TQM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 46.29 грн |
| 5000+ | 42.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TQM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0022 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: PDFN56U, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm.
Інші пропозиції TQM033NB04CR RLG за ціною від 44.44 грн до 402.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TQM033NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TQM033NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 4513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TQM033NB04CR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0022 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm |
на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TQM033NB04CR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0022 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm |
на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TQM033NB04CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 121A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| TQM033NB04CR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
TQM033NB04CR-RLG SMD N channel transistors |
товар відсутній |