![TK56A12N1,S4X TK56A12N1,S4X](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4160/MFG_TO-220SIS.jpg)
TK56A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
![TK56A12N1_datasheet_en_20140213.pdf?did=13564&prodName=TK56A12N1](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.85 грн |
50+ | 105.97 грн |
100+ | 87.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK56A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V.
Інші пропозиції TK56A12N1,S4X за ціною від 111.05 грн до 178.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK56A12N1,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|