Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > TQM2N7002KCX RFG
TQM2N7002KCX RFG

TQM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

TQM2N7002KCX_A2403.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TQM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V, Power Dissipation (Max): 416mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TQM2N7002KCX RFG за ціною від 2.73 грн до 26.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TQM2N7002KCX RFG TQM2N7002KCX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TQM2N7002KCX_A2403.pdf Description: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.12 грн
20+ 15.51 грн
100+ 7.6 грн
500+ 5.95 грн
1000+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
TQM2N7002KCX RFG TQM2N7002KCX RFG Виробник : Taiwan Semiconductor TQM2N7002KCX_A2403.pdf MOSFETs 60V, 0.37A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.52 грн
19+ 17.79 грн
100+ 9.85 грн
1000+ 4.39 грн
3000+ 3.74 грн
9000+ 2.88 грн
24000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
TQM2N7002KCX RFG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM2N7002KCX_A2403.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 370mA; 416mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
Power dissipation: 416mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній