Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TQM025NH04CR RLG
TQM025NH04CR RLG

TQM025NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TQM025NH04CR_B2309.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM025NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TQM025NH04CR RLG за ціною від 60.42 грн до 161.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TQM025NH04CR RLG TQM025NH04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TQM025NH04CR_B2309.pdf Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.27 грн
10+ 118.98 грн
100+ 94.71 грн
500+ 75.2 грн
1000+ 63.81 грн
2000+ 60.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM025NH04CR RLG TQM025NH04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TQM025NH04CR_B2309.pdf MOSFET 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+161.8 грн
10+ 133.04 грн
100+ 91.99 грн
250+ 85.02 грн
500+ 77.36 грн
1000+ 69.69 грн
2500+ 60.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
TQM025NH04CR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tqm025nh04cr_a2304.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN EP Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000