Продукція > TQM

MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.15 грн
10+	192.47 грн
100+	132.59 грн
250+	122.45 грн
500+	110.85 грн
1000+	101.43 грн
2500+	87.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM019NH04CR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9044 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	215.53 грн
10+	172.3 грн
100+	137.12 грн
500+	108.88 грн
1000+	92.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM019NH04CR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9044 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

TQM019NH04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN EP Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	103.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM019NH04CR-V

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin PDFN EP T/R

товар відсутній

TQM019NH04CR-V

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin PDFN EP T/R

товар відсутній

TQM019NH04CR-V RLG

MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	524.92 грн
10+	434.94 грн
25+	356.47 грн
100+	305.75 грн
250+	288.36 грн
500+	271.7 грн
1000+	232.58 грн

TQM019NH04CR-V RLG

товар відсутній

TQM019NH04LCR

TQM019NH04LCR

товар відсутній

TQM019NH04LCR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 214A Automotive 8-Pin PDFN EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	103.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM019NH04LCR RLG

MOSFET 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.15 грн
10+	192.47 грн
100+	132.59 грн
250+	122.45 грн
500+	110.85 грн
1000+	101.43 грн
2500+	87.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM019NH04LCR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	97.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM019NH04LCR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 214A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

товар відсутній

TQM019NH04LCR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	215.53 грн
10+	172.3 грн
100+	137.12 грн
500+	108.88 грн
1000+	92.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM025NB04CR RLG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 24A; 45W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

TQM025NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.67 грн
10+	128.53 грн
100+	102.29 грн
500+	81.22 грн
1000+	68.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM025NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 0.0018 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	360.87 грн
100+	291.79 грн
500+	248.3 грн
1000+	196.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

TQM025NB04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 8-Pin PDFN EP

товар відсутній

TQM025NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	72.45 грн
5000+	67.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM025NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 0.0018 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	488.48 грн
10+	360.87 грн
100+	291.79 грн
500+	248.3 грн
1000+	196.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM025NB04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 8-Pin PDFN EP

товар відсутній

TQM025NB04CR RLG

MOSFETs 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.13 грн
10+	143.31 грн
100+	99.26 грн
500+	84.05 грн
1000+	71.44 грн
2500+	65.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM025NB04CR RLG

товар відсутній

TQM025NH04CR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.18 грн
10+	123.7 грн
100+	98.46 грн
500+	78.19 грн
1000+	66.34 грн
2000+	63.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM025NH04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN EP Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	73.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM025NH04CR RLG

MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.42 грн
10+	143.31 грн
100+	90.57 грн
250+	89.12 грн
500+	72.45 грн
1000+	62.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM025NH04CR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	67.12 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM025NH04CR-V

TQM025NH04CR-V

товар відсутній

TQM025NH04CR-V RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

TQM025NH04LCR

Trans MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	288.8 грн
10+	274.71 грн
25+	266.4 грн
50+	244.4 грн
100+	220.59 грн
250+	211.47 грн
500+	211.17 грн
1000+	210.8 грн
3000+	210.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM025NH04LCR

Trans MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	311.02 грн
42+	295.84 грн
43+	286.9 грн
50+	263.2 грн
100+	237.56 грн
250+	227.74 грн
500+	227.41 грн
1000+	227.01 грн
3000+	226.69 грн

Мінімальне замовлення: 40

TQM025NH04LCR RLG

MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	168.21 грн
10+	138.31 грн
100+	95.64 грн
250+	88.39 грн
500+	80.42 грн
1000+	72.45 грн
2500+	62.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM025NH04LCR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.18 грн
10+	123.7 грн
100+	98.46 грн
500+	78.19 грн
1000+	66.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM025NH04LCR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	69.74 грн
5000+	64.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM025NH04LCR-V RLG

MOSFET 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

товар відсутній

TQM025NH04LCR-V RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

TQM032NH04CR RLG

MOSFETs 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.56 грн
10+	109.15 грн
100+	76.08 грн
250+	70.06 грн
500+	63.25 грн
1000+	57.31 грн
2500+	49.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM032NH04CR RLG

Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4344 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.28 грн
5000+	51.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM032NH04CR RLG

Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4344 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.26 грн
10+	98.04 грн
100+	78.06 грн
500+	61.98 грн
1000+	52.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM032NH04CR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 143A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	58.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM032NH04LCR RLG

Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.26 грн
10+	98.04 грн
100+	78.06 грн
500+	61.98 грн
1000+	52.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM032NH04LCR RLG

Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.28 грн
5000+	51.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM032NH04LCR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 143A 8-Pin PDFN EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	58.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM032NH04LCR RLG

MOSFETs 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.56 грн
10+	109.15 грн
100+	76.08 грн
250+	70.06 грн
500+	63.25 грн
1000+	57.31 грн
2500+	49.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM033NB04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 121A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

товар відсутній

TQM033NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.86 грн
10+	88.76 грн
100+	69.02 грн
500+	54.9 грн
1000+	44.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM033NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0022 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	255.1 грн
500+	169.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM033NB04CR RLG

MOSFETs 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4366 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.95 грн
10+	101.65 грн
100+	68.76 грн
500+	58.18 грн
1000+	47.38 грн
2500+	44.56 грн
5000+	42.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM033NB04CR RLG

TQM033NB04CR-RLG SMD N channel transistors

товар відсутній

TQM033NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.58 грн
5000+	42.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM033NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0022 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	415.33 грн
10+	334.86 грн
25+	304.79 грн
100+	255.1 грн
500+	169.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM043NH04CR RLG

MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.33 грн
2500+	107.48 грн
5000+	51.15 грн
10000+	44.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM043NH04CR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 113A

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	52.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM043NH04LCR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 113A Automotive 8-Pin PDFN-U EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	52.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM043NH04LCR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.72 грн
10+	87.85 грн
100+	69.9 грн
500+	55.51 грн
1000+	47.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM043NH04LCR RLG

MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.17 грн
2500+	109.15 грн
10000+	51.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM043NH04LCR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	49.51 грн
5000+	45.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM050NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

TQM050NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 0.0043 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.87 грн
10+	121.92 грн
100+	121.1 грн
500+	111.7 грн
1000+	102.41 грн
2000+	101.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

TQM050NB06CR RLG

MOSFETs 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 7818 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.85 грн
10+	116.65 грн
100+	81.15 грн
250+	74.63 грн
500+	67.38 грн
1000+	58.25 грн
2500+	55.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM050NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 0.0043 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121.1 грн
500+	111.7 грн
1000+	102.41 грн
2000+	101.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM050NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.75 грн
10+	102.64 грн
100+	81.71 грн
500+	64.88 грн
1000+	55.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM050NB06CR RLG

Trans MOSFET N-CH 60V 104A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

товар відсутній

TQM056NH04CR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.8 грн
5000+	38.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM056NH04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive 8-Pin PDFN EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM056NH04CR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.1 грн
10+	79.62 грн
100+	61.92 грн
500+	49.26 грн
1000+	40.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM056NH04CR RLG

MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.95 грн
10+	94.15 грн
100+	58.4 грн
500+	46.37 грн
1000+	42.53 грн
2500+	37.39 грн
5000+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM056NH04LCR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

товар відсутній

TQM056NH04LCR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.8 грн
5000+	38.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM056NH04LCR RLG

MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.95 грн
10+	94.15 грн
100+	58.4 грн
500+	46.37 грн
1000+	42.53 грн
2500+	37.39 грн
5000+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM056NH04LCR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.1 грн
10+	79.62 грн
100+	61.92 грн
500+	49.26 грн
1000+	40.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM070NB04CR RLG

MOSFETs 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.22 грн
10+	69.99 грн
100+	47.38 грн
500+	38.26 грн
1000+	32.68 грн
2500+	28.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM070NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.35 грн

Мінімальне замовлення: 9

TQM070NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.94 грн
10+	62.94 грн
100+	48.96 грн
500+	38.94 грн
1000+	31.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM070NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.05 грн
5000+	30.31 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM070NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM070NH04CR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.86 грн
10+	66.34 грн
100+	51.58 грн
500+	41.03 грн
1000+	33.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM070NH04CR RLG

MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.29 грн
10+	73.66 грн
100+	49.85 грн
500+	42.31 грн
1000+	36.08 грн
2500+	30.65 грн
10000+	30.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM070NH04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive 8-Pin PDFN EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM070NH04CR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM070NH04LCR RLG

MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.29 грн
10+	73.66 грн
100+	49.85 грн
500+	42.31 грн
1000+	36.08 грн
2500+	30.65 грн
10000+	30.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM070NH04LCR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin PDFN EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM070NH04LCR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2169 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.86 грн
10+	66.26 грн
100+	51.56 грн
500+	41.01 грн
1000+	33.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM070NH04LCR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2169 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.8 грн
5000+	31.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM076NH04DCR

TQM076NH04DCR

товар відсутній

TQM076NH04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM076NH04DCR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

товар відсутній

TQM076NH04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.56 грн
10+	94.04 грн
100+	74.82 грн
500+	59.41 грн
1000+	50.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM076NH04DCR RLG

MOSFET 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	306.84 грн
10+	253.3 грн
25+	207.94 грн
100+	178.24 грн
250+	168.82 грн
500+	158.67 грн
1000+	144.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM076NH04DCR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 64A Automotive 8-Pin PDFN EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	56.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM076NH04LDCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM076NH04LDCR RLG

MOSFETs 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.48 грн
10+	104.98 грн
100+	72.45 грн
250+	66.8 грн
500+	60.64 грн
1000+	54.92 грн
2500+	47.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM076NH04LDCR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 34A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	56.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM076NH04LDCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.56 грн
10+	94.04 грн
100+	74.82 грн
500+	59.41 грн
1000+	50.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM110NB04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM110NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.13 грн
10+	70.79 грн
100+	55.08 грн
500+	43.81 грн
1000+	35.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM110NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.0072 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	64.86 грн

Мінімальне замовлення: 13

TQM110NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM110NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.0072 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM110NB04CR RLG

MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4924 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.21 грн
10+	79.07 грн
100+	53.25 грн
500+	45.07 грн
1000+	36.73 грн
2500+	32.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM110NB04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.45 грн
10+	128.76 грн
100+	102.5 грн
500+	81.4 грн
1000+	69.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM110NB04DCR RLG

MOSFETs 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET

на замовлення 6016 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.64 грн
10+	104.98 грн
100+	72.09 грн
250+	67.09 грн
500+	60.93 грн
1000+	52.17 грн
2500+	49.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM110NB04DCR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 10A Automotive 8-Pin PDFN-U EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	56.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM110NB04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	72.6 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM123KCX RFG

Description: 100V, 0.17A, SINGLE N-CHANNEL SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 328mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34.7 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.3 грн
20+	15.62 грн
100+	7.65 грн
500+	5.99 грн
1000+	4.16 грн

Мінімальне замовлення: 13

TQM123KCX RFG

Description: 100V, 0.17A, SINGLE N-CHANNEL SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 328mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34.7 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

TQM130NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM130NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM130NB06CR RLG

MOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.9 грн
10+	79.82 грн
100+	53.91 грн
500+	45.72 грн
1000+	37.24 грн
2500+	33.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM130NB06CR RLG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM130NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.97 грн
13+	66.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

TQM130NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.92 грн
10+	71.7 грн
100+	55.75 грн
500+	44.35 грн
1000+	36.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM138KCU

TQM138KCU

товар відсутній

TQM138KCX

TQM138KCX

товар відсутній

TQM138KDCU6 RFG

Description: 60V, 0.32A, DUAL N-CHANNEL SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

TQM138KDCU6 RFG

Description: 60V, 0.32A, DUAL N-CHANNEL SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.3 грн
22+	14.34 грн
100+	9.03 грн
500+	6.28 грн
1000+	5.57 грн

Мінімальне замовлення: 13

TQM150NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.19 грн
10+	53.59 грн
100+	41.7 грн
500+	33.17 грн
1000+	27.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

TQM150NB04CR RLG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Power dissipation: 19W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TQM150NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM150NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM150NB04CR RLG

товар відсутній

TQM150NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.35 грн

Мінімальне замовлення: 13

TQM150NB04CR RLG

MOSFETs 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 7284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.48 грн
10+	61.24 грн
100+	41.44 грн
500+	35.14 грн
1000+	28.55 грн
2500+	25.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

TQM150NB04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

товар відсутній

TQM150NB04DCR

MOSFET 40V MOSFET 15 MOhms

на замовлення 4753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.96 грн
10+	238.3 грн
25+	195.62 грн
100+	169.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM150NB04DCR

40V 39A Dual N Channel Power MOSFET

товар відсутній

TQM150NB04DCR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 39A Automotive 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM150NB04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A/39A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)

на замовлення 1681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.05 грн
10+	74.11 грн
100+	57.65 грн
500+	45.86 грн
1000+	37.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM150NB04DCR RLG

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9A; 16W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9A
Power dissipation: 16W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

TQM150NB04DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 5040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	167.55 грн
500+	132.37 грн
1000+	111.47 грн
2500+	105.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM150NB04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A/39A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)

товар відсутній

TQM150NB04DCR RLG

товар відсутній

TQM150NB04DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 5040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	276.34 грн
10+	221.08 грн
25+	200.76 грн
100+	167.55 грн
500+	132.37 грн
1000+	111.47 грн
2500+	105.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM250NB06CR RLG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 23W; PDFN56U
Case: PDFN56U
Mounting: SMD
Power dissipation: 23W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TQM250NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.96 грн
10+	159.85 грн
100+	128.51 грн
500+	99.09 грн
1000+	82.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM250NB06CR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN-U EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM250NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU

товар відсутній

TQM250NB06CR RLG

товар відсутній

TQM250NB06CR RLG

MOSFET 60V, 32A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 2898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.32 грн
10+	187.47 грн
100+	131.14 грн
500+	107.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM250NB06DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.11 грн
5000+	37.7 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM250NB06DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.43 грн
500+	69.96 грн
1000+	64.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM250NB06DCR RLG

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 8-Pin PDFN-U EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.52 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM250NB06DCR RLG

MOSFETs 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.25 грн
10+	61.24 грн
100+	41.37 грн
500+	36.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

TQM250NB06DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.54 грн
10+	78.34 грн
100+	60.91 грн
500+	48.44 грн
1000+	39.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM250NB06DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.51 грн
100+	75.43 грн
500+	69.96 грн
1000+	64.51 грн

Мінімальне замовлення: 11

TQM2M9016

Signal Conditioning 1.575GHz IL=.6dB Attenution 31dB

товар відсутній

TQM2N7002KCU RFG

Description: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 316mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

TQM2N7002KCU RFG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 320mA; 316mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 316mW
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

TQM2N7002KCU RFG

Description: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 316mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	19.59 грн
26+	11.77 грн
100+	7.34 грн
500+	5.08 грн
1000+	4.49 грн

Мінімальне замовлення: 16

TQM2N7002KCX RFG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 370mA; 416mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
Power dissipation: 416mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

TQM2N7002KCX RFG

Description: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

TQM2N7002KCX RFG

MOSFETs 60V, 0.37A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	26.71 грн
19+	17.91 грн
100+	9.93 грн
1000+	4.42 грн
3000+	3.77 грн
9000+	2.9 грн
24000+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 13

TQM2N7002KCX RFG

Description: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.3 грн
20+	15.62 грн
100+	7.65 грн
500+	5.99 грн
1000+	4.16 грн

Мінімальне замовлення: 13

TQM2N7002KDCU6 RFG

Description: 60V, 0.33A, DUAL N-CHANNEL SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 337mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.43 грн
17+	18.57 грн
100+	9.37 грн
500+	7.17 грн
1000+	5.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

TQM2N7002KDCU6 RFG

Description: 60V, 0.33A, DUAL N-CHANNEL SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 337mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

TQM2N7002KDCU6 RFG

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 330mA; 337mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.33A
Power dissipation: 337mW
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

TQM300NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	62.26 грн

Мінімальне замовлення: 14

TQM300NB06CR RLG

MOSFETs 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.75 грн
10+	57.66 грн
100+	38.98 грн
500+	33.04 грн
1000+	26.95 грн
2500+	25.36 грн
5000+	24.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

TQM300NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.84 грн
10+	51.85 грн
100+	40.35 грн
500+	32.1 грн
1000+	26.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

TQM300NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM300NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM300NB06CR RLG

Trans MOSFET N-CH 60V 27A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.15 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM300NB06DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	131.67 грн
500+	109.43 грн
1000+	93.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM300NB06DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.25 грн
10+	158.49 грн
100+	131.67 грн
500+	109.43 грн
1000+	93.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

TQM300NB06DCR RLG

Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM300NB06DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.13 грн
10+	70.87 грн
100+	55.13 грн
500+	43.86 грн
1000+	35.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM300NB06DCR RLG

MOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.36 грн
10+	78.24 грн
100+	53.33 грн
500+	45.14 грн
1000+	36.81 грн
2500+	34.63 грн
5000+	32.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM300NB06DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.22 грн
5000+	34.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM3M7001

Triquint

07+ SOT23

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM4M3019

на замовлення 175 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM4M9073

Attenuators DC-6GHz IL .1dB RL >22dB

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM613016CEL-3

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613017

на замовлення 2556 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613017A

на замовлення 915 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613025

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613026

на замовлення 915 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613026A

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613027

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613028

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613029

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613030

QFN

на замовлення 950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613031

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613035

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM616017

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM616025

RF Amplifier WCDMA US Cell-Band PA/Duplexer Module

товар відсутній

TQM616025

на замовлення 25407 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM616032A

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM616035

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM616035A

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM640002

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM653029

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM656024

на замовлення 26988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663017

TRIQUTNT

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663017

QFN 06+

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663017

09+

на замовлення 2018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663017/PB

на замовлення 312 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663017A

09+

на замовлення 916 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663029

RF Amplifier 1880MHz

товар відсутній

TQM663029

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663029A

на замовлення 58139 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM666017

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM666022

на замовлення 81718 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM666032

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM666032A

на замовлення 54 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM666032B

на замовлення 109327 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM666092

на замовлення 445289 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM676001

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM676021

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM676021

RF Amplifier WCDMA IMT2100 Band PA/Duplexer Module

товар відсутній

TQM676031

на замовлення 104 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM679002

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM679002A

RF Front End 2400-2500MHz Pout 17dBm

товар відсутній

TQM6M4001

0607+

на замовлення 16463 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4001

QFN??

на замовлення 6794 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4002

QFN??

на замовлення 1244 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4002-B

QFN??

на замовлення 677 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4002-B

2007

на замовлення 2879 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4002-B

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4002B

на замовлення 133 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4002DB

07+;

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4003

QFN?

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4022

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4022E

07+

на замовлення 1059 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4028

на замовлення 2091 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4028E

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4028E

QFN??

на замовлення 2021 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4028U

TQM

QFN??

на замовлення 2410 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4029

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4038

05+

на замовлення 398 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4038E

QFN??

на замовлення 974 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4048

10+ TSSOP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4050

RF Transmitter GSM850/900 DCS/PCS

товар відсутній

TQM6M5001

на замовлення 8700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M5001

09+

на замовлення 2518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M5003

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M5008

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M7010

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M9008

на замовлення 160000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M9014

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6T6031

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7130124

на замовлення 160000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM713015LGA-10

на замовлення 1096 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM713019

RF Amplifier Cell band CDMA PAM

товар відсутній

TQM713019

QFN??

на замовлення 1274 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM713021

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM713021

07+;

на замовлення 167500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM713024

07+;

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM71312

на замовлення 160000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM716015

QFN

на замовлення 8634 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM716015

RF Amplifier 836MHz CDMA, WCDMA LTE

на замовлення 1363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM716015 PCN

QFN

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM726018

RF Amplifier WCDMA Bands 8

на замовлення 1594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM726018

QFN

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM763013

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM763021

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM763022

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM76314

TirQuint

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM766012

на замовлення 10968 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM766012

RF Amplifier WCDMA Bands 2

товар відсутній

TQM776003

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM776011

RF Amplifier WCDMA Band 1

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM776011

QFN

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4002

QFN??

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4006

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4006

MANUFACT

06+

на замовлення 46 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4007

на замовлення 12134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4014

на замовлення 1028 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4014-B

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4022

на замовлення 4470 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4022

QFN??

на замовлення 27740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4022

TQM

LCC

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4022

2004

на замовлення 6300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4022-TR

07+;

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5002

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5002

07+;

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5002

0846+

на замовлення 11221 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5003

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5003

QFN??

