Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TQM056NH04LCR RLG
TQM056NH04LCR RLG

TQM056NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

TQM056NH04LCR_C2309.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+40.11 грн
5000+ 36.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM056NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TQM056NH04LCR RLG за ціною від 38.5 грн до 215.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TQM056NH04LCR RLG TQM056NH04LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TQM056NH04LCR_C2309.pdf Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.01 грн
10+ 76.4 грн
100+ 59.41 грн
500+ 47.26 грн
1000+ 38.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
TQM056NH04LCR RLG TQM056NH04LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor TQM056NH04LCR_C2309.pdf MOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.75 грн
10+ 178.29 грн
25+ 146.69 грн
100+ 125.14 грн
250+ 118.88 грн
500+ 111.93 грн
1000+ 101.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQM056NH04LCR RLG TQM056NH04LCR RLG Виробник : Taiwan Semiconductor tqm056nh04lcr_b2304.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній