50+ 724.97 грн
100+ 682.34 грн
500+ 580.31 грн
1000+ 532.29 грн
UF3C065080B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+669.02 грн
10+ 564.79 грн
100+ 409.51 грн
800+ 325.05 грн
2400+ 304.47 грн
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 12452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.58 грн
10+ 306.43 грн
100+ 264.41 грн
UF3C065080B3QORVODescription: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+397.28 грн
50+ 353.38 грн
100+ 312.55 грн
250+ 298.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065080B3UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+603.61 грн
10+ 537.86 грн
100+ 386.79 грн
500+ 337.82 грн
800+ 310.85 грн
2400+ 305.89 грн
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+274.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B3QorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.79 грн
25+ 470.93 грн
100+ 353.44 грн
250+ 320.08 грн
800+ 315.11 грн
2400+ 313.69 грн
4800+ 312.27 грн
UF3C065080B3QORVODescription: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.99 грн
5+ 427.53 грн
10+ 397.28 грн
50+ 353.38 грн
100+ 312.55 грн
250+ 298.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080B7SQORVODescription: QORVO - UF3C065080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27 A, 650 V, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+540.59 грн
5+ 505.56 грн
10+ 469.73 грн
50+ 419.18 грн
100+ 371.24 грн
250+ 355.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+806.47 грн
10+ 718.23 грн
100+ 517.38 грн
500+ 450.67 грн
800+ 422.28 грн
2400+ 414.47 грн
UF3C065080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.21 грн
25+ 439.58 грн
100+ 381.15 грн
250+ 303.79 грн
UF3C065080B7SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
UF3C065080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+336.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B7SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.98 грн
25+ 557.45 грн
100+ 418.73 грн
250+ 379.7 грн
800+ 373.31 грн
2400+ 371.89 грн
4800+ 369.76 грн
UF3C065080K3SQorvoMOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.25 грн
25+ 397.48 грн
100+ 320.08 грн
600+ 319.37 грн
3000+ 315.82 грн
5400+ 310.85 грн
10200+ 307.31 грн
UF3C065080K3SQORVODescription: QORVO - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.43 грн
5+ 458.58 грн
10+ 426.74 грн
50+ 379.99 грн
100+ 335.07 грн
250+ 320.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 12121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.36 грн
30+ 311.88 грн
120+ 288.99 грн
UF3C065080K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
UF3C065080K4SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+610.24 грн
25+ 522.35 грн
100+ 392.47 грн
250+ 350.6 грн
600+ 349.18 грн
3000+ 347.05 грн
5400+ 346.34 грн
UF3C065080K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 43nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
On-state resistance: 80mΩ
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1882.9 грн
2+ 1654.52 грн
3+ 1615.34 грн
UF3C065080K4SQORVODescription: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.15 грн
5+ 474.51 грн
10+ 441.07 грн
50+ 404.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.18 грн
30+ 322.16 грн
120+ 298.51 грн
UF3C065080K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
UF3C065080K4SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 43nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
On-state resistance: 80mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2259.48 грн
2+ 2061.79 грн
3+ 1938.41 грн
5+ 1909.13 грн
UF3C065080T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.33 грн
25+ 437.07 грн
100+ 386.06 грн
250+ 313.78 грн
500+ 265.9 грн
1000+ 251.51 грн
UF3C065080T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+681.44 грн
10+ 607.23 грн
50+ 527.32 грн
100+ 437.18 грн
500+ 380.41 грн
1000+ 356.99 грн
2500+ 351.31 грн
UF3C065080T3SUnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+592.85 грн
10+ 528.88 грн
50+ 459.19 грн
100+ 380.41 грн
500+ 330.73 грн
1000+ 310.85 грн
2500+ 305.89 грн
UF3C065080T3SQORVODescription: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+466.55 грн
5+ 436.29 грн
10+ 405.24 грн
50+ 350.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.56 грн
25+ 480.72 грн
100+ 360.53 грн
250+ 332.15 грн
500+ 308.73 грн
1000+ 297.37 грн
5000+ 281.76 грн
UF3C120040K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
UF3C120040K3SQORVODescription: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2092.29 грн
5+ 1673.52 грн
10+ 1476.87 грн
50+ 1311.49 грн
100+ 1156.7 грн
200+ 1156.02 грн
500+ 1155.33 грн
UF3C120040K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2517.12 грн
25+ 2189.79 грн
100+ 1650.09 грн
250+ 1396.72 грн
600+ 1322.2 грн
3000+ 1295.23 грн
5400+ 1256.19 грн
UF3C120040K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1940.8 грн
25+ 1649.44 грн
100+ 1429.65 грн
250+ 1138.05 грн
UF3C120040K4SQORVODescription: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2027.8 грн
5+ 1895.64 грн
10+ 1762.68 грн
50+ 1524.41 грн
100+ 1303.42 грн
UF3C120040K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2511.32 грн
25+ 2180.81 грн
100+ 1642.28 грн
250+ 1400.27 грн
600+ 1399.56 грн
3000+ 1388.91 грн
5400+ 1381.1 грн
UF3C120040K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1940.8 грн
25+ 1649.44 грн
100+ 1429.65 грн
250+ 1138.05 грн
UF3C120040K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1268.5 грн
Мінімальне замовлення: 600
UF3C120080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1179.9 грн
10+ 1069.18 грн
100+ 785.65 грн
500+ 701.2 грн
800+ 688.42 грн
UF3C120080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+654.1 грн
10+ 554.61 грн
100+ 527.8 грн
UF3C120080B7SQORVODescription: QORVO - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.47 грн
5+ 837.55 грн
10+ 778.64 грн
50+ 694.93 грн
100+ 614.86 грн
250+ 588.93 грн
UF3C120080B7SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1109.52 грн
25+ 964.71 грн
100+ 726.75 грн
250+ 618.87 грн
800+ 617.45 грн
2400+ 613.19 грн
4800+ 609.64 грн
UF3C120080B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+548.1 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120080K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 17614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1006.48 грн
25+ 854.85 грн
100+ 741.1 грн
250+ 588.09 грн
500+ 557.19 грн
UF3C120080K3SQORVODescription: QORVO - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.91 грн
5+ 945.83 грн
10+ 879.75 грн
50+ 761.46 грн
100+ 651.03 грн
250+ 639.43 грн
UF3C120080K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1217.16 грн
25+ 1043.07 грн
100+ 782.81 грн
250+ 699.07 грн
600+ 698.36 грн
3000+ 695.52 грн
5400+ 692.68 грн
UF3C120080K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
UF3C120080K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1217.99 грн
25+ 1043.88 грн
100+ 783.52 грн
250+ 699.78 грн
600+ 699.07 грн
3000+ 696.23 грн
5400+ 693.39 грн
UF3C120080K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1026.44 грн
30+ 800.52 грн
120+ 753.44 грн
510+ 640.79 грн
1020+ 587.76 грн
UF3C120080K4SQORVODescription: QORVO - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1012.71 грн
5+ 946.63 грн
10+ 880.55 грн
50+ 762.2 грн
100+ 651.71 грн
250+ 634.65 грн
UF3C120150B7SQorvoSiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+602.78 грн
25+ 515.82 грн
100+ 386.79 грн
250+ 351.31 грн
800+ 345.63 грн
2400+ 343.5 грн
4800+ 342.79 грн
UF3C120150B7SQorvoDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+316.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120150B7SQORVODescription: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.58 грн
5+ 468.14 грн
10+ 434.7 грн
50+ 388.12 грн
100+ 343.94 грн
250+ 329.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120150B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+753.48 грн
10+ 671.71 грн
100+ 483.32 грн
500+ 439.31 грн
800+ 400.28 грн
UF3C120150B7SQorvoDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+472.92 грн
25+ 395.37 грн
100+ 341.31 грн
250+ 294.93 грн
UF3C120150K3SUnitedSiCDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
товару немає в наявності
UF3C120150K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.9 грн
25+ 467.7 грн
100+ 403.49 грн
250+ 348.85 грн
UF3C120150K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+929.02 грн
10+ 827.6 грн
120+ 595.45 грн
510+ 518.09 грн
1020+ 469.83 грн
2520+ 461.31 грн
UF3C120150K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+712.08 грн
25+ 609.68 грн
100+ 457.77 грн
250+ 421.57 грн
600+ 409.51 грн
3000+ 378.99 грн
5400+ 366.21 грн
UF3C120150K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3C120150K4SQORVODescription: QORVO - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+592.34 грн
5+ 553.33 грн
10+ 514.32 грн
50+ 445.05 грн
100+ 380.79 грн
250+ 376.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.51 грн
25+ 272.38 грн
100+ 235.2 грн
250+ 202.96 грн
UF3C120400B7SQorvoSiC MOSFETs UF3C120400B7S
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.83 грн
25+ 355.03 грн
100+ 266.85 грн
250+ 245.56 грн
500+ 237.75 грн
2400+ 220.72 грн
4800+ 212.91 грн
UF3C120400B7SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
UF3C120400B7SQORVODescription: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.88 грн
5+ 335.18 грн
10+ 314.48 грн
50+ 272.8 грн
100+ 234.07 грн
250+ 227.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
UF3C120400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+217.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120400K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3C120400K3SQORVODescription: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+435.5 грн
5+ 407.63 грн
10+ 378.97 грн
50+ 328.24 грн
100+ 280.47 грн
250+ 277.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120400K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.12 грн
25+ 449.71 грн
100+ 337.11 грн
250+ 300.92 грн
600+ 300.21 грн
3000+ 298.79 грн
5400+ 297.37 грн
UF3C120400K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
UF3C120400K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.6 грн
30+ 394.51 грн
120+ 352.98 грн
510+ 292.29 грн
UF3C120400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+741.89 грн
10+ 660.28 грн
100+ 476.22 грн
600+ 413.76 грн
1200+ 348.47 грн
3000+ 334.99 грн
UF3C170400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.85 грн
25+ 357.52 грн
100+ 308.19 грн
250+ 266.39 грн
UF3C170400B7SUnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, ENHANCED Rth
на замовлення 800 шт:
термін постачання 50-59 дні (днів)
1+587.05 грн
10+ 523.17 грн
100+ 376.15 грн
500+ 327.89 грн
1000+ 307.31 грн
2500+ 297.37 грн
UF3C170400B7SQorvoDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 7150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+286 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C170400B7SQorvoSiC MOSFETs UF3C170400B7S
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544 грн
25+ 466.03 грн
100+ 349.18 грн
250+ 322.21 грн
500+ 312.98 грн
2400+ 289.56 грн
4800+ 279.63 грн
UF3C170400B7SQORVODescription: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.34 грн
5+ 439.48 грн
10+ 411.61 грн
50+ 357.08 грн
100+ 305.72 грн
250+ 287.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3SUnited Silicon Carbide1700V 410Mw Sic FET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+382.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+808.96 грн
10+ 720.68 грн
100+ 518.8 грн
250+ 452.09 грн
600+ 393.18 грн
1200+ 378.99 грн
UF3C170400K3SQORVODescription: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+532.63 грн
5+ 497.6 грн
10+ 462.57 грн
50+ 413.26 грн
100+ 367.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 75974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509 грн
25+ 432.96 грн
100+ 375.17 грн
250+ 298.34 грн
UF3C170400K3SUnited Silicon Carbide1700V 410Mw Sic FET
товару немає в наявності
UF3C170400K3SQorvoMOSFET 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.31 грн
25+ 430.94 грн
100+ 347.05 грн
600+ 346.34 грн
10200+ 345.63 грн
UF3C3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 300 mW
товару немає в наявності
UF3C3-500SunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3C3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Operating voltage: 2...3.5V DC
Current rating: 97mA
Operating temperature: -10...70°C
Leads: lead FPCB
Min. insulation resistance: 20MΩ
Version: Might&Mini
Kind of fan: axial
Enclosure material: thermoplastic
Supply voltage: 3V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 12x12x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Power consumption: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
UF3C3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Operating voltage: 2...3.5V DC
Current rating: 97mA
Operating temperature: -10...70°C
Leads: lead FPCB
Min. insulation resistance: 20MΩ
Version: Might&Mini
Kind of fan: axial
Enclosure material: thermoplastic
Supply voltage: 3V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 12x12x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Power consumption: 0.3W
товару немає в наявності
UF3C3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
товару немає в наявності
UF3C3-500BSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товару немає в наявності
UF3C3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1803.37 грн
UF3C3-500B TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товару немає в наявності
UF3C3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1326.62 грн
10+ 1166.74 грн
25+ 1122.41 грн
50+ 984.05 грн
100+ 907.82 грн
250+ 893.96 грн
UF3C3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Operating voltage: 2...3.5V DC
Current rating: 97mA
Operating temperature: -10...70°C
Leads: lead FPCB
Min. insulation resistance: 20MΩ
Version: Might&Mini
Kind of fan: axial
Enclosure material: thermoplastic
Supply voltage: 3V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 12x12x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Power consumption: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2586.23 грн
10+ 2162.21 грн
50+ 1752.99 грн
UF3C3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Operating voltage: 2...3.5V DC
Current rating: 97mA
Operating temperature: -10...70°C
Leads: lead FPCB
Min. insulation resistance: 20MΩ
Version: Might&Mini
Kind of fan: axial
Enclosure material: thermoplastic
Supply voltage: 3V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 12x12x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Power consumption: 0.3W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2155.19 грн
UF3C3-700SunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3C3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3C3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, IP55
товару немає в наявності
UF3C3-700BSunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP58, Mighty Mini Series
товару немає в наявності
UF3C3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2343.85 грн
10+ 2061.13 грн
25+ 1982.85 грн
50+ 1738.39 грн
100+ 1603.74 грн
250+ 1579.25 грн
UF3C3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, IP58
товару немає в наявності
UF3C3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+987.29 грн
10+ 860.16 грн
UF3DDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
UF3DDC COMPONENTSCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 50ns; SMC; Ufmax: 1V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
UF3D-R1-00001PanjitRectifiers SMC/ULTRA/SMD/USM-30H
товару немає в наявності
UF3D-R2-00001PanjitRectifiers
товару немає в наявності
UF3DL-6253E3/72Vishay1A,300V,50NS,UF PLASTIC RECT
товару немає в наявності
UF3DL-6253E3/72Vishay1A,300V,50NS,UF PLASTIC RECT
товару немає в наявності
UF3D_R1_00001Panjit International Inc.Description: SMC, ULTRA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+ 22.4 грн
100+ 14.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
UF3D_R1_00001PanjitRectifiers 200V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.44 грн
14+ 24.49 грн
100+ 13.2 грн
500+ 12.7 грн
800+ 7.88 грн
2400+ 6.88 грн
9600+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3D_R1_00001Panjit International Inc.Description: SMC, ULTRA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3D_R2_00001PanjitRectifiers 200V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3F3-500SunonDC Fans DC Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75CFM, 0.1W, 30.0/30cm dBA, 14500RPM, 20.36inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3F3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1733.51 грн
UF3F3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1314.86 грн
10+ 1238.95 грн
25+ 1013.47 грн
50+ 974.44 грн
100+ 897.79 грн
250+ 839.59 грн
500+ 826.82 грн
UF3F3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Power (Watts): 100 mW
товару немає в наявності
UF3F3-500BSunonDC Fans DC Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75CFM, 0.1W, 30.0/30cm dBA, 14500RPM, 20.36inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP58, Mighty Mini Series
товару немає в наявності
UF3F3-500B TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
товару немає в наявності
UF3F3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
товару немає в наявності
UF3F3-700SunonDC Fans Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75 L/min, 0.1W, Vapo, Leads, IP55, MagLev, Mighty Mini
товару немає в наявності
UF3F3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 15x15x3mm; 0.53m3/h; 20.2dBA; Vapo; 2.08mmH2O
Operating temperature: -10...70°C
Version: Might&Mini
Fan efficiency: 0.53m3/h
Static pressure: 2.08mm H2O
Noise level: 20.2dBA
Rotational rate/speed: 14500 (±30%)rpm
Power consumption: 100mW
Kind of fan: axial
Min. insulation resistance: 20MΩ
Enclosure material: thermoplastic
Current rating: 36mA
Supply voltage: 3V DC
Leads: lead FPCB
Operating voltage: 2...3.5V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 15x15x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
UF3F3-700SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 15x15x3mm; 0.53m3/h; 20.2dBA; Vapo; 2.08mmH2O
Operating temperature: -10...70°C
Version: Might&Mini
Fan efficiency: 0.53m3/h
Static pressure: 2.08mm H2O
Noise level: 20.2dBA
Rotational rate/speed: 14500 (±30%)rpm
Power consumption: 100mW
Kind of fan: axial
Min. insulation resistance: 20MΩ
Enclosure material: thermoplastic
Current rating: 36mA
Supply voltage: 3V DC
Leads: lead FPCB
Operating voltage: 2...3.5V DC
Type of fan: DC
Fan dimensions: 15x15x3mm
Impeller material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
товару немає в наявності
UF3F3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
товару немає в наявності
UF3F3-700
Код товару: 129707
Корпусні та встановлювальні вироби > Вентилятори та аксесуари
товару немає в наявності
UF3F3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, IP55
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1359.58 грн
10+ 1277.31 грн
25+ 943.92 грн
100+ 881.47 грн
250+ 868.69 грн
500+ 867.27 грн
UF3F3-700-TCSunon FansDescription: Thermal Products
Features: Auto Restart
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Power (Watts): 100 mW
товару немає в наявності
UF3F3-700BSunonDC Fans DC Fan, 15x3mm, 3VDC, 8.75CFM, 0.1W, 30.0/30cm dBA, 14500RPM, 20.36inch H2O, Vapo Bearing, 2 Lead Wire, IP58, Mighty Mini Series
товару немає в наявності
UF3F3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2254.79 грн
10+ 1983.5 грн
25+ 1908.19 грн
50+ 1672.95 грн
100+ 1543.36 грн
250+ 1519.79 грн
UF3F3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 15x15x3mm, 3VDC, 20.36"H2O, Vapo, IP58
товару немає в наявності
UF3F3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 15X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 14500 RPM
Air Flow: 0.309 CFM (0.009m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.082 in H2O (20.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1213 грн
10+ 1114.99 грн
25+ 1048.66 грн
50+ 946.75 грн
100+ 872.01 грн
250+ 815.95 грн
500+ 790.32 грн
UF3GDC COMPONENTSUF3G-DC SMD universal diodes
товару немає в наявності
UF3GL-5700/22T
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF3G_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
UF3G_R1_00001PanjitRectifiers 400V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
товару немає в наявності
UF3G_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.48 грн
12+ 26.17 грн
100+ 18.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3G_R2_00001PanjitRectifiers 400V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3H3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 100 mW
товару немає в наявності
UF3H3-500SunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
товару немає в наявності
UF3H3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1314.86 грн
10+ 1238.95 грн
25+ 1013.47 грн
50+ 974.44 грн
100+ 897.79 грн
250+ 839.59 грн
500+ 826.82 грн
UF3H3-500BSunonDC Fans DC Fan, 17x3mm, 3VDC, 16.27CFM, 0.1W, 32.0/30cm dBA, 13000RPM, 21.21inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP58, Mighty Mini Series
товару немає в наявності
UF3H3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1652.13 грн
10+ 1452.55 грн
25+ 1397.4 грн
50+ 1225.12 грн
UF3H3-500B TCSunonDC Fans Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 16.27 L/min, 0.1W, 32.0/30cm dBA, Vapo, Tach, 3 Wire, IP58
товару немає в наявності
UF3H3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.08 грн
10+ 859.27 грн
25+ 808.16 грн
50+ 729.62 грн
100+ 672.01 грн
250+ 628.81 грн
UF3H3-700Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+849.87 грн
10+ 780.69 грн
25+ 734.23 грн
50+ 662.89 грн
100+ 610.56 грн
250+ 571.31 грн
500+ 553.36 грн
UF3H3-700SunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, IP55
товару немає в наявності
UF3H3-700 /Sunon
Код товару: 113662
Корпусні та встановлювальні вироби > Вентилятори та аксесуари
товару немає в наявності
UF3H3-700 TCSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, IP55
товару немає в наявності
UF3H3-700BSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, IP58
товару немає в наявності
UF3H3-700BSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1151.58 грн
UF3H3-700B TCSunonDC Fans Axial Fan, 17x17x3mm, 3VDC, 21.21"H2O, Vapo, IP58
товару немає в наявності
UF3H3-700TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Packaging: Tray
Features: Auto Restart
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1175.38 грн
10+ 1080.54 грн
25+ 1016.19 грн
50+ 917.46 грн
100+ 845.03 грн
UF3H3-710Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
на замовлення 3218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.33 грн
10+ 663.14 грн
25+ 633.6 грн
50+ 574.38 грн
100+ 554.85 грн
250+ 530.03 грн
500+ 503.59 грн
UF3H3-710 V2Sunon FansDescription: FAN AXIAL 17X3MM VAPO 3VDC
Packaging: Bulk
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.575 CFM (0.016m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 2 Position Rectangular Connector
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.085 in H2O (21.2 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 mW
товару немає в наявності
UF3JDC COMPONENTSUF3J-DC SMD universal diodes
товару немає в наявності
UF3J_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
UF3J_R1_00001PanjitRectifiers 600V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
товару немає в наявності
UF3J_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.48 грн
12+ 26.17 грн
100+ 18.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3J_R2_00001PanjitRectifiers 600V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3KDC COMPONENTSUF3K-DC SMD universal diodes
товару немає в наявності
UF3K_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товару немає в наявності
UF3K_R1_00001PanjitRectifiers 800V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.37 грн
13+ 26.85 грн
100+ 16.25 грн
500+ 12.7 грн
800+ 10.22 грн
2400+ 9.16 грн
9600+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
UF3K_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.48 грн
12+ 26.17 грн
100+ 18.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3MDC COMPONENTSUF3M-DC SMD universal diodes
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
37+7.82 грн
235+ 4.42 грн
646+ 4.18 грн
Мінімальне замовлення: 37
UF3M-R1-00001PanjitRectifiers SMC/ULTRA/SMD/USM-30H
товару немає в наявності
UF3M-R2-00001PanjitRectifiers SMC/UF/SMD/USM-30H
товару немає в наявності
UF3M_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.08 грн
12+ 26.84 грн
100+ 16.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
UF3M_R1_00001PanjitRectifiers 1000V,Ultra Fast Recovery Rectifiers,SMC,3A
товару немає в наявності
UF3M_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 63pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC (DO-214AB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+15.47 грн
1600+ 10.13 грн
2400+ 9.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3M_R2_00001PanjitRectifiers 1000V Ultra Fast Recovery Rectifiers 3A
товару немає в наявності
UF3N170400B7SQorvoDescription: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 12353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509 грн
25+ 432.96 грн
100+ 375.17 грн
250+ 298.34 грн
UF3N170400B7SUnited Silicon CarbideUF3N170400B7S
товару немає в наявності
UF3N170400B7SQorvoJFETs 1700V/400mO,SIC,JFET,G3,TO263-7
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+640.04 грн
25+ 548.47 грн
100+ 411.63 грн
250+ 378.99 грн
500+ 366.92 грн
2400+ 340.66 грн
4800+ 328.6 грн
UF3N170400B7SQorvoDescription: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+330.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3N170400B7SUnited Silicon Carbide1700V - 400mW SiC Normally-on JFET
товару немає в наявності
UF3N170400B7SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UF3N170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6.8 A, 1.7 kV, 400 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -6.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.83 грн
5+ 758.73 грн
10+ 695.84 грн
50+ 590.69 грн
100+ 494.07 грн
250+ 484.52 грн
UF3SC065007K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/7mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-4L
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6784.63 грн
10+ 6353.89 грн
120+ 5292.34 грн
510+ 5196.53 грн
UF3SC065007K4SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3SC065007K4SQORVODescription: QORVO - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5642.34 грн
5+ 5501.42 грн
10+ 5360.5 грн
50+ 4938.43 грн
UF3SC065007K4SQorvoMOSFET 650V/7mOhms,SiCFET,G3,TO247-4
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6787.12 грн
25+ 6356.34 грн
100+ 5250.47 грн
250+ 4657.85 грн
600+ 4410.87 грн
3000+ 4322.87 грн
5400+ 4190.86 грн
UF3SC065007K4SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 100 V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5233.55 грн
25+ 4788.32 грн
100+ 4548.6 грн
UF3SC065030B7SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
UF3SC065030B7SQORVODescription: QORVO - UF3SC065030B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1243.59 грн
5+ 1162.38 грн
10+ 1080.38 грн
50+ 934.46 грн
100+ 799.11 грн
250+ 790.92 грн
UF3SC065030B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, FAST STACK CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1651.03 грн
10+ 1496.04 грн
100+ 1098.64 грн
500+ 979.41 грн
800+ 960.95 грн
UF3SC065030B7SQorvoDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+771.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC065030B7SQorvoSiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1495.37 грн
25+ 1280.57 грн
100+ 960.95 грн
250+ 884.3 грн
500+ 858.04 грн
2400+ 794.88 грн
4800+ 767.91 грн
UF3SC065030B7SQorvoDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1189.97 грн
25+ 1011.31 грн
100+ 876.52 грн
250+ 697.17 грн
UF3SC065030D8SUnitedSiCDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
товару немає в наявності
UF3SC065030D8SUnitedSiCDescription: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
товару немає в наявності
UF3SC065030D8SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 650V 18A 5-Pin DFN
товару немає в наявності
UF3SC065040B7SQorvoDescription: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+627.99 грн
10+ 532.8 грн
100+ 507.03 грн
UF3SC065040B7SQorvoSiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1065.64 грн
25+ 926.35 грн
100+ 698.36 грн
250+ 594.03 грн
2400+ 589.77 грн
4800+ 585.51 грн
9600+ 581.97 грн
UF3SC065040B7SQORVODescription: QORVO - UF3SC065040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 42 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+861.44 грн
5+ 804.91 грн
10+ 748.38 грн
50+ 667.58 грн
100+ 590.97 грн
250+ 565.72 грн
UF3SC065040B7SQorvoDescription: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+526.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC065040D8SUnitedSiCMOSFET 650V/40mOhm SiC STACKED FAST CASCODE G3 DFN8 REDUCED Rth
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UF3SC065040D8SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
товару немає в наявності
UF3SC065040D8SQorvoDescription: SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
UF3SC120009K4SQORVODescription: QORVO - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5792.82 грн
5+ 5655.08 грн
10+ 5516.55 грн
50+ 4994.61 грн
UF3SC120009K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8512 pF @ 100 V
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5496.11 грн
25+ 4794.3 грн
100+ 4298.27 грн
UF3SC120009K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/9mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5510.34 грн
3000+ 5420.19 грн
5400+ 4703.99 грн
10200+ 4696.18 грн
UF3SC120009K4SUnited Silicon Carbide1200V-8.6mW SiC FET
товару немає в наявності
UF3SC120009K4SUnited Silicon Carbide1200V-8.6mW SiC FET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5008.38 грн
UF3SC120016K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3356.47 грн
25+ 2879.87 грн
100+ 2527.29 грн
250+ 2253.36 грн
UF3SC120016K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/16mOhm, SiC, N-OFF STACKED CASCODE, G3 FAST, TO-247-3L
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4668.26 грн
10+ 4293.88 грн
120+ 3248.36 грн
510+ 3192.29 грн
5010+ 3191.59 грн
UF3SC120016K3SUnited Silicon Carbide1200V 16mOhm SiC MOSFETs
товару немає в наявності
UF3SC120016K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4756.86 грн
25+ 4074.33 грн
100+ 3057.45 грн
250+ 2815.44 грн
600+ 2730.27 грн
3000+ 2528 грн
5400+ 2444.97 грн
UF3SC120016K3SQORVODescription: QORVO - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3955.29 грн
5+ 3696.54 грн
10+ 3437 грн
50+ 2754.58 грн
UF3SC120016K4SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UF3SC120016K4SQorvoMOSFET 1200V/16mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4617.76 грн
25+ 4133.91 грн
100+ 3239.14 грн
250+ 3077.32 грн
600+ 2969.44 грн
UF3SC120016K4SQORVODescription: QORVO - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4552.41 грн
5+ 4254.65 грн
10+ 3956.09 грн
50+ 3216.63 грн
UF3SC120016K4SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3560.68 грн
25+ 3114.29 грн
100+ 2806.18 грн
UF3SC120040B7SQorvoSiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2300.18 грн
25+ 1997.17 грн
100+ 1505.3 грн
250+ 1281.74 грн
800+ 1281.03 грн
2400+ 1271.1 грн
4800+ 1264 грн
UF3SC120040B7SQORVODescription: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1855.83 грн
5+ 1734.82 грн
10+ 1613.8 грн
50+ 1395.77 грн
100+ 1193.55 грн
UF3SC120040B7SQorvoDescription: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1143.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC120040B7SUnited Silicon Carbide1200V-35mW SiC FET
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1472.39 грн
12+ 1338.2 грн
31+ 1285.56 грн
75+ 1183.53 грн
UF3SC120040B7SQorvoDescription: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1708.18 грн
25+ 1430.34 грн
100+ 1233.93 грн
250+ 1066.44 грн
UF3SC170400B7SUnited Silicon CarbideUF3SC170400B7S
товару немає в наявності