![TQM110NB04DCR RLG TQM110NB04DCR RLG](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/11/16/12/42/11/550901/tsc_/manual/pdfn56udual.jpg)
TQM110NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 54.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TQM110NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції TQM110NB04DCR RLG за ціною від 66.27 грн до 154.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TQM110NB04DCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TQM110NB04DCR RLG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|