на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 104.9 грн |
10+ | 76.52 грн |
100+ | 53.59 грн |
500+ | 48.27 грн |
1000+ | 36.97 грн |
5000+ | 36.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK5A80E,S4X Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK5A80E,S4X за ціною від 76.67 грн до 98.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK5A80E,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|