на замовлення 902 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5003

QFN

на замовлення 1489 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5003

2006

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5003-PHIL

QFN

на замовлення 466 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5004

MANUFACTURER'S

0601+ QFN

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5004

MANUFACT

06+

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5005

TQM

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5005H

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5005H

TRIQUINT 12+ QFN

на замовлення 114 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5008

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5012

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5012

08+

на замовлення 1095 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5012H

RF Amplifier Quadband EDGE Pola PAM Halogen-Free

товар відсутній

TQM7M5012H

09+ TSOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5012H

TRTQUINT

QFN??

на замовлення 91553 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5013

QFN

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5013

RF Amplifier GSM850/900/DCS/PCS

товар відсутній

TQM7M5013
Код товару: 67343

Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти

товар відсутній

TQM7M5013

TVIQUINT

QFN

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5015

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5022

RF Modules GSM/GPRS/EDGE-Polar

на замовлення 626 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM7M5050

RF Amplifier GSM/EDGE/WEDGE Quad Band

на замовлення 1472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM7M6018

RF Amplifier Dual Band PA Mod. Bd 1,2,3,8,25 and 26

товар відсутній

TQM7M6125

RF Amplifier Dual Band PA Mod. Bands 1,2,5 and 8

товар відсутній

TQM7M7012

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M9023H

RFMD

Description: MODULE GSM

товар відсутній

TQM7M9050M

RFMD

Description: MODULE GSM

товар відсутній

TQM7M9053

RFMD

Description: MODULE GSM

товар відсутній

TQM7M9053

RF Amplifier Quad Band MMPA GSM/EDGE/WEDGE WCDMA

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM84KDCU6 RFG

Description: -60V, -0.17A, DUAL P-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38.2pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.43 грн
17+	18.57 грн
100+	9.37 грн
500+	7.17 грн
1000+	5.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

TQM84KDCU6 RFG

Description: -60V, -0.17A, DUAL P-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38.2pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

TQM879006

RF Amplifier 1.8-2.7GHz 31dB Gain 25.4dBm P1

товар відсутній

TQM879006-PCB

RF Development Tools 1.8-2.7GHz Gain 31dB Eval Brd

товар відсутній

TQM879006A-PCB

RF Development Tools 1.4-2.7GHz Gain 31.7 Eval Board

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879006ATR13

RF Amplifier 1.4-2.7GHz Gain 31.7 NF 1.5dB

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879008

RF Amplifier 2.3-2.7GHz NF 3.9dB Gain 41.5dB

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879008-PCB

RF Development Tools 2.3-2.7GHz NF 3.9dB Eval Board

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879026-PCB2140

RF Development Tools 700-4000MHz NF 1.5dB Eval Board

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879026-PCB900

RF Development Tools TQM879026-PCB900 869-960MHZ EVAL BRD

товар відсутній

TQM879026TR13

RF Amplifier 700-4000MHz NF 1.5dB Gain 32.5dB 1/4 Wat

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879028-PCB2140

RF Development Tools 700-4000MHz NF 1.5dB Eval Board

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879028-PCB900

RF Development Tools TQM879028-PCB900 869-960MHZ EVAL BRD

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	14606.59 грн

TQM879028TR13

RF Amplifier 700-4000MHz NF 1.5dB Gain 33dB 1/2 Watt

на замовлення 2048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM8M9075

RF Amplifier 50-4000MHz NF 2.9dB Gain 18dB

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1360.92 грн
25+	974.03 грн
100+	686.86 грн
250+	559.34 грн

TQM8M9075-PCB 0.3-4.0GHZ EVAL BRD

RF Development Tools 50-4000MHz NF 3.7dB Gain 13dB Eval Brd

товар відсутній

TQM8M9076-PCB 0.3-4.0GHZ EVAL BOARD

RF Development Tools 50-4000MHz NF 3.7dB Gain 13dB Eval Brd

товар відсутній

TQM8M9077

RF Amplifier 50-4000MHz NF 3.7dB Gain 13dB

на замовлення 1420 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM8M9079

RF Amplifier 500-2700MHz NF 4dB G ain 38dB Attn. 30dB

на замовлення 2008 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM8M9079-PCB

RF Development Tools 500-2700MHz NF 4dB Eval Board

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM963014

Signal Conditioning Band Class 14 BAW IL 1.8dB TX 2.2dB Rx

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	353.33 грн
100+	272.46 грн
250+	176.79 грн
1000+	149.25 грн

TQM976027