Продукція > TK5

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK5-5TE ConnectivityConnector Terminal Block Flat Base Snap Track
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+700.81 грн
25+ 604.96 грн
100+ 539.99 грн
Мінімальне замовлення: 18
TK500
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK500AETI09+
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK500E
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK500EDX
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK500XTOKO05+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK500XTOKO05+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK501EX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK501PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: orange
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Contact plating: gold-plated
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.2 грн
2+ 704.16 грн
4+ 664.91 грн
TK501PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: orange
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Contact plating: gold-plated
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1343.03 грн
2+ 877.49 грн
4+ 797.89 грн
TK501PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: blue
Contact plating: gold-plated
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1178.53 грн
2+ 715.48 грн
4+ 676.23 грн
TK501PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: blue
Contact plating: gold-plated
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1414.23 грн
2+ 891.59 грн
4+ 811.48 грн
TK501PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Insulation colour: yellow
Contact plating: gold-plated
Core section: 0.5mm2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1414.23 грн
2+ 891.59 грн
4+ 811.48 грн
TK501PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Number of cores: 1
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Insulation colour: yellow
Contact plating: gold-plated
Core section: 0.5mm2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1178.53 грн
2+ 715.48 грн
4+ 676.23 грн
TK501PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Cable length: 1m
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: brown
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Type of connection cable: RCA - RCA
Contact plating: gold-plated
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1178.53 грн
2+ 715.48 грн
4+ 676.23 грн
TK501PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Cable length: 1m
Number of cores: 1
Core section: 0.5mm2
Insulation colour: brown
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Type of connection cable: RCA - RCA
Contact plating: gold-plated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1414.23 грн
2+ 891.59 грн
4+ 811.48 грн
TK501PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.2 грн
2+ 715.48 грн
4+ 676.23 грн
TK501PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Cable length: 1m
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA plug
Core section: 0.5mm2
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1343.03 грн
2+ 891.59 грн
4+ 811.48 грн
TK50A04K3ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK50E06K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
товар відсутній
TK50E06K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
товар відсутній
TK50E06K3A,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 60V 104W 2670pF .0085
товар відсутній
TK50E06K3A,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
товар відсутній
TK50E08K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 50A TO220-3
товар відсутній
TK50E08K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 80V 25W 410pF 0.090
товар відсутній
TK50E10K3(S1SS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 100V 25W 410pF 0.092
товар відсутній
TK50E10K3(S1SS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
товар відсутній
TK50F15J1(TE24L,Q)ToshibaLVMOS TO220SM(W),PRE-ACTIVE,
товар відсутній
TK50J30D,S1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK50J30D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.83 грн
10+ 443.78 грн
100+ 358.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK50J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товар відсутній
TK50J60U(HEV,Q)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK50J60U(Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 50A 600V 400W 4050pF 0.065
товар відсутній
TK50J60U(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO-3PN
товар відсутній
TK50J60U(STA1,Q)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK50P03M1(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-ch 30V 50A DP
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.99 грн
10+ 60.82 грн
100+ 40.57 грн
500+ 32.1 грн
1000+ 25.72 грн
2000+ 23.19 грн
4000+ 23.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK50P03M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
товар відсутній
TK50P03M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
товар відсутній
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
товар відсутній
TK50P04M1(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK50P04M1(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 50A DP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
товар відсутній
TK50P04M1(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-ch 40V 50A DP
товар відсутній
TK50X15J1(TE24LQ)ToshibaToshiba SIC N-CHAN MOSFET
товар відсутній
TK511PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.2 грн
2+ 713.97 грн
4+ 674.72 грн
TK511PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1343.03 грн
2+ 889.71 грн
4+ 809.67 грн
TK511PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.2 грн
2+ 713.97 грн
4+ 674.72 грн
TK511PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; blue; 0.5mm2
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1343.03 грн
2+ 889.71 грн
4+ 809.67 грн
TK511PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1343.03 грн
2+ 889.71 грн
4+ 809.67 грн
TK511PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.2 грн
2+ 713.97 грн
4+ 674.72 грн
TK511PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.2 грн
2+ 713.97 грн
4+ 674.72 грн
TK511PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1343.03 грн
2+ 889.71 грн
4+ 809.67 грн
TK511PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1343.03 грн
2+ 889.71 грн
4+ 809.67 грн
TK511PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,RCA plug; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.2 грн
2+ 713.97 грн
4+ 674.72 грн
TK51513M (TC)Description: WOODWORKING TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (56)
Tape Type: Woodwork
Tape Included: 17002, 2080, 2A25C, 4032, 8979, 9629PC, 9832, SJ3000, SJ3550, SJ4570, SJ6512
товар відсутній
TK5210InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK5210 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK5210
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK521PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.2 грн
2+ 715.48 грн
4+ 676.23 грн
TK521PSF-ATASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; orange
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: orange
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1343.03 грн
2+ 891.59 грн
4+ 811.48 грн
TK521PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.2 грн
2+ 715.48 грн
4+ 676.23 грн
TK521PSF-BTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; blue
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: blue
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1343.03 грн
2+ 891.59 грн
4+ 811.48 грн
TK521PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1343.03 грн
2+ 891.59 грн
4+ 811.48 грн
TK521PSF-GTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; yellow
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: yellow
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.2 грн
2+ 715.48 грн
4+ 676.23 грн
TK521PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.2 грн
2+ 715.48 грн
4+ 676.23 грн
TK521PSF-TBTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; brown
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: brown
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1343.03 грн
2+ 891.59 грн
4+ 811.48 грн
TK521PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1343.03 грн
2+ 891.59 грн
4+ 811.48 грн
TK521PSF-VTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA socket,both sides; 1m; Plating: gold-plated; green
Type of connection cable: RCA - RCA
Cable/adapter structure: both sides; RCA socket
Cable length: 1m
Contact plating: gold-plated
Insulation colour: green
Core section: 0.5mm2
Number of cores: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1119.2 грн
2+ 715.48 грн
4+ 676.23 грн
TK5283206QF
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5283206QF-12INDONESIAQFP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5283206QF-12TOKO9900+
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5310InterlightDescription: Replacement for Kenwood TK5310 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK5310
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
TK5401
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5402
на замовлення 30972 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK553MDescription: 3M PELTOR REMOTE RING FI
товар відсутній
TK5530HM-232-PPMicrochip TechnologyIC RFID 125KHZ READ ONLY TAG
товар відсутній
TK5530HM-232-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 0.492" L x 0.232" W (12.10mm x 5.90mm)
Style: Encapsulated
Frequency: 125kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: Passive
Writable Memory: 128b (User)
товар відсутній
TK5544TOKO2002 SMD
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5550F-PP
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5551A-PPMicrochip TechnologySTANDARD READ/WRITE ID TRANSPONDER WITH ANTICOLLISION
товар відсутній
TK5551MMicrochip TechnologyMicrochip Technology ROOT PART NUMBER
товар відсутній
TK5551M-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 0.492" L x 0.232" W (12.10mm x 5.90mm)
Style: Encapsulated
Frequency: 125kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: Passive
Writable Memory: 224b (User)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TK5551M-PPMicrochip TechnologyNFC/RFID Tag and Transponder Chip 120kHz to 130kHz 264bit Automotive
товар відсутній
TK5551M-PPMicrochip TechnologyRF Wireless Misc Universal R/W Transponder
товар відсутній
TK5551M-PP
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5552A-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 100-150KHZ
Packaging: Bulk
Frequency: 100kHz ~ 150kHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -25°C ~ 75°C
Technology: Passive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TK5552A-PPMicrochip TechnologyRead/Write Transponder
товар відсутній
TK5561A-PPMicrochip TechnologyDescription: RFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
товар відсутній
TK55D10J1(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
товар відсутній
TK55S10N1ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.58 грн
10+ 158.19 грн
100+ 110.58 грн
500+ 84.66 грн
1000+ 78.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+84.3 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK55S10N1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK55S10N1,LQToshibaMOSFETs UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.93 грн
10+ 178.31 грн
25+ 142.01 грн
50+ 133.31 грн
100+ 110.13 грн
250+ 103.61 грн
500+ 89.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK55S10N1,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.21 грн
10+ 178.81 грн
100+ 131.67 грн
500+ 110.94 грн
1000+ 80.81 грн
5000+ 79.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK55S10N1,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK55S10N1,LQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK55S10N1,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.21 грн
10+ 178.81 грн
100+ 131.67 грн
500+ 110.94 грн
1000+ 80.81 грн
5000+ 79.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK55S10N1,LXHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK55S10N1,LXHQToshibaMOSFETs 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 6840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.89 грн
10+ 89.99 грн
25+ 72.45 грн
100+ 62.38 грн
250+ 58.76 грн
500+ 50.21 грн
1000+ 44.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK55S10N1,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
на замовлення 9924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.51 грн
10+ 68.23 грн
100+ 46.36 грн
500+ 38.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK55S10N1,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK55S10N1,LXHQ(OToshibaTK55S10N1,LXHQ(O
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+116.52 грн
111+ 111.31 грн
250+ 106.84 грн
500+ 99.31 грн
1000+ 88.95 грн
Мінімальне замовлення: 106
TK560A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+96.15 грн
10+ 87.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK560A60Y,S4XToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.42 грн
10+ 89.99 грн
100+ 62.67 грн
500+ 50.79 грн
1000+ 39.92 грн
5000+ 38.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK560A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товар відсутній
TK560A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.61 грн
10+ 96.72 грн
100+ 71.04 грн
500+ 63.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK560A65Y,S4XToshibaMOSFET N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.1 грн
10+ 110.82 грн
100+ 77.53 грн
500+ 63.32 грн
1000+ 48.83 грн
5000+ 47.09 грн
10000+ 45.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK560A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK560A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.8 грн
Мінімальне замовлення: 17
TK560A65Y,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK560A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.23 грн
10+ 100.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK560P60Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.51 грн
10+ 86.65 грн
25+ 68.76 грн
100+ 46.3 грн
250+ 45.79 грн
500+ 40.57 грн
1000+ 38.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK560P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK560P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 5557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+ 78.42 грн
100+ 60.97 грн
500+ 48.5 грн
1000+ 39.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK560P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK560P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.4 грн
500+ 52.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK560P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.48 грн
10+ 91.03 грн
100+ 66.4 грн
500+ 52.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK560P65Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK560P65Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.05 грн
10+ 79.07 грн
25+ 62.24 грн
100+ 52.96 грн
250+ 49.92 грн
500+ 41.88 грн
1000+ 36.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK560P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.7 грн
10+ 71.7 грн
100+ 55.76 грн
500+ 44.36 грн
1000+ 36.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK560P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.99 грн
500+ 49.59 грн
1000+ 42.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK560P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK560P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.98 грн
10+ 86.15 грн
100+ 62.99 грн
500+ 49.59 грн
1000+ 42.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK56A12N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+73.07 грн
10+ 64.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
TK56A12N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.27 грн
10+ 164.14 грн
50+ 134.04 грн
100+ 114.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK56A12N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.08 грн
50+ 109.24 грн
100+ 89.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK56A12N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK56E12N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 120V 56A TO-220
товар відсутній
TK56E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK56E12N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK56E12N1,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.01 грн
10+ 108.32 грн
50+ 90.57 грн
100+ 71.44 грн
500+ 55.21 грн
1000+ 47.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK56E12N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK56E12N1,S1X(STOSHIBATK56E12N1 THT N channel transistors
на замовлення 810 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.29 грн
10+ 113.21 грн
26+ 106.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK56E12N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK56E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 112 A, 0.0058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.17 грн
10+ 102.41 грн
100+ 77.46 грн
500+ 61.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK57353M (TC)Description: CRAFTING TAPE KIT
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (4), Strips (52)
Tape Type: Household
Tape Included: 17002, 3903, 4032, 4658F, 850, 9629PC, CM592, SJ3530, SJ3531
товар відсутній
TK57V161610DTC-7
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK57V161610TC-7
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK58A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.18 грн
10+ 83.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK58A06N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 4.4ohm VGS10V10uAVDS60V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.82 грн
10+ 93.32 грн
100+ 63.11 грн
500+ 52.17 грн
1000+ 41.15 грн
2500+ 38.4 грн
10000+ 35.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK58A06N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK58E06N1ToshibaToshiba
товар відсутній
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK58E06N1,S1XTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 58A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK58E06N1,S1XTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 58A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK58E06N1,S1XToshibaMOSFETs 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 422-431 дні (днів)
4+107.35 грн
10+ 77.16 грн
100+ 51.8 грн
500+ 46.73 грн
1000+ 44.85 грн
2500+ 43.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK58E06N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товар відсутній
TK58E06N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK58E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK58E06N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK58E06N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK58E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.54 грн
10+ 101.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK58E06N1S1X(SToshibaMOSFETs
товар відсутній
TK58E06N1S1X(S-XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK59593M (TC)Description: MRO TAPE KIT - STANDARD
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (3), Strips (42)
Tape Type: Maintenance Repair
Tape Included: 17002, 3900, 4032, 425, 4941, 5151, 610, 9629PC, SJ3000, SJ3550, SJ3560
товар відсутній
TK5A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
товар відсутній
TK5A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75
товар відсутній
TK5A50DToshibaToshiba
товар відсутній
TK5A50D
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5A50D (Q,M)ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5A50D(Q)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A50D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A50D(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
товар відсутній
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-CH 500V, 5A
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+ 79.82 грн
100+ 57.67 грн
500+ 42.68 грн
1000+ 34.13 грн
2500+ 33.18 грн
5000+ 31.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK5A50D(STA4,Q,M)
Код товару: 135758		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM
товар відсутній
TK5A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A TO220SIS
товар відсутній
TK5A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm
товар відсутній
TK5A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
товар відсутній
TK5A60DToshibaToshiba
товар відсутній
TK5A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.96 грн
10+ 91.65 грн
100+ 61.8 грн
500+ 53.11 грн
1000+ 44.2 грн
2500+ 41.3 грн
5000+ 39.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.69 грн
10+ 127.48 грн
50+ 101.43 грн
100+ 83.32 грн
250+ 81.15 грн
500+ 76.08 грн
1000+ 70.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK5A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товар відсутній
TK5A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK5A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A60W5,S5VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
товар відсутній
TK5A60W5,S5VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK5A60W5,S5VXToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ
товар відсутній
TK5A60W5,S5VX(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5A60W5S5VX(MToshibaToshiba
товар відсутній
TK5A60WS4VX(MToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5A65DToshibaToshiba
товар відсутній
TK5A65D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK5A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK5A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.94 грн
10+ 104.98 грн
50+ 78.25 грн
100+ 69.41 грн
250+ 62.6 грн
500+ 52.82 грн
1000+ 45.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.45 грн
10+ 99.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK5A65D,S5Q(JToshibaTK5A65D,S5Q(J
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK5A65DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.1 грн
10+ 98.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK5A65DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm
товар відсутній
TK5A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK5A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.85 грн
12+ 54.2 грн
100+ 51.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
TK5A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.21 грн
10+ 105.82 грн
100+ 62.31 грн
250+ 53.91 грн
500+ 45.79 грн
1000+ 41.23 грн
2500+ 40.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK5A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
50+ 77.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5A80E,S4XToshibaMOSFET PWR MOS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.66 грн
10+ 77.07 грн
100+ 53.98 грн
500+ 48.62 грн
1000+ 37.24 грн
5000+ 36.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 1.9 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.67 грн
11+ 75.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK5A80E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5A80ES4X(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5A90E,S4XToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.89 грн
10+ 89.15 грн
100+ 59.99 грн
500+ 49.56 грн
1000+ 40.94 грн
2500+ 38.4 грн
5000+ 37.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5A90E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5A90E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK5A90E,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5A90E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4.5 A, 2.5 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.29 грн
10+ 91.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK5A90ES4X(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5E18N32MPN-SPCLITT CannonCircular MIL Spec Connector
товар відсутній
TK5P-3.5TraktronixDescription: 5 PIN 3.5MM PITCH CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5P-3.81TraktronixDescription: 5PIN 3.81MM SPEAKR MIC CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK5P-5.00TraktronixDescription: 5PIN 5.00MM PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK5P-5.08TraktronixDescription: 5PIN 5.08MM/PLUGGABLE QUICK CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK5P-7.5TraktronixDescription: 5PIN 7.5 MM QUICK SPKR CONNECTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.74 грн
TK5P50D
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK5P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.13 грн
10+ 70.87 грн
100+ 55.13 грн
500+ 43.86 грн
1000+ 35.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5P50D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK5P50D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товар відсутній
TK5P50D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.36 грн
10+ 78.24 грн
100+ 53.33 грн
500+ 45.14 грн
1000+ 36.81 грн
2000+ 34.63 грн
4000+ 32.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.48 грн
10+ 72.45 грн
100+ 56.33 грн
500+ 44.81 грн
1000+ 36.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5P53D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
товар відсутній
TK5P53D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 525V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK5P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товар відсутній
TK5P60V,RVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK5P60W,RVQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.94 грн
10+ 112.48 грн
25+ 91.29 грн
100+ 75.35 грн
250+ 70.06 грн
500+ 60.21 грн
1000+ 55.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.9 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+142.97 грн
96+ 128.15 грн
97+ 126.97 грн
122+ 97.92 грн
250+ 85.82 грн
500+ 71.09 грн
1000+ 60.76 грн
3000+ 57.87 грн
6000+ 57.3 грн
Мінімальне замовлення: 86
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+132.76 грн
10+ 119 грн
25+ 117.9 грн
100+ 90.93 грн
250+ 79.69 грн
500+ 66.01 грн
1000+ 56.42 грн
3000+ 53.74 грн
6000+ 53.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.97 грн
10+ 101.59 грн
100+ 80.83 грн
500+ 64.19 грн
1000+ 54.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK5P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK5P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK5P60W5,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK5P60W5,RVQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.05 грн
10+ 79.07 грн
100+ 53.4 грн
500+ 45.28 грн
1000+ 36.95 грн
2000+ 34.63 грн
4000+ 33.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5P60W5,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 230µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.7 грн
10+ 72 грн
100+ 55.99 грн
500+ 44.54 грн
1000+ 36.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5P60W5,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 4.5A
товар відсутній
TK5P60W5RVQ(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5P60WRVQ(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5P60WRVQ(S-XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK5P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK5P65W,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.74 грн
10+ 80.57 грн
25+ 63.25 грн
100+ 53.54 грн
250+ 50.64 грн
500+ 42.46 грн
1000+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.1 грн
10+ 80.08 грн
100+ 53.94 грн
500+ 40.1 грн
1000+ 36.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5P65W,RQ
Код товару: 184247		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK5P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товар відсутній
TK5P65W,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5P65WRQ(SToshibaMOSFETs
товар відсутній
TK5Q60W,S1VQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC
на замовлення 202 шт:
термін постачання 67-76 дні (днів)
3+140.32 грн
10+ 114.98 грн
75+ 79.7 грн
300+ 73.18 грн
525+ 66.8 грн
1050+ 57.24 грн
2550+ 54.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+112.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK5Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.75 грн
75+ 98.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 19
TK5Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+ 85.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5Q65W,S1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товар відсутній
TK5R1A08QMToshibaToshiba
товар відсутній
TK5R1A08QM,S4XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.04 грн
10+ 97.49 грн
100+ 67.09 грн
500+ 55.64 грн
1000+ 42.75 грн
5000+ 40.65 грн
10000+ 40.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK5R1A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK5R1A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.62 грн
10+ 107.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5R1A08QM,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5R1A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 71 A, 0.0041 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.05 грн
50+ 134.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK5R1E06PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 98 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.3 грн
10+ 101.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK5R1P08QMToshibaToshiba
товар відсутній
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.43 грн
10+ 98.19 грн
100+ 76.55 грн
500+ 59.35 грн
1000+ 46.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5R1P08QM,RQToshibaMOSFETs UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
на замовлення 26326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.96 грн
10+ 93.32 грн
25+ 73.18 грн
100+ 56.73 грн
250+ 55.72 грн
500+ 45.07 грн
1000+ 40.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK5R1P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R
товар відсутній
TK5R1P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R
товар відсутній
TK5R1P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.38 грн
500+ 52.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK5R1P08QM,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK5R1P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R1P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 105 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.29 грн
10+ 91.84 грн
100+ 67.38 грн
500+ 52.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK5R3A06PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.54 грн
10+ 79.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5R3A06PL,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.59 грн
10+ 83.32 грн
100+ 56.15 грн
500+ 44.27 грн
1000+ 35.72 грн
5000+ 34.05 грн
10000+ 33.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK5R3A06PL,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK5R3A06PL,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 0.0041 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.54 грн
10+ 82.9 грн
100+ 62.58 грн
500+ 51.32 грн
1000+ 47.3 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK5R3E08QM,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
50+ 81.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5R3E08QM,S1XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
на замовлення 6137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.8 грн
10+ 94.15 грн
50+ 75.35 грн
100+ 59.92 грн
250+ 58.54 грн
500+ 52.46 грн
1000+ 44.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK5R3E08QM,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK5R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.23 грн
10+ 100.78 грн
Мінімальне замовлення: 7