TQM250NB06CR RLG Taiwan Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 29.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TQM250NB06CR RLG Taiwan Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 23W; PDFN56U, Case: PDFN56U, Mounting: SMD, Power dissipation: 23W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 24nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 7A, On-state resistance: 50mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TQM250NB06CR RLG за ціною від 78.97 грн до 203.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TQM250NB06CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU |
на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TQM250NB06CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 MOSFET 60V, 32A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 2898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TQM250NB06CR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 23W; PDFN56U Case: PDFN56U Mounting: SMD Power dissipation: 23W Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
TQM250NB06CR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU |
товар відсутній |
|||||||||||||
| TQM250NB06CR RLG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 23W; PDFN56U Case: PDFN56U Mounting: SMD Power dissipation: 23W Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |